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公开(公告)号：CN111033721A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201780094075.2
申请日：2017-11-14
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L21/336 , H01L27/088 , H01L29/78
Abstract: 在一实施方式的半导体器件中，将构成模拟电路的场效应晶体管形成于其上的SOI衬底的半导体层的厚度设置为2nm以上且24nm以下。
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