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公开(公告)号：CN117013817A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210493884.3
申请日：2022-04-28
申请人： 清华大学
摘要： 本发明适用于换流器领域，提供了一种可关断换流器的缓冲均压电路及换流器拓扑结构，所述缓冲均压电路包括缓冲电路和均压电路，所述缓冲电路和均压电路并联；所述缓冲电路包括与可关断器件并联的电容电阻支路和缓冲支路；所述电容电阻支路包括相互串联的缓冲电容和缓冲电阻；所述缓冲支路与缓冲电阻并联；所述缓冲支路在可关断器件关断时导通，将缓冲电阻短路。通过设置与缓冲电阻Rs并联的缓冲支路，在可关断器件关断时，通过控制缓冲支路的导通，对缓冲电阻造成短路，避免缓冲电阻上的电压过高，损坏可关断器件。
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公开(公告)号：CN112909986B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202110164454.2
申请日：2021-02-05
申请人： 清华大学
摘要： 本发明提供一种模块化多电平换流器子模块及其控制方法，所述子模块包括：上下管主电路，上下管主电路包括上管半导体器件S1和下管半导体器件S2*；所述上管半导体器件S1反并联第一开关器件D1；上管半导体器件S1的第二电极连接下管半导体器件S2*的第一电极；所述上管半导体器件S1的第一电极连接直流电容CDC的一端；下管半导体器件S2*反并联第二开关器件D2*；下管半导体器件S2*的第二电极连接直流电容CDC的另一端；所述下管半导体器件S2*中设有中心可控击穿区域。本发明的模块化多电平换流器子模块完全省略传统MMC模块方案中的出口处的旁路晶闸管，从而降低子模块制造的体积和成本并简化系统的运行控制方案。
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公开(公告)号：CN116504825A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310762806.3
申请日：2023-06-27
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L29/747 , H01L29/744 , H01L29/06 , H01L21/332
摘要： 本申请提供了一种功率半导体器件及其制作方法，该功率半导体器件包括第一材料层以及形成于所述第一材料层上下两侧的第二材料层和第三材料层；所述功率半导体器件包括有源区和终端区；有源区包括位于所述第一材料层的第一掺杂区、位于所述第二材料层的第二掺杂区、位于所述第三材料层的第三掺杂区、阳极区以及阴极区；终端区包括位于所述第一材料层的第一终端区以及位于所述第二材料层和所述第三材料层的第二终端区和第三终端区；其中，所述第一终端区的厚度大于所述第一掺杂区的厚度，并且所述第二终端区和所述第三终端区的至少之一的表面高于对应的掺杂区的表面。本申请可提升功率半导体器件的阻断能力和最高运行结温。
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公开(公告)号：CN116387359A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310645830.9
申请日：2023-06-02
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L29/74 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L21/332 , H01L29/747
摘要： 本申请提供了一种逆阻型门极换流晶闸管及其制作方法，包括有源区，所述有源区包括阴极区、阳极区以及自所述阴极区至所述阳极区依次设置的多个掺杂区；所述多个掺杂区包括依次设置的第一发射极、第一基区、第二基区、第三基区、第二发射极和第三发射极，所述第一发射极与所述阴极区接触，所述第三发射极与所述阳极区接触；所述第三发射极结深为1~30um，所述第二发射极结深为0~30um，所述第二基区结深为80~140um。本申请可减少漏电流，降低器件厚度和压降。
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公开(公告)号：CN116054605A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310042081.0
申请日：2023-01-28
申请人： 清华大学
摘要： 本发明提供一种高压直流换流器及控制方法，其中，所述直流换流器包括并联的三相桥臂，其中，每相桥臂均包括两个子桥臂，每个子桥臂上均设有混合模块阀串，其中，所述混合模块阀串能形成全控阀形态、半控阀形态和混合阀形态。本发明可以灵活切换和适应直流换流器的多种形态。
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公开(公告)号：CN115580123A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211059638.3
申请日：2022-09-01
申请人： 清华大学
摘要： 本发明提供了一种用于电流源型换流器的保护装置及方法，所述保护装置包括保护电路，其中，所述保护电路包括：阻尼支路以及抑制支路；所述阻尼支路用于在全控器件的关断瞬间，转移电流源型换流器的主支路电流；所述抑制支路用于在全控器件的关断瞬间，抑制全控器件的两端电压。本发明实现了对电流源型换流器的有效保护。
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公开(公告)号：CN115149939B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211059587.4
申请日：2022-09-01
申请人： 清华大学
IPC分类号： H03K19/0175 , H03K19/003 , H03K19/007
摘要： 本发明提供了一种分立式高压电子装置及方法，所述高压电子装置包括：第一分立模块、连接层以及第二分立模块，其中，所述第一分立模块，用于接收控制信号，并根据控制信号下发控制指令；所述第二分立模块，用于根据接收的控制指令，控制全控型器件导通或关断；所述连接层，用于将第一分立模块下发的控制指令传输给第二分立模块。本发明的分立式高压电子装置可维护性及检修操作性高。
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公开(公告)号：CN115483837A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202211069602.3
申请日：2022-09-02
申请人： 清华大学
摘要： 本发明公开了一种基于DAB电路的全功率范围软开关控制方法及系统。包括：在开关管两端并联缓冲电容，在任意时刻实现开关管的软关断；当DAB电路的实际传输功率小于预设的模式切换功率时，采用外移相角不小于90度且不超过180度的移相控制策略使DAB电路的开关管零电压开通，其中，当外移相角大于90度时，将无功功率注入DAB电路，使开关管的关断电流增加，缓冲电容在死区时间内充放电完成，开关管处于软开关状态；当DAB电路的实际传输功率不小于预设的模式切换功率时，采用单移相控制策略使DAB电路的开关管零电压开通。能够实现全功率范围的开关管软开关控制，大幅度降低开关器件开关损耗，提高系统效率且不影响系统的动态响应。
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公开(公告)号：CN115085705A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210506232.9
申请日：2022-05-11
申请人： 清华大学
IPC分类号： H03K17/082 , H03K17/56 , H03K17/72
摘要： 本发明提供了一种功率半导体器件的驱动保护电路及控制方法，包括开通及关断模块、静态保护单元和动态保护单元，开通及关断模块、静态保护单元和动态保护单元相互并联，均连接有功率半导体器件，且均设置在功率半导体的门极与阴极之间，动态保护单元还与功率半导体器件的阳极连接。本发明的驱动保护电路在功率半导体器件驱动完全失电期间、上电过程中及下电过程中实现功率半导体器件门极电位低于阴极，或实现门极与阴极之间电位差小于功率半导体门阴极导通电压，从而保证功率半导体器件可靠关断，从而保护功率半导体器件。
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公开(公告)号：CN114726357B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210532903.9
申请日：2022-05-17
申请人： 清华大学
摘要： 本发明提供一种可关断晶闸管驱动电路及控制方法，驱动电路包括驱动电源模块、关断电路以及开通电路4；驱动电源模块分别和关断电路以及开通电路4电性连接，实现驱动电源模块分别向关断电路以及开通电路4直接充电；关断电路与开通电路4电性连接，实现关断电路向开通电路4间接充电，从而可以实现关断电路以及开通电路4独立上电，满足驱动上电时的快速解锁需求。并且在可关断晶闸管驱动电路的上电瞬态过程中对电路模块上电时序进行控制，实现在特殊应用场合下开通模块可先于关断模块上电，当开通模块完成上电时即可具备开通能力，可关断晶闸管器件即可解锁运行，极大缩短了器件上电期间闭锁的时间。
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