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公开(公告)号：CN113078431A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110324624.9
申请日：2021-03-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P3/16
Abstract: 本发明属于太赫兹芯片领域，具体提供一种宽带高平坦度太赫兹片间互连结构，包括介质波导于关于介质波导呈轴对称设置的两个片上耦合结构，采用基于共面波导的片上耦合结构设计，将介质波导覆盖连接于基于共面波导的片上耦合结构上，使得芯片信号能够通过片上耦合结构由片上耦合到介质波导中，经过介质波导传输后再通过片上耦合结构传输到另一芯片，实现片间互连。基于共面波导的片上耦合结构基于传输线平缓过渡，且没有巴伦、模式转换器等额外结构的原理特点，使得本发明片间互连结构实现了宽带、高平坦度、低损耗的太赫兹信号传输，并且结构简洁、占用面积小，易于加工、成本低，有效解决了传统太赫兹互连损耗较高、带内波动大的问题。
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公开(公告)号：CN110473960A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910789686.X
申请日：2019-08-26
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种压电材料、压电材料制备方法及应用，所述制备方法包括根据稀土元素掺杂的铌镁酸铅-钛酸铅的化学式中的摩尔计量比称取各组分的原料；在干燥的惰性气氛下，向2-甲氧基乙醇中加入称取的所述各组分的原料，进行蒸馏和回流，以形成络合物前体；将聚乙烯吡咯烷酮的2-甲氧基乙醇溶液加入到所述络合物前体中，以形成均匀的前驱体溶液；将所述前驱体溶液加入静电纺丝设备的储液器中，进行纺丝；将收集到的纺丝进行退火处理，以形成稀土元素掺杂的铌镁酸铅-钛酸铅微纳米纤维。本发明的RE-PMN-PT多晶微纳米纤维具有优良的压电性能。
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公开(公告)号：CN115001489B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202210600105.5
申请日：2022-05-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于数模混合电路领域，具体提供一种低噪声毫米波小数分频综合器锁相环结构，用以克服在传统基于时间误差放大器(TA)的锁相环结构中因TA动态范围较小且具有较大的非线性而恶化锁相环带内的量化噪声并产生分数分频杂散的问题；本发明在传统结构的基础上还包括：粗数字时间转换器(CDTC)、细数字时间转换器(FDTC)与数字时间转换器预失真校准电路；通过在时间误差放大器前后分别插入粗数字时间转换器与细数字时间转换器缩小时间误差放大器输入相位差的方差，以提高时间误差放大器的线性度，同时抑制分数分频产生的量化噪声；通过采用阈值优值DTC自适应预失真，降低杂散同时保持DTC的量化噪声的二阶整形。
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公开(公告)号：CN118041245A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202310854175.8
申请日：2023-07-11
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于射频毫米波集成电路领域，具体提供了一种采用开关切换的电磁耦合四核六模倍频程压控振荡器，以解决目前难以在保持低相位噪声和较高FoM值的前提下实现超宽带，尤其是倍频程压控振荡器的设计问题。本发明采用四个相同的Class‑D型压控振荡器作为核心单元，引入两个开关电感Lm1和Lm2及其开关SWm1和SWm2，四个耦合电容Cm1、Cm2、Cm3、Cm4，四个模式切换开关包括两个用于磁耦合调节的SW1、SW2，以及两个用于电耦合调节的SW3、SW4，通过控制开关电感开关和模式切换开关来改变核心单元中等效电感和等效电容的大小，进而控制本发明压控振荡器的工作模式。在每一个工作模式下，压控振荡器的四个核心单元同时工作，在实现宽带倍频程目标的同时也能够一定程度上提升压控振荡器的相位噪声性能。
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公开(公告)号：CN117856746A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311777453.0
申请日：2023-12-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于射频集成电路领域，具体提供一种基于方波调制的线性化数字功率放大电路，用以解决数字功率放大器所面临的幅度失真和相位失真问题。本发明利用相位产生与选择模块产生调制方波，调制方波的脉宽以优化数字功率放大器的幅度，调制方波的延时以优化数字功率放大器的相位，最终改善数字功率放大器的幅度失真与相位失真，进而显著提升数字功率放大电路的线性度；具体而言，在2.4GHz的工作频率处，传统电流型数字功率放大器具有5.65dB的最大幅度失真、149.4°的最大相位失真，而本发明提供的基于方波调制的线性化数字功率放大电路仅具有1.31dB的最大幅度失真、3.4°的最大相位失真，对数字功率放大器具有明显的线性度提升效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113929313B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202111207397.8
