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公开(公告)号：CN1348937A
公开(公告)日：2002-05-15
申请号：CN01139801.9
申请日：2001-11-29
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/584
Abstract: 本发明涉及一种氮化硅水基浓悬浮体的制备方法,首先将氮化硅粉料配成悬浮体,用四甲基氢氧化铵调节浆料的pH值,然后将浆料放入球磨罐中球磨,以去离子水为介质,对上述粉料进行多次水洗,以去除粉料中的可溶性物质和高价反离子,将上述粉料置于空气气氛中保温,最后将上述改性处理后的氮化硅粉料加进高纯去离子水中,用四甲基氢氧化铵调节悬浮液的pH值,再加入球磨罐中球磨,即制备出低粘度、高固相含量的氮化硅水基浓悬浮体。用本发明提出的方法,可以使制备工艺不同、生产厂家不同、分散性能的限制性因素不同的氮化硅粉料具有相似的良好分散性,制备出固相含量高于50vol%的水基浓悬浮体。
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公开(公告)号：CN109608205B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201910107404.3
申请日：2019-02-02
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/626 , C01B21/068
Abstract: 本发明公开了一种制备等轴状α相氮化硅粉末的方法。该方法包括以下步骤：以四氯化硅和液氨为原料，在液相条件下，合成硅亚胺固体，然后将硅亚胺固体热分解获得无定型氮化硅。将无定型氮化硅和辅助添加剂通过球磨工艺进行处理，使其充分混合均匀。将所得的混合物，置于石墨或氮化硼坩埚中，一定气氛条件下，在气氛烧结炉中进行结晶化处理0～48h，即获得杂质少、等轴状、高α相氮化硅粉体。这种氮化硅粉体的制备工艺周期较短，氮化硅颗粒形貌易于控制，有利于实现大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN109987944B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201910167833.X
申请日：2019-03-06
Applicant: 清华大学 , 常德科锐新材料科技有限公司
IPC: C04B35/587 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B37/00
Abstract: 本发明属于高导热氮化硅陶瓷基板技术领域，特别涉及一种高导热氮化硅陶瓷基板及其制备方法。一种高导热氮化硅陶瓷基板，所述的陶瓷基板由若干氮化硅流延素坯叠层堆放而成，相邻的两氮化硅流延素坯设有中间层，中间层由两石墨板及两石墨条组成，两石墨条分别位于两石墨板两端之间且构成一腔室，石墨板上具有若干与所述腔室相通的孔洞，且石墨板与相对应的氮化硅流延素坯之间设有浆料分隔层。本发明制得的氮化硅陶瓷基板纯度和性能都较好，尤其具有较高热导率、优异力学性能。
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公开(公告)号：CN109987944A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201910167833.X
申请日：2019-03-06
Applicant: 清华大学 , 常德科锐新材料科技有限公司
IPC: C04B35/587 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B37/00
Abstract: 本发明属于高导热氮化硅陶瓷基板技术领域，特别涉及一种高导热氮化硅陶瓷基板及其制备方法。一种高导热氮化硅陶瓷基板，所述的陶瓷基板由若干氮化硅流延素坯叠层堆放而成，相邻的两氮化硅流延素坯设有中间层，中间层由两石墨板及两石墨条组成，两石墨条分别位于两石墨板两端之间且构成一腔室，石墨板上具有若干与所述腔室相通的孔洞，且石墨板与相对应的氮化硅流延素坯之间设有浆料分隔层。本发明制得的氮化硅陶瓷基板纯度和性能都较好，尤其具有较高热导率、优异力学性能。
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公开(公告)号：CN109631568A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201910094485.8
申请日：2019-01-30
Applicant: 清华大学
CPC classification number: F27B5/04 , F27B5/16 , F27B5/18 , F27M2003/04
Abstract: 本发明涉及一种磁场耦合直流电流的压力烧结炉及烧结方法，其包括：炉体、磁场控制系统、压力控制系统、直流电流发生器和总控中心；炉体包括上炉盖、下炉盖和炉体本体，炉体本体内设置有模具；磁场控制系统包括磁场发生部和磁场控制部，磁场发生部设置在炉体本体内，对模具内的待烧结材料施加磁场，磁场控制部与总控中心相连；压力控制系统包括压力发生部和压力控制部，压力发生部设置在炉体本体内，用于固定模具并对模具内的待烧结材料进行加压；压力控制部与总控中心相连，对压力发生部的压力进行控制；直流电流发生器分别与压力控制系统的压力发生部和总控中心相连，对模具或待烧结材料施加直流电流。本发明可应用于各种高性能先进材料的烧结过程中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105066682B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201510473832.X
申请日：2015-08-05
