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公开(公告)号：CN117413347A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202280039266.X
申请日：2022-03-25
Applicant: 琳得科株式会社
Inventor： 田村和幸
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明的技术问题在于：提供一种即使在通过DBG等对晶圆进行薄化加工的情况下，加工晶圆时所产生的静电也会充分地受到抑制，且在进行剥离时，芯片的裂纹的产生受到抑制的半导体加工用保护片；以及提供一种使用了该半导体加工用保护片的半导体装置的制造方法。作为解决手段，所述半导体加工用保护片具有基材、抗静电层、能量射线固化性的粘着剂层及缓冲层，能量射线固化后的粘着剂层的表面电阻率为5.1×1012Ω/cm2以上且1.0×1015Ω/cm2以下。
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公开(公告)号：CN115873525A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211184038.X
申请日：2022-09-27
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/29 , C09J7/30 , C09J133/08 , C09J175/14 , C09J11/06 , C09D153/02 , C09D123/14 , C09D183/07 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及半导体加工用粘合片及使用该半导体加工用粘合片的半导体装置的制造方法，所述半导体加工用粘合片依次具有表面涂层、缓冲层、基材及粘合剂层，上述表面涂层相对于SUS304的静摩擦系数为0.70以下。
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公开(公告)号：CN113471129A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110240424.5
申请日：2021-03-04
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种即使通过DBG等对具有凹凸的半导体晶圆进行减薄加工时也能充分追随晶圆的凹凸并能够抑制研磨后芯片产生裂纹、且可抑制剥离时产生残胶的半导体加工用保护片。该半导体加工用保护片为具有基材、且在基材的一个主面上依次具有中间层和粘着剂层的半导体加工用保护片，中间层及粘着剂层为能量射线固化性，50℃时的能量射线固化前的半导体加工用保护片的杨氏模量为600MPa以上。
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公开(公告)号：CN107078042A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580055315.9
申请日：2015-10-21
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/304 , B32B27/00 , B32B27/18 , C09J7/02 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6835 , B32B27/00 , B32B27/18 , C08K2201/001 , C09J7/20 , C09J7/25 , C09J7/29 , C09J7/38 , C09J2201/602 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , C09J2463/006 , C09J2475/006 , G06K19/077 , H01L21/304 , H01L21/683 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834
Abstract: 本发明提供一种可抑制片材剥离后的晶圆弯曲，具有充分的抗静电性能的表面保护用片材。本发明的表面保护用片材，在进行表面形成有电路的半导体晶圆的背面研磨时使用，其中，该表面保护用片材具有：基材，其由抗静电涂层及支撑膜所构成，所述抗静电涂层含有无机导电性填料与固化性树脂(A)的固化物；及粘着剂层。在延展10％时经过1分钟后的基材的应力松弛率为60％以上，基材的杨氏模量为100～2000MPa。
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公开(公告)号：CN117413349A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202280039287.1
申请日：2022-03-25
Applicant: 琳得科株式会社
Inventor： 田村和幸
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种半导体加工用保护片，并提供一种使用了该半导体加工用保护片的半导体装置的制造方法，该半导体加工用保护片即使在背面研磨后的晶圆较薄的情况下，也可抑制晶圆在剥离半导体加工用保护片时发生破损，并充分抑制了加工晶圆时所产生的静电。所述半导体加工用保护片具有：基材、抗静电层及能量射线固化性的粘着剂层，将能量射线固化后的粘着剂层以剥离速度为600mm/分且所述粘着剂层与硅晶圆所呈的角度为90°的方式从所述硅晶圆上剥离时的粘着力为0.035N/25mm以上且小于0.15N/25mm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117413348A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202280039284.8
申请日：2022-03-25
Applicant: 琳得科株式会社
Inventor： 田村和幸
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明的技术问题在于：提供一种即使在通过DBG等对晶圆进行薄化加工的情况下，加工晶圆时所产生的静电也会充分地受到抑制，且在进行剥离时，芯片的裂纹的产生受到抑制的半导体加工用保护片；以及提供一种使用了该半导体加工用保护片的半导体装置的制造方法。作为解决手段，所述半导体加工用保护片具有基材、抗静电层及能量射线固化性的粘着剂层，能量射线固化后的粘着剂层的表面电阻率为5.1×1012Ω/cm2以上且1.0×1015Ω/cm2以下。
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公开(公告)号：CN117015843A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202280018389.5
申请日：2022-01-19
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301
Abstract: 本发明的技术问题在于提供一种在剥离粘着胶带时可以抑制芯片的裂纹的半导体加工用粘着胶带。其解决手段为一种半导体加工用粘着胶带，其为具有基材与粘着剂层的粘着胶带，其中，在将所述粘着胶带的一面暴露于大气气氛的状态下，以照度为220mW/cm2及光量为500mJ/cm2的条件对粘着胶带照射紫外线后的该粘着剂层的暴露面的表面弹性模量为5MPa以上。
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公开(公告)号：CN116941017A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202280017571.9
申请日：2022-01-19
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301
Abstract: 本发明的技术问题在于提供一种在剥离粘着胶带时可以抑制芯片的裂纹的半导体加工用粘着胶带。其解决手段为一种半导体加工用粘着胶带，其为具有基材与粘着剂层的粘着胶带，其中，在将所述粘着胶带的一面暴露于大气气氛的状态下，以照度为220mW/cm2及光量为500mJ/cm2的条件对所述粘着胶带照射紫外线，在23℃、50％RH下将PMMA板以用2kg辊往返一次的条件贴附于该粘着剂层的暴露面并放置30分钟之后，对该粘着胶带进行180°剥离时的剥离强度为1600mN/25mm以下。
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公开(公告)号：CN116918038A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202180094835.6
申请日：2021-10-14
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明涉及半导体加工用粘合片、以及使用该半导体加工用粘合片的半导体装置的制造方法，所述半导体加工用粘合片依次具有表面涂层、缓冲层、基材及粘合剂层，所述表面涂层是含有聚烯烃类树脂的层。
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公开(公告)号：CN113921407A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202110771360.1
申请日：2021-07-08
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/50 , H01L21/683
Abstract: 片材粘贴方法是将粘接片材(AS)粘贴在具有电路区域(WK3)的被粘接体(WK)上的片材粘贴方法，其实施如下工序：开口部形成工序，其在粘接片材(AS)上形成开口部(AS1)；粘贴工序，其使开口部(AS1)与电路区域(WK3)对应，以粘接片材(AS)不粘贴在电路区域(WK3)上的方式将该粘接片材(AS)粘贴在被粘接体(WK)上；在开口部形成工序中，对粘接片材(AS)赋予规定的能量，与电路区域(WK3)的形状一致地形成开口部(AS1)。
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