申请日：2021-10-18
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种三维导电纳米棒及其阵列电子传输层的制备方法，包括以下步骤：将基底依次置于不同溶剂中超声处理，得到洁净的基底；将二氯化锡与二氯化锌混合均匀后置于坩埚中；将此坩埚转移到加热装置中得到二氧化锡基底；将二氧化锡基底超声处理，之后经洗涤、干燥得到三维二氧化锡纳米棒阵列基底；将二氯化锡与三氯化锑混合均匀后置于坩埚中；将得到的沉积有二氧化锡纳米棒阵列基底置于坩埚上，将此坩埚加热；将坩埚上的基底置于稀盐酸中加热超声处理得到三维导电纳米棒阵列。本发明提出采用两步化学气相沉积法，在氟掺杂二氧化锡导电玻璃上制备锑掺杂的二氧化锡三维纳米棒导电阵列，将其用作为钙钛矿太阳能电池的电子传输层。
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公开(公告)号：CN114844473A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210375284.7
申请日：2022-04-11
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于射频集成电路领域，具体提供一种采用补偿电容技术的双控制位型可变增益放大器，用以解决如何在宽频带范围内实现低相位误差的增益调节这一大难题。本发明基于差分cascode型的电路结构实现，包括：差分cascode结构放大器与匹配网络；通过在单级电路的共栅管(M2、M4)的源极与漏极之间引入补偿电容C_comp、使得补偿后共栅管的源漏电容Cds2(Cds2+C_comp)与共源管栅漏电容(Cgd1)相同，再通过在单级电路的共源共栅管(M1/M2、M3/M4)的中间结点引入了到地的补偿电感L_comp、抵消了该结点的总电容，最终达到增益可调、相位不变的效果，即实现在宽频带范围内实现低相位误差的增益调节。
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公开(公告)号：CN113810022A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111003549.2
申请日：2021-08-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03H11/16
Abstract: 本发明属于射频集成电路领域，提供一种基于X型反相器的5比特矢量调制型移相器，应用于150～170GHz频段。本发明中输入信号进入90°电桥，90°电桥输出两路正交信号，两路正交信号分别依次经过一个可变增益放大器与一个X型反相器后，由威尔金森功率合成器中完成矢量合成后输出；本发明提出X型反相器，具有面积更小、相位误差更小的优点，并且基于该X型反相器实现对两路正交信号的相位控制，同时通过可变增益放大器实现两路正交信号的幅度控制，最终控制输出信号的相位，实现全360°范围、11.25°步进的移相效果；基于此，本发明提供的移相器在目标频段能够实现精确移相，同时显著降低了移相器的面积与RMS移相误差。
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公开(公告)号：CN113764121A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202111112702.5
申请日：2021-09-18
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种锑掺杂二氧化锡导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：S1取一基底经多种溶剂依次超声处理后，得到洁净基底；S2将二氯化锡与三氯化锑混合均匀后置于坩埚中；S3将经S1步骤后得到的洁净基底置于S2步骤的坩埚中，将坩埚转移到加热装置中，保持恒定速度升温至指定温度保温一定时间后将加热装置降至室温；S4将S3步骤处理后的洁净基底置于稀盐酸溶液中超声处理后洗涤、干燥得到锑掺杂二氧化锡导电薄膜。本发明的锑掺杂二氧化锡导电薄膜的制备方法简单、易行、可控且成本低，利于大规模生产。本发明主要通过调控前驱体二氯化锡与三氯化锑的质量比，获得不同电导率的锑掺杂二氧化锡导电薄膜。
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公开(公告)号：CN110635667B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201910828212.1
申请日：2019-09-03
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于移动通信领域，具体为一种用于提高功率放大器效率的高效率宽带电源调制器，用于解决传统混合型电源调制器难以满足更高信号带宽下实现高效率、低输出纹波的需求、以及滞回控制环路工作在很高频率范围(VHF,30‑300MHz)的电流检测问题。本发明电源调制器包括：线性放大器、电容型电流积分检测电路、滞回控制器、驱动级及三电平开关变换器，采用电容型电流积分检测方式，三电平降压型变换器与宽带线性放大器并联工作，滞回控制混合型电源调制器结构。本发明电源调制器在更高信号带宽下实现高效率、低输出纹波，能够满足第四代(4G)、第五代(5G)移动通信系统对射频前端的需求。
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