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种快速致密化压力耦合动态烧结炉及烧结方法，它包括炉体、加热系统、冷却系统、红外测温系统和压力耦合系统；加热系统位于炉体内，炉体连接冷却系统，加热系统和冷却系统连接红外测温系统，压力耦合系统连接炉体；炉体内设置加热系统，红外测温系统连接加热系统和冷却系统，并将温度信号传输至加热系统和冷却系统。压力耦合系统包括压头、液压缸和压力控制模块；压力控制模块包括第一伺服阀、第二伺服阀、恒定压力控制器和振荡压力控制器，压力耦合系统产生待烧结材料所需频率和振幅的动态耦合压力。本发明提供一种制备高致密度、低缺陷、高强度材料的快速致密化压力耦合动态烧结炉及烧结方法，可广泛应用于材料制备的烧结过程中。
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公开(公告)号：CN104844198A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201410054368.6
申请日：2014-02-18
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: C04B35/48 , C04B35/622
CPC classification number: B32B18/00 , C04B35/10 , C04B35/109 , C04B35/48 , C04B35/486 , C04B35/4885 , C04B35/622 , C04B35/62218 , C04B35/6261 , C04B35/62615 , C04B35/62625 , C04B35/6263 , C04B35/632 , C04B35/634 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B37/005 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/606 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2237/064 , C04B2237/343 , C04B2237/348
Abstract: 本发明涉及一种手持终端产品外观陶瓷薄型件的制备方法，包括：制备流延浆料，该流延浆料包括陶瓷粉料、分散剂、溶剂、粘结剂及增塑剂，各组分的重量百分比是：陶瓷粉料为50~60wt%，分散剂为0.5~1.5wt%，溶剂为30~40wt%，粘结剂为3~7wt%，增塑剂为3~9wt%；将该流延浆料在流延机上进行流延，得到单层素坯；层叠该单层素坯，包括将该单层素坯表面涂覆该流延浆料，将两个或多个该单层素坯层叠，形成素坯叠片，以及将该素坯叠片干压；干燥该素坯叠片，去除素坯叠片中的溶剂；将该素坯叠片冲压或裁剪成所需形状和尺寸；将该成形后的素坯叠片放入加热炉中进行热脱脂；以及将脱脂后的坯体在高温炉中进行烧结。
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公开(公告)号：CN102093038B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201010581759.5
申请日：2010-12-06
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/10 , C04B35/622 , A61K6/06
Abstract: 本发明公开了属于高性能透明氧化铝陶瓷制备技术领域的一种透明氧化铝陶瓷的制造方法。该方法采用化学异质形核沉淀的方法引入添加剂，使添加剂离子以氧化铝粉为异质形核中心，均匀地包覆在氧化铝粉体表面，形成具有“壳-核”复合结构的纳米粉体；所得纳米粉体经成型和烧结后，制备出透明氧化铝陶瓷。本发明的添加剂包覆在氧化铝粉体的表面形成纳米级包覆层，烧结后最终在纳米尺度上均匀分散于氧化铝基体中，达到了对晶粒生长很好的抑制效果。本发明成功的解决了湿混球磨的方法带来的不足，最终制备出添加剂显微结构更加细小均匀，透光性更好的透明氧化铝陶瓷。所制的透明氧化铝陶瓷在波长在300～800nm时的直线透光率约为35～43％。
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公开(公告)号：CN102093037B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201010578948.7
申请日：2010-12-03
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/10 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了属于陶瓷材料制备技术领域的一种通过浸渗坯体引入烧结助剂制备半透明氧化铝陶瓷的方法。该方法选取高纯无添加剂的α-氧化铝粉，经过成型、预烧、结助剂离子的水溶液中浸渗、干燥、氢气气氛下烧结的过程，获得半透明氧化铝陶瓷。此法工艺简单，成本较低，省去了传统工艺所需要的在成型前对氧化铝粉和烧结助剂的预混合步骤，简化了半透明氧化铝陶瓷的制备流程。
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公开(公告)号：CN102093038A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010581759.5
申请日：2010-12-06
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/10 , C04B35/622 , A61K6/06
Abstract: 本发明公开了属于高性能透明氧化铝陶瓷制备技术领域的一种透明氧化铝陶瓷的制造方法。该方法采用化学异质形核沉淀的方法引入添加剂，使添加剂离子以氧化铝粉为异质形核中心，均匀地包覆在氧化铝粉体表面，形成具有“壳-核”复合结构的纳米粉体；所得纳米粉体经成型和烧结后，制备出透明氧化铝陶瓷。本发明的添加剂包覆在氧化铝粉体的表面形成纳米级包覆层，烧结后最终在纳米尺度上均匀分散于氧化铝基体中，达到了对晶粒生长很好的抑制效果。本发明成功的解决了湿混球磨的方法带来的不足，最终制备出添加剂显微结构更加细小均匀，透光性更好的透明氧化铝陶瓷。所制的透明氧化铝陶瓷在波长在300～800nm时的直线透光率约为35～43％。
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