用于磨削背面的胶粘片及半导体晶片的制造方法

    公开(公告)号:CN113165136A

    公开(公告)日:2021-07-23

    申请号:CN202080006585.1

    申请日:2020-02-21

    Abstract: 提供一种用于磨削背面的胶粘片,能够适当保护设于半导体晶片的凸部的同时可适当进行背面磨削。根据本发明,提供一种用于磨削具有凸部的半导体晶片的背面的胶粘片,其具备非粘合性的垫层以及设于上述垫层上的粘合剂层,上述粘合剂层具有直径小于上述半导体晶片直径的开口部,上述半导体晶片的外周部以上述半导体晶片的凸部配置于上述开口部内的方式粘贴于上述粘合剂层,在上述半导体晶片粘贴于上述粘合剂层的状态下,上述凸部被上述垫层保护的方式构成,满足以下条件(1)~(2)中至少一项:(1)上述垫层是根据JIS Z 1702使用哑铃冲模,构成为以标记线之间距离40mm、拉伸速度300mm/min拉长25%时的拉伸应力为2~30N/10mm;(2)上述垫层由熔体流动速率(JIS K 7210、125℃/10.0kg荷重)为0.2~30g/10min、熔点为60~110℃的热塑性树脂构成。

    粘合片、电子部件的制造方法

    公开(公告)号:CN106488963B

    公开(公告)日:2020-02-28

    申请号:CN201580037940.0

    申请日:2015-07-06

    Abstract: 提供了在切割工序中可以抑制粘合剂的刮起,在切割加工中芯片不飞散,容易拾取,不易产生残胶的粘合片。根据本发明,提供一种在基材膜上层叠粘合剂层而成的粘合片,其特征在于,构成所述粘合剂层的成分为(甲基)丙烯酸酯共聚物100质量份、光聚合性化合物5~250质量份、柔性赋予剂20~160质量份、固化剂0.1~30质量份和光聚合引发剂0.1~20质量份,所述光聚合性化合物的重均分子量为40000~220000。

    切割胶带
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107112221A

    公开(公告)日:2017-08-29

    申请号:CN201680004665.7

    申请日:2016-01-05

    Inventor: 津久井友也

    Abstract: 本发明提供一种即使是小型、薄型的电子部件也能够抑制切割工序中的芯片飞散和崩裂,能够使拾取容易且不易产生残胶的切割胶带。根据本发明,提供一种切割胶带,其是在基材膜上层叠由粘合剂组合物构成的粘合剂层而形成的,其特征在于,上述粘合剂组合物含有(甲基)丙烯酸酯共聚物100质量份、光聚合性化合物5~250质量份、固化剂0.1~20质量份和光聚合引发剂0.1~20质量份,上述(甲基)丙烯酸酯共聚物含有(甲基)丙烯酸甲酯单元35~85质量%、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯单元10~60质量%、具有羧基的单体单元0.5~10质量%以及具有羟基的单体单元を0.05~5质量%,上述光聚合性化合物是重均分子量为4000~8000,且不饱和双键官能团数为10~15的聚氨酯丙烯酸酯低聚物,上述粘合剂层的厚度为3~7μm。

    粘合片、电子部件的制造方法

    公开(公告)号:CN106488963A

    公开(公告)日:2017-03-08

    申请号:CN201580037940.0

    申请日:2015-07-06

    Abstract: 提供了在切割工序中可以抑制粘合剂的刮起,在切割加工中芯片不飞散,容易拾取,不易产生残胶的粘合片。根据本发明,提供一种在基材膜上层叠粘合剂层而成的粘合片,其特征在于,构成所述粘合剂层的成分为(甲基)丙烯酸酯共聚物100质量份、光聚合性化合物5~250质量份、柔性赋予剂20~160质量份、固化剂0.1~30质量份和光聚合引发剂0.1~20质量份,所述光聚合性化合物的重均分子量为40000~220000。

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