公开(公告)号：CN114916228B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202080084740.1

申请日：2020-12-15

Applicant: LT金属株式会社

Inventor： 李孝元 ,  李丞苡 ,  杨丞浩 ,  朴宰成 ,  黄炳辰 ,  张逢中

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明涉及金属氧化物烧结体。本发明作为实施例提供一种氧化物烧结体，由包括MoO2与MoO3的钼氧化物75～90wt％及Nb2O5、Ta2O5、ZrO2、TiO2、SnO2、WO3中至少任意一种成分10％～25wt％混合而成，所述钼氧化物中MoO2的含量为钼氧化物的50～94.1wt％。

公开(公告)号：CN115925414A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211128988.0

申请日：2022-09-16

Applicant: LT金属株式会社

Inventor： 李孝元 ,  李丞苡 ,  黃炳辰 ,  张逢中 ,  田奉埈 ,  秦承铉 ,  朴宰成 ,  杨丞浩

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明涉及低反射、耐化学性及耐热性优秀的氧化钼基烧结体、使用该烧结体的薄膜、包含该薄膜的薄膜晶体管及显示装置。