公开(公告)号：CN111149192B

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN201880063344.3

申请日：2018-11-27

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 小笠原孝文 ,  坂本美纱季 ,  佐伯尚哉

IPC: H01L21/301 ,  C09J133/04

Abstract: 本发明为一种工件加工用片，其具备基材与层叠于所述基材的单面侧的粘着剂层，在所述粘着剂层内的位置中，在距所述粘着剂层的与所述基材为相反侧的面的深度为100nm的位置处，利用X射线光电子能谱分析所测定的氧原子比率为20原子％以上、29原子％以下。该工件加工用片可边抑制水渗入至工件加工用片与被切断物的界面或工件加工用片与所得到的芯片的界面，边利用流水良好地从被切断物上去除在加工半导体晶圆等被切断物时附着于该被切断物的源自粘着剂层的粘着剂。

公开(公告)号：CN111164737B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN201880063268.6

申请日：2018-11-27

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 小笠原孝文 ,  坂本美纱季 ,  佐伯尚哉

IPC: H01L21/301 ,  C09J133/04

Abstract: 本发明为一种工件加工用片，其具备基材与粘着剂层，所述粘着剂层由含有丙烯酸类共聚物的粘着剂组合物所形成的活性能量射线固化性粘着剂构成，所述丙烯酸类共聚物包含(甲基)丙烯酸烷氧基酯，关于所述工件加工用片对硅晶圆的粘着力F1，以及将所述工件加工用片在23℃的蒸馏水中浸渍12小时，进一步以23℃干燥24小时后的所述工件加工用片对硅晶圆的粘着力F2，由粘着力的减小率(％)＝{(F1‑F2)/F1}×100计算的粘着力的减小率为20％以上50％以下。该工件加工用片可边抑制水渗入至工件加工用片与被切断物或所得到的芯片的界面，边利用流水良好地从被切断物上去除在加工半导体晶圆等被切断物时附着于该被切断物的源自粘着剂层的粘着剂。

公开(公告)号：CN113471129A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110240424.5

申请日：2021-03-04

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 小笠原孝文 ,  田村和幸

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种即使通过DBG等对具有凹凸的半导体晶圆进行减薄加工时也能充分追随晶圆的凹凸并能够抑制研磨后芯片产生裂纹、且可抑制剥离时产生残胶的半导体加工用保护片。该半导体加工用保护片为具有基材、且在基材的一个主面上依次具有中间层和粘着剂层的半导体加工用保护片，中间层及粘着剂层为能量射线固化性，50℃时的能量射线固化前的半导体加工用保护片的杨氏模量为600MPa以上。

公开(公告)号：CN111149192A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201880063344.3

申请日：2018-11-27

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 小笠原孝文 ,  坂本美纱季 ,  佐伯尚哉

IPC: H01L21/301 ,  C09J133/04

Abstract: 本发明为一种工件加工用片，其具备基材与层叠于所述基材的单面侧的粘着剂层，在所述粘着剂层内的位置中，在距所述粘着剂层的与所述基材为相反侧的面的深度为100nm的位置处，利用X射线光电子能谱分析所测定的氧原子比率为20原子％以上、29原子％以下。该工件加工用片可边抑制水渗入至工件加工用片与被切断物的界面或工件加工用片与所得到的芯片的界面，边利用流水良好地从被切断物上去除在加工半导体晶圆等被切断物时附着于该被切断物的源自粘着剂层的粘着剂。