公开(公告)号：CN118039586A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202311231209.4

申请日：2023-09-22

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 小泽航大 ,  中西翔

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/48 ,  H01L21/48

Abstract: 本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件的制造方法包括：(a)制备第一导电类型的半导体衬底，该半导体衬底具有上表面和下表面；(b)在(a)之后，在半导体衬底的上表面上形成层间介电膜；(c)在(b)之后，在层间介电膜上形成基膜；(d)在(c)之后，在基膜上形成第一导电膜；(e)在(d)之后，将第一导电膜图案化以形成第一布线以及与第一布线相邻的第二布线；以及(f)在(e)之后，去除位于第一布线和第二布线之间的基膜。构成基膜的材料不同于构成第一导电膜的材料。

公开(公告)号：CN116631856A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202211684551.5

申请日：2022-12-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中西翔 ,  小泽航大

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/43 ,  H01L29/417

Abstract: 本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。公开了一种用于增强半导体衬底与覆盖其背表面的背表面电极之间的粘附性的技术。特别地，该增强粘附性技术包括：提供具有主表面和与主表面相对的背表面的半导体衬底SB，背表面包括n型硅；在半导体衬底SB的背表面上形成第一金属层，第一金属层包括镍和钒，钒的热扩散系数小于镍的热扩散系数；对半导体衬底执行热处理，以使半导体衬底中包含的硅与第一金属层中包含的镍反应以形成与半导体衬底的背表面接触的NiSiV；以及在NiSiV层上形成包含钛的第二金属。

公开(公告)号：CN107046057B

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN201710060910.2

申请日：2017-01-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中西翔

IPC: H01L29/40 ,  H01L27/082 ,  H01L21/8222

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。提供了具有改善的击穿电压和减小的耐压泄漏电流的高度可靠的半导体器件。中间电阻场板包括第一中间电阻场板和多个第二中间电阻场板，所述第一中间电阻场板的一端耦合到内周侧电阻场板，另一端耦合到外周侧电阻场板。第一中间电阻场板具有平面图案，所述平面图案配备有多个第一部分，所述多个第一部分在将所述内周侧电阻场板与所述外周侧电阻场板连接的第一方向上彼此分离并且在与所述第一方向正交的第二方向上直线延伸，并且所述平面图案沿着所述第二方向重复往复。所述第二中间电阻场板均与所述第一部分的一侧的第一端部连接并且具有曲率地延伸。