公开(公告)号：CN106601643B

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201611006135.4

申请日：2016-11-15

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 彭新朝 ,  易冬柏 ,  张亮 ,  徐以军 ,  冯玉明 ,  李建勋 ,  殷惠萍 ,  谢育桦 ,  周佳

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明公开了一种芯片的MOS工艺角的测量方法、装置和系统。其中，该方法包括：检测待测量芯片的驱动电压，其中，驱动电压为待测量芯片的锁相环中电压控制振荡器的输入端电压；判断驱动电压是否处于稳定状态；在驱动电压处于稳定状态时比较驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果，其中，工艺角判断阈值用于区分待测量芯片的工艺角的类型；根据比较结果确定芯片的MOS工艺角。本发明解决了现有测量芯片的MOS工艺角的方法比较复杂的技术问题。

公开(公告)号：CN106601643A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201611006135.4

申请日：2016-11-15

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 彭新朝 ,  易冬柏 ,  张亮 ,  徐以军 ,  冯玉明 ,  李建勋 ,  殷惠萍 ,  谢育桦 ,  周佳

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/14

Abstract: 本发明公开了一种芯片的MOS工艺角的测量方法、装置和系统。其中，该方法包括：检测待测量芯片的驱动电压，其中，驱动电压为待测量芯片的锁相环中电压控制振荡器的输入端电压；判断驱动电压是否处于稳定状态；在驱动电压处于稳定状态时比较驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果，其中，工艺角判断阈值用于区分待测量芯片的工艺角的类型；根据比较结果确定芯片的MOS工艺角。本发明解决了现有测量芯片的MOS工艺角的方法比较复杂的技术问题。

公开(公告)号：CN207074986U

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201721010196.8

申请日：2017-08-11

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 徐以军 ,  彭新朝 ,  张亮 ,  冯玉明 ,  白效宁 ,  殷惠萍 ,  谢育桦 ,  范世荣 ,  王静

IPC: H03B5/04

Abstract: 本实用新型涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种偏置电路、时钟电路、芯片及电子设备。该偏置电路包括：运放电路，用于输入基准电压；第一电流源，用于提供第一电流；开关电路；补偿电路，其连接至第一节点，用于提供第二电流；流经零温度系数电路的第三电流等于第一电流与第二电流之和。由于基准电压不变，并且零温度系数电路的总电阻未受到温度的影响而保持不变，因此，流经零温度系数电路的第三电流是不变的。相对于传统技术，显然，其能够降低计算偏差。并且，补偿电路能够提供第二电流，显然，通过补偿电路的补偿作用，其能够降低外部电源的电压波动或者开关本身的阻抗的干扰而对计算第一电流的影响。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利