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公开(公告)号：CN104617880B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201510008723.0
申请日：2015-01-08
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了利用共面传输线的太赫兹二倍频器，包括基波输入波导和主体波导，基波输入波导与主体波导连通；主体波导的内腔底面设置有介质基板，介质基板的左端伸出主体波导后延伸进基波输入波导内，介质基板上设置有下表面与介质基板上表面齐平的共面波导传输线，共面波导传输线包括从左到右依次连接的短路传输线、一级连接传输线、匹配传输线、输出波导匹配传输线、直流偏置低通滤波器，还包括输出波导，输出波导与主体波导交叉连接，输出波导与主体波导的重合区域为区域M，输出波导匹配传输线设置在区域M内；输出波导的左侧设置有2个共面传输线接地传输线，还包括倒贴的四管芯倍频二极管。
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公开(公告)号：CN104362416B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201410699899.0
申请日：2014-11-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/208
Abstract: 本发明公开了椭圆孔截断金属膜片及其构成的E面波导滤波器，椭圆孔截断金属膜片，包括一个矩形的金属膜片，金属膜片开有4个椭圆形通孔，椭圆形通孔的长轴为a，椭圆形通孔的短轴为b，b的取值小于或等于金属膜片的宽边长度，4个椭圆形通孔依次分别为椭圆孔A、椭圆孔B、椭圆孔C、椭圆孔D，金属膜片的左端设置有左裂缝、左裂缝与椭圆孔A连通，金属膜片的右端设置有右裂缝，右裂缝与椭圆孔D连通，椭圆孔A左侧的金属膜片形成前截断金属膜片，椭圆孔D右侧的金属膜片形成后截断金属膜片。比现有技术该发明的带内波纹更小、高频抑制性能更好。
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公开(公告)号：CN105205211B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201510514653.6
申请日：2015-08-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种表面通道型混频肖特基二极管三维电磁仿真模型建模方法，首先建立二极管层次结构物理模型；然后根据二极管装配工艺在三维模型仿真软件中模拟安装二极管于传输线上；再然后根据传输线和二极管结构设置传输线端口和各二极管波端口，最后将设置好的模型参数与电路仿真参数结合得到三维电磁仿真模型。本发明方法中每个二极管管芯单独设置一个阳极波端口和一个阴极波端口，使实际二极管，二极管三维电磁仿真模型，二极管电路SPICE参数模型三者保持一致，相较于现有模型更接近实际工作情况；并且本发明建模方法中二极管波端口形状及尺寸能够根据二极管结构进行调整，使得本发明该建模方法适用于200GHz‑500GHz多种表面通道型混频肖特基二极管。
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公开(公告)号：CN105207625A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510643991.X
申请日：2015-10-08
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03D7/16
Abstract: 本发明公开了一种宽频带太赫兹谐波混频器，包括空腔结构、射频波导、本振波导，空腔结构横穿射频波导和本振波导，在空腔结构内设置有石英基片，在石英基片的正表面设置有去除砷化镓衬底的肖特基二极管对，肖特基二极管对包括2个对称的二极管，2个二极管的正面均具有金属阳极，2个二极管分别为二极管A和二极管B，还包括设置在石英基片上的前端电路和后端电路，其中，二极管A的金属阳极的正面设置有金丝A，金丝A与前端电路连接，二极管B的金属阳极的正面设置有金丝B，金丝B与后端电路连接。
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公开(公告)号：CN105141260A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510514513.9
申请日：2015-08-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03D7/16
Abstract: 本发明提供一种420GHz十次谐波混频器，包括依次连接的射频输入波导、射频波导-悬置微带过渡结构、二极管、射频抑制低通滤波器、本振波导-悬置微带过渡结构、本振输入波导、中频滤波器，射频信号由射频输入波导输入，经过射频波导-悬置微带过渡结构耦合馈入二极管；所述中频滤波器、本振波导-微带过渡结构、本振输入波导共同构成本振-中频双工器，本振信号由本振输入波导输入，依次经过双工器、射频抑制低通滤波器后馈入二极管，所述二极管内对射频信号与本振信号进行混频并输出混频信号；所述射频抑制低通滤波器为宽阻带的9阶CMRC低通滤波器。本发明采用十次谐波混频形式，大大降低了本振频率，同时采用9阶CMRC低通滤波器有效减短电路尺寸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104579176A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510006331.0
