公开(公告)号：CN109860287B

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN201811445475.6

申请日：2018-11-29

Applicant: 清华大学

Inventor： 郑小平 ,  叶振强 ,  孙振源 ,  欧湛 ,  李志杰 ,  刘佳明 ,  李佳

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/10 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及一种场效应管，包括衬底、石墨烯层以及栅介质层。衬底包括六方氮化硼层。石墨烯层包括相对的第一表面和第二表面。第一表面与六方氮化硼层接触。第二表面包括氢化区。栅介质层覆盖于氢化区。场效应管通过设置六方氮化硼层作为石墨烯层的衬底，可以改善衬底与石墨烯层的接触。因为六方氮化硼与石墨烯的单层结构相似，两者的晶格匹配度高，且六方氮化硼层的表面光滑平整无陷阱。六方氮化硼层可以有效降低石墨烯层与衬底的接触不佳对载流子迁移率的负面影响，有利于增加石墨烯层的载流子迁移率，从而增加截止频率。同时，石墨烯层通过氢化区与栅介质层接触可以进一步减少栅介质层因为接触不佳对载流子迁移率的负面影响。

公开(公告)号：CN102928132B

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201210404406.7

申请日：2012-10-22

Applicant: 清华大学 ,  中北大学

Inventor： 刘泽文 ,  李孟委 ,  李锡广 ,  孙振源

IPC: G01L1/12

Abstract: 一种隧道磁阻压力传感器，包括键合基板、设置在键合基板上方的铁磁性薄膜承载体、设置在铁磁性薄膜承载体的弹性薄膜的整个下表面的铁磁性薄膜、设置在键合基板上表面中心位置的隧道磁敏电阻以及固定在铁磁性薄膜承载体上方的保护罩，保护罩上表面的中间设置连通保护罩的内腔和外界的通孔，本发明利用铁磁性薄膜形变引起磁场变化测得压力，被测压力通过通孔作用在沉孔区域的铁磁性薄膜上，使其发生离面形变，导致磁场发生变化，根据隧道磁阻效应，隧道磁敏电阻的阻值会在微弱磁场变化下发生剧烈变化，电阻值的变化将影响到外电路的输出电流或电压变化，由测得的电流或电压值实现对被测压力的测量，本发明结构合理，检测电路简单，灵敏度高，适合微型化。

公开(公告)号：CN112946760A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202110142938.7

申请日：2021-02-02

Applicant: 清华大学

Inventor： 郑小平 ,  田翊辰 ,  王斌 ,  孙振源 ,  侍小青

IPC: G01V3/08 ,  G01V3/38

Abstract: 本发明公开了一种基于正则化方法的未爆弹三维立体成像的方法、装置以及系统，涉及探测技术领域，所述方法包括：获取目标探测区域的磁场三分量数据；根据磁场三分量数据，得到梯度张量数据和磁总场梯度数据；根据梯度张量数据，得到第一先验信息；将第一先验信息加入到正则化方法中的目标函数中；根据第二先验信息和磁总场梯度数据，对目标函数的最优解进行运算，得到正则化方法的反演结果，根据反演结果，得到未爆弹的三维立体成像。本发明将第一先验信息加入到正则化方法中的目标函数中，得到的正则化方法的反演结果的精确度更高，未爆弹的三维立体成像结果也更精确，对未爆弹的识别效果得到提升，提高了遗弃化学弹发掘工作的工作效率。

公开(公告)号：CN102928132A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201210404406.7

申请日：2012-10-22

Applicant: 清华大学 ,  中北大学

Inventor： 刘泽文 ,  李孟委 ,  李锡广 ,  孙振源

IPC: G01L1/12

Abstract: 一种隧道磁阻压力传感器，包括键合基板、设置在键合基板上方的铁磁性薄膜承载体、设置在铁磁性薄膜承载体的弹性薄膜的整个下表面的铁磁性薄膜、设置在键合基板上表面中心位置的隧道磁敏电阻以及固定在铁磁性薄膜承载体上方的保护罩，保护罩上表面的中间设置连通保护罩的内腔和外界的通孔，本发明利用铁磁性薄膜形变引起磁场变化测得压力，被测压力通过通孔作用在沉孔区域的铁磁性薄膜上，使其发生离面形变，导致磁场发生变化，根据隧道磁阻效应，隧道磁敏电阻的阻值会在微弱磁场变化下发生剧烈变化，电阻值的变化将影响到外电路的输出电流或电压变化，由测得的电流或电压值实现对被测压力的测量，本发明结构合理，检测电路简单，灵敏度高，适合微型化。

公开(公告)号：CN202853816U

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201220541740.2

申请日：2012-10-22

Applicant: 清华大学 ,  中北大学

Inventor： 刘泽文 ,  李孟委 ,  李锡广 ,  孙振源

IPC: G01L1/12

Abstract: 一种隧道磁阻压力传感器，包括键合基板、设置在键合基板上方的铁磁性薄膜承载体、设置在铁磁性薄膜承载体的弹性薄膜的整个下表面的铁磁性薄膜、设置在键合基板上表面中心位置的隧道磁敏电阻以及固定在铁磁性薄膜承载体上方的保护罩，保护罩上表面的中间设置连通保护罩的内腔和外界的通孔，本实用新型利用铁磁性薄膜形变引起磁场变化测得压力，被测压力通过通孔作用在沉孔区域的铁磁性薄膜上，使其发生离面形变，导致磁场发生变化，根据隧道磁阻效应，隧道磁敏电阻的阻值会在微弱磁场变化下发生剧烈变化，电阻值的变化将影响到外电路的输出电流或电压变化，由测得的电流或电压值实现对被测压力的测量，本实用新型结构合理，检测电路简单，灵敏度高，适合微型化。

公开(公告)号：CN202853818U

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201220541990.6

申请日：2012-10-22

Applicant: 清华大学 ,  中北大学

Inventor： 刘泽文 ,  李孟委 ,  李锡广 ,  孙振源

IPC: G01L1/12

Abstract: 一种巨磁阻式压力传感器，包括键合基板、设置在键合基板上方的铁磁性薄膜承载体、设置在铁磁性薄膜承载体的弹性薄膜的整个下表面的铁磁性薄膜、设置在键合基板上表面中心位置的巨磁敏电阻以及固定在铁磁性薄膜承载体上方的保护罩，保护罩上表面的中间设置连通保护罩的内腔和外界的通孔，本实用新型利用铁磁性薄膜形变引起磁场变化测得压力，被测压力通过通孔作用在沉孔区域的铁磁性薄膜上，使其发生离面形变，导致磁场发生变化，根据巨磁阻效应，巨磁敏电阻的阻值会在微弱磁场变化下发生剧烈变化，电阻值的变化将影响到外电路的输出电流或电压变化，由测得的电流或电压值实现对被测压力的测量。本实用新型结构合理，检测电路简单，灵敏度高，适合微型化。