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公开(公告)号:CN106229591B
公开(公告)日:2019-11-05
申请号:CN201610816508.8
申请日:2016-09-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/203
Abstract: 该发明公开了一种小型化太赫兹低通滤波器,属于一种滤波器,特别是太赫兹低通滤波器。本发明将开口环(SRR)结构引入到低通滤波器设计中,并对其改进实现SRR结构的串并联最终实现宽的高频抑制阻带,用SRR结构实现的低通滤波器展示了良好的低通滤波特性。由于SRR结构通过调节很少的变量即可控制滤波器的通带,且所使用的线宽一致且可以调控,这样降低了设计和加工的难度。与阶跃型结构和带隙能结构构成的低通滤波器相比,在相同的阻带抑制特性下,开口环低通滤波器有更小尺寸和更宽的阻带。
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公开(公告)号:CN105141260B
公开(公告)日:2018-10-16
申请号:CN201510514513.9
申请日:2015-08-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03D7/16
Abstract: 本发明提供一种420GHz十次谐波混频器,包括依次连接的射频输入波导、射频波导‑悬置微带过渡结构、二极管、射频抑制低通滤波器、本振波导‑悬置微带过渡结构、本振输入波导、中频滤波器,射频信号由射频输入波导输入,经过射频波导‑悬置微带过渡结构耦合馈入二极管;所述中频滤波器、本振波导‑微带过渡结构、本振输入波导共同构成本振‑中频双工器,本振信号由本振输入波导输入,依次经过双工器、射频抑制低通滤波器后馈入二极管,所述二极管内对射频信号与本振信号进行混频并输出混频信号;所述射频抑制低通滤波器为宽阻带的9阶CMRC低通滤波器。本发明采用十次谐波混频形式,大大降低了本振频率,同时采用9阶CMRC低通滤波器有效减短电路尺寸。
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公开(公告)号:CN108649308A
公开(公告)日:2018-10-12
申请号:CN201810459895.3
申请日:2018-05-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P5/12
Abstract: 一种改进型太赫兹分支波导耦合器,涉及定向分支波导耦合器领域。所述太赫兹分支波导耦合器中,第二电磁场通道位于第一金属隔栅和第二金属隔栅之间,第一金属隔栅靠近主通道和第二电磁场通道的一端形成第一耦合内圆角,靠近耦合通道和第二电磁场通道的一端形成第三耦合内圆角,第二金属隔栅靠近主通道和第二电磁场通道的一端形成第二耦合内圆角,靠近耦合通道和第二电磁场通道的一端形成第四耦合内圆角。本发明在第二电磁场通道两边的金属隔栅上形成4个内圆角,增大了第二电磁场通道的耦合系数,在保证与普通5分支线结构耦合器相同甚至更好性能的基础上,将分支波导结构最窄耦合通道的宽度提升至0.3mm级,大大降低了加工难度和成本。
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公开(公告)号:CN104362421B
公开(公告)日:2017-01-25
申请号:CN201410618596.1
申请日:2014-11-06
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P5/12
Abstract: 本发明公开了一种单基片集成的太赫兹前端,包括介质基板、输入波导微带过渡、微带空气腔,微带空气腔就是指上述空气腔。从左到右依次是输入波导微带过渡(标准波导口WR-15)、CMRC结构微带低通滤波器、并联双倍频二极管、倍频匹配枝节、本振带通滤波器、混频匹配枝节、混频二极管、射频波导微带过渡(标准波导WR-2.2)、中频低通滤波器。减少了介质基片的个数使电路集成在一个基片上,这样还减少了腔体的加工数目,使加工装配简单,另一方面该发明减少了波导过渡的设计与加工,减小了腔体尺寸。
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公开(公告)号:CN106299561A
公开(公告)日:2017-01-04
申请号:CN201610816273.2
申请日:2016-09-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/203
CPC classification number: H01P1/203
Abstract: 本发明公共了一种利用开口环的低通滤波器,属于滤波器领域,特别是利用开口环的低通滤波器。本发明包括空气腔、设置于空气腔中的介质基板、设置于介质基板上的微带线;所述微带线包括:输入段、中间段、输出段,所述各段微带线都为对称结构,其中输入段包括:输入馈电微带线、与输入馈电微带线连接的第一“凹”形支节,该“凹”形支节开口方向为输出段方向;所述输出段微带线包括:输出馈电微带线、与输出馈电微带线连接的第二“凹”形支节,该“凹”形支节开口方向为输入段方向;所述中间段包括:连接输入段与输出段的横向支节、该横向支节上设置的两组“T”形支节,每组包括以该横向支节为对称轴的两个“T”形支节。解决了现有技术中低通滤波器结构复杂、加工困难、尺寸偏大的问题。
