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公开(公告)号：CN1732396A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200380107710.4
申请日：2003-12-24
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 , 松下电工株式会社
IPC: G02B6/12
CPC classification number: B82Y20/00 , G02B6/12007 , G02B6/1225
Abstract: 在输入波导路径(13)和输出波导路径(14)之间，接近两波导路径，设置了在规定频率的电磁波下共振的共振器(15)的电磁波频率滤波器中，在共振器(15)附近的规定范围(18)中，使输出波导路径(14)与输入波导路径(13)平行，同时，形成输出波导路径，以使在规定范围以外的范围中，输入波导路径(13)与输出波导路径(14)之间的距离比在规定范围(18)内的距离长。该电磁波频率滤波器可使用2维光子结晶最佳地构成。
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公开(公告)号：CN1732395A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200380105064.8
申请日：2003-12-05
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构
IPC: G02B6/12
Abstract: 提供一种平面异质结构二维光子结晶光波分离/合成器，其中，在每个禁带区(301、302、…)，以不同的周期，周期性地排列空孔(32)，通过使空孔(32)线状缺损形成波导路径(33)，在每个禁带区形成点状缺陷(341、342、…)。通过了该点状缺陷的光在禁带区边界(351、352)被反射，通过将其导入指定的点状缺陷，能使从点状缺陷中取出的光的分离效率提高。
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公开(公告)号：CN104040419A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201380005075.2
申请日：2013-03-08
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构
IPC: G02F1/365
CPC classification number: G02B6/1225 , G02B6/13 , G02B6/136 , G02F1/025 , G02F1/365 , G02F2202/10 , G02F2202/32 , G02F2203/15 , H01S3/0635 , H01S3/0637 , H01S3/09415 , H01S3/30
Abstract: 本发明提供一种拉曼散射光增强设备。在半导体基板中形成有空孔(20a)的光子结晶(20)中，相对于入射光具备以多个频率具有共振模式的波导，一个共振模式与另一个共振模式的频率差变成与所述半导体基板的拉曼位移频率相等，并且设定所述半导体基板的结晶方位面中的所述波导的形成方向，以使得通过所述两个共振模式的电磁场分布和所述半导体基板的拉曼张量来表达的拉曼跃迁概率成为最大。
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公开(公告)号：CN100392452C
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200380105064.8
申请日：2003-12-05
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构
IPC: G02B6/293
Abstract: 提供一种平面异质结构二维光子结晶光波分离/合成器，其中，在每个禁带区(301、302、…)，以不同的周期，周期性地排列空孔(32)，通过使空孔(32)线状缺损形成波导路径(33)，在每个禁带区形成点状缺陷(341、342、…)。通过了该点状缺陷的光在禁带区边界(351、352)被反射，通过将其导入指定的点状缺陷，能使从点状缺陷中取出的光的分离效率提高。
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公开(公告)号：CN100363766C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200380104686.9
申请日：2003-12-05
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构
IPC: G02B6/12
CPC classification number: B82Y20/00 , G02B6/12002 , G02B6/1225 , G02F2202/32
Abstract: 本发明提供一种能够控制来自光共振器的光的表背放射比的二维光学晶体。在主体(11)上周期性地设置了空孔(12)的二维光学晶体的表面，载置有由与空气折射率不同的材料制成的折射率构件(13)。这样，在载置了折射率构件(13)的位置上主体(11)和折射率构件(13)相结合而成为光共振器。该光共振器在折射率高的一侧，即在载置了折射率构件的面的一侧，更强烈地放射出光。由此，由配置了折射率构件(13)的面侧放射出的光(191)的强度与由其相反一侧的面侧放射的光(192)的强度相比更强。通过改变折射率构件的折射率、形状、大小，可以控制作为光(191)和光(192)的强度比的表背放射比。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1295826C
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN02813242.4
申请日：2002-07-03