申请日：2015-01-07
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03D7/02
Abstract: 本发明公开了基于共面波导传输线的分谐波混频器，主空气腔的内底面设置有介质基板，介质基板上设置有耦合探针、共面波导传输线、本振匹配线、微带传输线，共面波导传输线包括从左到右依次连接的匹配线、第一横向传输线、本振低通滤波匹配线，耦合探针与匹配线的左端连接，微带传输线包括从左到右依次连接的第二横向传输线、中频低通滤波匹配线，共面波导传输线还包括2个分别位于匹配线两侧的接地线，2个接地线都与主空气腔的内壁连接；还包括平面肖特基反向并联混频二极管，其中一个混频二极管的欧姆接触层与匹配线远离介质基板的正面连接，另外一个混频二极管的欧姆接触层与接地线远离介质基板的正面连接。
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公开(公告)号：CN104377418A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410618631.X
申请日：2014-11-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于集成技术的太赫兹多功能器件包括太赫兹二倍频器、太赫兹谐波混频器。其结构从左到右依次为：输入基波波导微带过渡、微带线短路面、四管芯倍频二极管、本振匹配电路、混频二极管、射频匹配电路、输入射频波导微带过渡、中频低通滤波器。减少了介质基片的个数使电路集成在一个基片上，这样还减少了腔体的加工数目，使加工装配简单，另一方面该发明减少了波导过渡的设计与加工，减小了腔体尺寸。
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公开(公告)号：CN104362421A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410618596.1
申请日：2014-11-06
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P5/12
Abstract: 本发明公开了一种单基片集成的太赫兹前端，包括介质基板、输入波导微带过渡、微带空气腔，微带空气腔就是指上述空气腔。从左到右依次是输入波导微带过渡（标准波导口WR-15）、CMRC结构微带低通滤波器、并联双倍频二极管、倍频匹配枝节、本振带通滤波器、混频匹配枝节、混频二极管、射频波导微带过渡（标准波导WR-2.2）、中频低通滤波器。减少了介质基片的个数使电路集成在一个基片上，这样还减少了腔体的加工数目，使加工装配简单，另一方面该发明减少了波导过渡的设计与加工，减小了腔体尺寸。
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公开(公告)号：CN104660171B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201510006359.4
申请日：2015-01-07
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03D7/02
Abstract: 本发明公开了一种改进型基于共面波导传输线的分谐波混频器，主空气腔的内底面设置有介质基板，介质基板上设置有耦合探针、共面波导传输线、本振匹配线、微带线结构，共面波导传输线包括从左到右依次连接的匹配线、第一横向传输线、本振低通滤波匹配线，微带线结构包括从左到右依次连接的第二横向传输线、第三横向传输线、第四横向传输线、中频低通滤波匹配线；共面波导传输线还包括2个分别位于匹配线两侧的接地线，2个接地线都与主空气腔的内壁连接；还包括平面肖特基反向并联混频二极管，其中一个混频二极管的欧姆接触层与匹配线远离介质基板的正面连接，另外一个混频二极管的欧姆接触层与接地线远离介质基板的正面连接。
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公开(公告)号：CN104600403B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201510008722.6
申请日：2015-01-08
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/213
Abstract: 本发明公开了基于共面波导传输线的太赫兹三倍频器，包括三个波导，分别是基波输入波导、输出波导、主体波导，设置主体波导内的介质基板，介质基板上采用共面波导传输线以集成的方式设置的电气结构，这些电气结构从左到右分别为：直流偏置低通滤波器、输入匹配传输线、基波低通滤波器、基波匹配传输线、三次谐波匹配传输线、三级匹配传输线、四级匹配传输线、输出匹配传输线，利用共面波导接地传输线作为接地线。采用共面波导传输线代替传统的微带线和悬置微带线来设计三倍频器的外围无源电路，在电路内直接与腔体壁连接实现射频地和直流回路，基波输入双工器的方式将直流偏置和其他电路同时设计，减少后续的装配步骤，使电路结构易于加工和装配。
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