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公开(公告)号:CN105048967A
公开(公告)日:2015-11-11
申请号:CN201510514409.X
申请日:2015-08-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03D7/16
Abstract: 本发明提供一种340GHz八次谐波混频器,包括射频输入波导、射频波导-悬置微带过渡结构、二极管、射频抑制低通滤波器、悬置微带-微带互联结构、中频滤波器、本振波导-微带过渡结构、本振输入波导;射频信号由射频输入波导输入,经过射频波导-悬置微带过渡结构耦合馈入二极管;所述中频滤波器、本振波导-微带过渡结构、本振输入波导共同构成本振-中频双工器,本振信号依次经过双工器、悬置微带-微带互联结构、射频抑制低通滤波器后馈入二极管,所述二极管内对射频信号与本振信号进行混频并输出混频信号。本发明采用八次谐波混频形式,大大降低了本振频率,同时有效减小混频器尺寸、减低加工难度及成本。
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公开(公告)号:CN104660171A
公开(公告)日:2015-05-27
申请号:CN201510006359.4
申请日:2015-01-07
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03D7/02
Abstract: 本发明公开了一种改进型基于共面波导传输线的分谐波混频器,主空气腔的内底面设置有介质基板,介质基板上设置有耦合探针、共面波导传输线、本振匹配线、微带线结构,共面波导传输线包括从左到右依次连接的匹配线、第一横向传输线、本振低通滤波匹配线,微带线结构包括从左到右依次连接的第二横向传输线、第三横向传输线、第四横向传输线、中频低通滤波匹配线;共面波导传输线还包括2个分别位于匹配线两侧的接地线,2个接地线都与主空气腔的内壁连接;还包括平面肖特基反向并联混频二极管,其中一个混频二极管的欧姆接触层与匹配线远离介质基板的正面连接,另外一个混频二极管的欧姆接触层与接地线远离介质基板的正面连接。
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公开(公告)号:CN109687087B
公开(公告)日:2020-09-22
申请号:CN201811593891.0
申请日:2018-12-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种精确高效的太赫兹分支波导定向耦合器建模方法,该方法利用模式匹配法(mode matching method,MMM)将分支结构不连续性所引入的对耦合器场分布造成的影响考虑在内,同时结合奇偶模分析法(odd and even mode analysis),进一步简化了推导过程,最终得到了一个精简、精确的耦合度计算公式,并由公式得到了一个新的结论:对于分支波导定向耦合器,当工作频率确定时,其耦合度由其分支宽度的和所决定。本发明的建模方法具有简洁的特点,与传统建模方法相比,可大大缩短建模的时间,提高建模的效率。同时,本发明的建模方法具有普适性的特点。
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公开(公告)号:CN108736117B
公开(公告)日:2020-02-18
申请号:CN201810523354.2
申请日:2018-05-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/203
Abstract: 一种具有超宽阻带的毫米波带通滤波器,下层微带线结构中采用高低阻抗级联的开路枝节,可利用高低阻抗微带线的低通特性对高频信号产生传输零点;上层微带线结构中采用阶梯阻抗级联的开路枝节,可实现更好的宽带匹配,得到低插入损耗、过渡带陡峭、超宽阻带、群时延低的超宽带滤波器。同时,上层微带线中阶梯阻抗微带线的长度与下层微带线中高低阻抗微带线的长度不等,这种非对称的结构不仅能满足上、下层微带线与中间的槽线谐振器良好的匹配,还能在滤波器通带内增加传输极点,在滤波器高频阻带内增加传输零点,使得滤波器通带内纹波较好,具有良好的过渡带和较好的阻带性能。
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公开(公告)号:CN107370458A
公开(公告)日:2017-11-21
申请号:CN201710631383.6
申请日:2017-07-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03D7/14
CPC classification number: H03D7/1408
Abstract: 一种基于单片集成技术的太赫兹混频电路,包括射频3dB分支波导定向耦合器、本振135度相移3dB分支波导定向耦合器、同轴探针、中频耦合环、中频信号和两个太赫兹分谐波混频器,所述太赫兹分谐波混频器包括射频波导-微带过渡、单片集成肖特基二极管对、本振波导-微带过渡、中频滤波器和本振低通滤波器;其中,所述单片集成肖特基二极管对为反向并联的二极管对。本发明太赫兹混频电路中的谐波混频器采用半导体技术得到,可精确控制二极管位置以及微带电路的尺寸,误差远小于人工装配,极大地减小了装配误差对混频电路性能的影响;同时,该混频电路可有效消除本振噪声,提高了系统的噪声性能和效率。
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