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构
Abstract: 一种包括二维光子晶体的二维光子晶体面发射激光器，具有以二维周期分布的不同折射率的介质，设置在通过注入载流子而发光的活性层附近，其特征在于该二维光子晶体由正方形点阵组成，在垂直方向上具有相等的点阵常数，并且基本点阵由一种正方形形状组成，一种介质作为一个顶点，基本点阵具有关于其两条对角线中的一条非对称分布的折射率，由此发射出恒定偏振方向的光束。
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公开(公告)号：CN1295526C
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN03806742.0
申请日：2003-03-26
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构
CPC classification number: B82Y20/00 , G02B6/12007 , G02B6/122 , G02B6/1225 , H01S5/10 , H01S5/105
Abstract: 一种具有高发光效率的二维光子晶体光学共振器和光学反射器；结构如下，一种二维光子晶体包括：呈板状的主体(11)，由多个具有与主体(11)不同折射率的周期性排布的区域(或孔)(12)形成所述主体。通过提供不钻孔(12)的线性区域形成波导(13)。通过沿波导的纵长方向加长两个孔(12)彼此间隔的距离L形成两个受主型点缺陷(14)。在这种结构中，适当选择距离L抑制在点缺陷(14)处光的反射和传输，同时允许在点缺陷(14)处共振的光有效地发出。适当选择距离L将增大在点缺陷(14)处光的反射率。这使主体(11)可被用作光学共振器，在两个点缺陷(14)之间产生光的共振，或者用作反射器，在两个点缺陷(14)处反射光。
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公开(公告)号：CN1875303A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200480032113.4
申请日：2004-08-26
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 , 松下电工株式会社
IPC: G02B6/12
CPC classification number: G02B6/12007 , B82Y20/00 , G02B6/1225 , G02B2006/12164 , H01P1/2005
Abstract: 在该电磁波频率滤波器中，匹配谐振器41的谐振频率的预定频率的电磁波被通过谐振器41，从输入波导2传输到输出波导3上，并从输出端P3输出。该滤波器具有输入波导侧反射器211和输出波导侧反射器311，其反射预定频率的电磁波。该电磁波频率滤波器满足下述关系：Qinb/(1－cosθ1)＜＜QV；Qinb/(1－cosθ2)＝Qinr/(1－cosθ2)；θ1、θ2≠2Nπ(N＝0，1，...)。其中θ1是被所述输入波导侧反射器211反射而回到所述谐振器附近的电磁波的相移量，θ2是被所述输出波导侧反射器311反射而回到所述谐振器附近的电磁波的相移量，Qinb是在所述谐振器41和所述输入波导2之间的Q因子，Qinr是在所述谐振器41和所述输出波导31之间的Q因子，而QV是在所述谐振器41和自由空间之间的Q因子。
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公开(公告)号：CN1720471A
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN200380104686.9
申请日：2003-12-05
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构
IPC: G02B6/12
CPC classification number: B82Y20/00 , G02B6/12002 , G02B6/1225 , G02F2202/32
Abstract: 本发明提供一种能够控制来自光共振器的光的表背放射比的二维光学晶体。在主体(11)上周期性地设置了空孔(12)的二维光学晶体的表面，载置有由与空气折射率不同的材料制成的折射率构件(13)。这样，在载置了折射率构件(13)的位置上主体(11)和折射率构件(13)相结合而成为光共振器。该光共振器在折射率高的一侧，即在载置了折射率构件的面的一侧，更强烈地放射出光。由此，由配置了折射率构件(13)的面侧放射出的光(191)的强度与由其相反一侧的面侧放射的光(192)的强度相比更强。通过改变折射率构件的折射率、形状、大小，可以控制作为光(191)和光(192)的强度比的表背放射比。
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公开(公告)号：CN116918200A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202280018249.8
申请日：2022-03-04
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人京都大学
IPC: H01S5/11
Abstract: 一种光子晶体面发光激光器，其具备：发光区域，其向与面内方向交叉的方向射出光；以及电流狭窄区域，其在所述面内方向上与所述发光区域相邻，且与所述发光区域相比电流难以在所述电流狭窄区域中流动，所述发光区域以及所述电流狭窄区域具有光子晶体层，所述光子晶体层具有第一区域、以及在所述第一区域内沿所述面内方向周期性配置的第二区域，所述第二区域的折射率与所述第一区域的折射率不同，所述发光区域具有：第一半导体层，其具有第一导电型；有源层，其具有光学增益；以及第二半导体层，其具有第二导电型，所述第一半导体层、所述有源层以及所述第二半导体层在所述光的射出方向上依次层叠。
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