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公开(公告)号：CN104103728A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410382458.8
申请日：2014-08-06
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
CPC分类号： H01L33/38 , H01L2933/0016
摘要： 本申请公开了防止发光二极管芯片电极脱落的加工方法及加工设备，该方法：利用真空镀膜技术蒸镀第一部分厚度的透明导电层，通过光刻将P焊盘下的ITO去除，该ITO区域直径比P主电极直径小3um-10um；制作发光二极管芯片的P电极与N电极；利用真空镀膜技术蒸镀第二部分厚度的透明导电层，通过光刻将P焊盘下的ITO去除，被去除的ITO区域直径比P主电极直径小3um-10um；第一部分厚度与第二部分厚度相加为透明导电层的标准厚度；进行电极合金形成欧姆接触；对发光二极管芯片进行后处理。在电极形成的前后分两次蒸镀透明导电层，使得电极夹在透明导电层的中间，以便有效的对电极形成保护，防止电极脱落。方法及设备得以结合不同的工艺流程实施，适用性较强。
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公开(公告)号：CN104091863A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410325865.5
申请日：2014-07-09
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0075 , H01L21/31111
摘要： 本发明提供了一种去除LED芯粒背镀层的方法，LED芯粒的背面设置背镀层，包括以下步骤：1)贴膜：将LED芯粒的背面粘附于可撕除膜上，得到粘附芯粒；2)涂蜡：将粘附芯粒中LED芯粒的正面和侧壁涂抹蜡液，并将粘附芯粒中LED芯粒的正面固接于固定板上，之后将可撕除膜去除，得到涂蜡芯粒；3)去背镀层：将涂蜡芯粒浸入去层液中浸泡，得到去层芯粒；4)脱蜡：将去层芯粒置于脱蜡液中去除LED芯粒正面和侧壁的蜡和固定板，得到脱蜡LED芯粒；背镀层包括DBR层，DBR层浸泡于去层液中1～5分钟后去除。该方法采用蚀刻液对芯粒表面的背镀层进行去除，通过协调背镀层中各元素的被蚀刻速度和去背镀时间，使得去除背镀层后，LED芯粒除亮度外的各项性能不受任何影响。
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公开(公告)号：CN105118901B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201510454732.2
申请日：2015-07-29
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/306 , H01L21/308
摘要： 本申请公开了一种深槽蚀刻方法，用于蚀刻蓝宝石衬底上的外延层，包括步骤：在外延层上覆盖氧化硅掩膜，氧化硅掩膜为设有间隙的两个对称的矩形掩膜；在氧化硅掩膜上覆盖正胶掩膜，正胶掩膜的位于氧化硅掩膜上方，为与氧化硅掩膜相配合的设有间隙的两个对称的正胶掩膜，正胶掩膜靠近所述间隙的一端为直角三角形；利用腐蚀液对氧化硅掩膜的间隙处进行蚀刻，蚀刻过程中正胶掩膜的直角三角形一端完全悬空后，掉落在氧化硅掩膜之间的间隙处；继续蚀刻并去掉剩余的正胶掩膜和氧化硅掩膜，形成上方倾斜下方陡直的漏斗形深槽。本发明的深槽刻蚀方法，既提高了深槽底部绝缘层和金属的厚度，又减少了发光区面积的损失，同时确保了高压芯片的可靠性和光效。
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公开(公告)号：CN104103728B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201410382458.8
申请日：2014-08-06
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
摘要： 本申请公开了防止发光二极管芯片电极脱落的加工方法及加工设备，该方法：利用真空镀膜技术蒸镀第一部分厚度的透明导电层，通过光刻将P焊盘下的ITO去除，该ITO区域直径比P主电极直径小3um-10um；制作发光二极管芯片的P电极与N电极；利用真空镀膜技术蒸镀第二部分厚度的透明导电层，通过光刻将P焊盘下的ITO去除，被去除的ITO区域直径比P主电极直径小3um-10um；第一部分厚度与第二部分厚度相加为透明导电层的标准厚度；进行电极合金形成欧姆接触；对发光二极管芯片进行后处理。在电极形成的前后分两次蒸镀透明导电层，使得电极夹在透明导电层的中间，以便有效的对电极形成保护，防止电极脱落。方法及设备得以结合不同的工艺流程实施，适用性较强。
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公开(公告)号：CN104091863B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201410325865.5
申请日：2014-07-09
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明提供了一种去除LED芯粒背镀层的方法，LED芯粒的背面设置背镀层，包括以下步骤：1)贴膜：将LED芯粒的背面粘附于可撕除膜上，得到粘附芯粒；2)涂蜡：将粘附芯粒中LED芯粒的正面和侧壁涂抹蜡液，并将粘附芯粒中LED芯粒的正面固接于固定板上，之后将可撕除膜去除，得到涂蜡芯粒；3)去背镀层：将涂蜡芯粒浸入去层液中浸泡，得到去层芯粒；4)脱蜡：将去层芯粒置于脱蜡液中去除LED芯粒正面和侧壁的蜡和固定板，得到脱蜡LED芯粒；背镀层包括DBR层，DBR层浸泡于去层液中1～5分钟后去除。该方法采用蚀刻液对芯粒表面的背镀层进行去除，通过协调背镀层中各元素的被蚀刻速度和去背镀时间，使得去除背镀层后，LED芯粒除亮度外的各项性能不受任何影响。
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公开(公告)号：CN104269480A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410566507.3
申请日：2014-10-22
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
CPC分类号： H01L33/10 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L2933/0058
摘要： 本申请公开了一种LED倒装芯片，自下而上依次包括：蓝宝石衬底、外延层、导电反射层、金属保护层、Vias、SiO2绝缘层和金属电极，其中，所述蓝宝石衬底为感应耦合等离子刻蚀后得到的背面图形化的蓝宝石衬底；所述蓝宝石衬底背面还设有增透膜，该增透膜为通过蒸镀方法制作的二氧化硅层和二氧化钛层交替排列的增透膜，该增透膜中二氧化硅层和二氧化钛层的层数共计为6层至15层的数量之间的层数，所述增透膜中二氧化硅层和二氧化钛层的厚度为20至300nm之间的数值。本发明还提供一种LED倒装芯片制作方法。本发明提供的LED倒装芯片，利用图形化蓝宝石衬底技术提高了LED倒装芯片底部的光的发射角度，增加了光的出射几率，提高了亮度，白光亮度提升1％-7％。
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公开(公告)号：CN103035806A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210580748.4
申请日：2012-12-28
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
摘要： 本发明在氮化物外延生长的衬底上制备微米PSS，其上沉积二氧化硅膜，在该膜上，沉积金属Ni层，通过退火处理后，以表面均匀分布的纳米尺度的金属Ni颗粒作为掩膜刻蚀衬底，形成纳米图形结构。然后，以所述具有纳米图形结构的二氧化硅作为掩膜刻蚀衬底，将纳米图形结构复制到微米PSS衬底上，通过腐蚀去除所述二氧化硅膜，得到纳米级PSS。本发明能够实现纳米图形化衬底的制备，可操作性强，并且不涉及昂贵精密的光刻设备，有利于实现规模化和产业化。
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公开(公告)号：CN102969412A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210516461.5
申请日：2012-12-05
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/762 , H01L27/15
摘要： 本发明公开了一种集成LED芯片及其制作方法。该方法包括以下步骤：S1、在衬底上生长外延层，形成晶片基体；S2、采用激光切割的方式在晶片基体上形成用于隔离相邻单胞的隔离槽，隔离槽的底部延伸至晶片基体的衬底处；S3、去除部分第二半导体层和发光层，露出位于其下的第一半导体层；S4、在第二半导体层的表面上形成透明导电膜；S5、在由第一半导体层、第二半导体层和发光层叠加形成的侧壁上、以及隔离槽中形成钝化层；S6、在由隔离槽隔离的各单胞之间形成金属连接线，形成集成LED芯片。本发明集成LED芯片及其制作方法，通过采用激光切割工艺形成隔离槽简化了制作工艺、提高了生产效率和增加了芯片的有效发光面积。
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公开(公告)号：CN104269484B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201410566098.7
申请日：2014-10-22
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种防止蒸镀铝时LED芯片电极产生麻点的方法，包括：将厚度为N的铝膜分成n个部分层进行分别蒸镀，N＝N1+N2+…+Nn，每个部分层进行蒸镀的间隔时间为5秒～60秒，直到把整个铝膜蒸镀完毕；或将厚度为N的铝膜分成n个部分层进行分别蒸镀，N＝N1+N2+…+Nn，所述N1＝N2＝…＝Nn，每个部分层进行蒸镀的间隔时间为10秒，直到把整个铝膜蒸镀完毕；所述每个部分层进行蒸镀的间隔时间相等。所述蒸镀在20～50℃的温度条件下使用的速率进行。本发明的优点是：第一，操作性强，铝粒不会生长成较大的铝颗粒；第二，可靠性高，对产能没有影响。
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公开(公告)号：CN104269480B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201410566507.3
申请日：2014-10-22
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种LED倒装芯片，自下而上依次包括：蓝宝石衬底、外延层、导电反射层、金属保护层、Vias、SiO2绝缘层和金属电极，其中，所述蓝宝石衬底为感应耦合等离子刻蚀后得到的背面图形化的蓝宝石衬底；所述蓝宝石衬底背面还设有增透膜，该增透膜为通过蒸镀方法制作的二氧化硅层和二氧化钛层交替排列的增透膜，该增透膜中二氧化硅层和二氧化钛层的层数共计为6层至15层的数量之间的层数，所述增透膜中二氧化硅层和二氧化钛层的厚度为20至300nm之间的数值。本发明还提供一种LED倒装芯片制作方法。本发明提供的LED倒装芯片，利用图形化蓝宝石衬底技术提高了LED倒装芯片底部的光的发射角度，增加了光的出射几率，提高了亮度，白光亮度提升1％‑7％。
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