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公开(公告)号：CN113098456B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202110349742.5
申请日：2021-03-31
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H03K17/14
Abstract: 本发明公开了一种用于高压集成电路的高性能芯片状态监测保护电路，该电路包括：高精度宽电压范围过温保护电路、高精度高可靠欠压保护电路、高精度高可靠过流保护电路和错误处理逻辑电路。本发明所提供的高性能芯片状态监测保护电路，一方面，在温度保护电路中采用共模干扰检测电路，避免共模噪声干扰，在共模噪声超过阈值的情况下提前锁定温度保护信号；另一方面，在欠压保护电路中采用电源毛刺检测电路，在异常情况下输出复位信号提前锁定欠压保护信号；此外，输出整形电路采用RC低通滤波和施密特触发器组合滤波，以滤除高频噪声的影响，保持了一定的迟滞量，从而产生稳定可靠的保护输出信号稳定性。
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公开(公告)号：CN112626464B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202011419636.1
申请日：2020-12-06
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓薄膜的制备装置，具体涉及氮化镓薄膜制备技术领域，包括制备仓和蒸发室，所述蒸发室固定连接在制备仓内部的底端，所述蒸发室的内部固定连接有石英坩埚，所述石英坩埚的内部固定连接有电热丝，所述蒸发室的顶端固定连接有离化腔，所述制备仓的外侧壁上设置有保温结构。本发明通过设置有空腔、外壳、连接杆、螺母、通孔和保温岩棉，在使用时，利用螺母和通孔将外壳固定在制备仓的外部，此时制备仓和外壳之间形成一个空腔，然后在空腔内部填充上保温岩棉，利用保温岩棉的隔热性能，这样可以避免制备仓内部热量流失较快，从而可以使制备仓内部温度保持稳定，提高氮化镓薄膜制备的质量。
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公开(公告)号：CN112609242B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202011417405.7
申请日：2020-12-05
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓单晶生长装置，具体涉及单晶生长设备技术领域，包括底座、壳体、加热阻丝和塞盖，底座的顶端固定连接有壳体，所述壳体内部的顶端固定连接有筒体，且筒体内部与壳体顶端之间的两侧分别设置有升降结构，所述壳体顶端的一侧设置有排气结构，所述加热台的顶端固定连接有坩埚，且坩埚与壳体的一侧之间分别设置有进料结构。本发明通过在筒体与壳体之间的两侧分别设置有遮挡结构，以升降结构将网框抬升至筒体的内部后，轻旋空心筒内部的活动杆便可以限位块将在弹簧轴作用下朝外翻转的挡板压入筒体的内部，而后再以卡块对活动杆的顶部进行限位即可对网框内部的晶粒进行保存，其冷却效率亦得到一定程度的提升。
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公开(公告)号：CN113651357A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110862938.4
申请日：2021-07-29
Applicant: 清华大学 , 北京华睿新能动力科技发展有限公司
Abstract: 本发明公开了一种锆氧化物纳米粒子及其制备方法、光刻胶组合物及其应用。该锆氧化物纳米粒子的制备方法包括如下步骤：提供或制备锆盐溶液，所述锆盐溶液包括第一溶剂和分散于所述第一溶剂中的锆盐；将配体加入所述锆盐溶液中，混合均匀，以制备含锆反应体系；加热所述含锆反应体系，控制加热温度为40℃～100℃，使所述含锆反应体系中生成锆氧化物；停止加热，并静置至析出固体组分。该锆氧化物纳米粒子的制备方法能够显著降低锆氧化物纳米粒子的粒径并提高粒径分布的均匀程度，进而能够有效提高作为光刻胶时显影后图案的分辨率。
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公开(公告)号：CN113098471A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110349643.7
申请日：2021-03-31
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明涉及一种超高速绝缘隔离GaN半桥栅驱动电路，包括输入接收电路、数控高精度死区时间产生电路、低侧数控延时电路、低侧输出驱动电路、低侧栅压钳位电路、调制发送电路、高压电容、高共模瞬态抑制差分信号接收电路、高侧输出驱动电路、高侧栅压钳位电路、发送端低压产生电路、芯片状态监测电路和接收端低压产生电路。本发明可在高耐压的前提下提高信号处理速度；自动检测地电位共模瞬态噪声的大小，并在噪声超过阈值时对共模瞬态噪声产生的误差进行动态补偿；采用高精度死区时间控制技术，最大程度优化高低侧信号死区时间，提高输出信号相位精度；采用芯片状态实时监测和智能化保护电路，保证GaN工作在理想工作区，提高可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111354902B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202010161328.7
申请日：2020-03-10
Applicant: 清华大学
IPC: H01M50/403 , H01M50/44 , H01M50/417 , H01M50/489 , H01M10/0525 , C08G73/00
Abstract: 本发明提供一种隔膜，用于电化学电池，所述隔膜包括三维共价有机框架化合物，所述三维共价有机框架化合物由具有6个连接端基的三蝶烯类六价基团与具有4个连接端基的芘类四价基团通过连接基团在三维空间连接形成；在所述三维共价有机框架化合物的至少一部分中，每个三蝶烯类六价基团分别与相邻的六个芘类四价基团连接，每个芘类四价基团分别与相邻的四个三蝶烯类六价基团连接，构成正六角棱柱状三维拓扑网络结构。本发明还提供一种电化学电池。
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公开(公告)号：CN111205478A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN202010142951.8
申请日：2020-03-04
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种三维共价有机框架化合物，由三蝶烯类六价基团与芘类四价基团通过连接基团连接形成，在所述三维共价有机框架化合物的至少一部分中，每个三蝶烯类六价基团分别与相邻的六个芘类四价基团连接，每个芘类四价基团分别与相邻的四个三蝶烯类六价基团连接，从而构成正六角棱柱状三维拓扑网络结构，所述连接基团中含有动态共价键。本发明提供一种三维共价有机框架化合物的制备方法和应用。
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公开(公告)号：CN119569790A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202311147368.6
申请日：2023-09-06
Applicant: 清华大学 , 北京华睿新能动力科技发展有限公司
Abstract: 本发明涉及一种Ni基有机配位纳米颗粒及其制备方法、包含其的光刻胶组合物及其应用。该Ni基有机配位纳米颗粒采用含镍化合物、间甲基苯甲酸以及含氮有机配体在有机溶剂中混合搅拌后进行后处理得到，另外获得化学通式为NimXn(CH3COO)tYpHq的纳米颗粒，其中，X为间甲基苯甲酸根，CH3COO表示乙酸根，Y为含氮有机配体，m、n、p、q各自独立的选自1～20的任意整数，t选自0～20的任意整数。本发明Ni基有机配位纳米颗粒作为光刻胶成分，可以实现高分辨、高灵敏度、低线条粗糙度等更优异的光刻性能。
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公开(公告)号：CN119528946A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202311108612.8
申请日：2023-08-30
Applicant: 清华大学 , 北京华睿新能动力科技发展有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种Zn基有机配位纳米颗粒及其制备方法、光刻胶组合物及其应用，所述Zn基有机配位纳米颗粒通过将含锌化合物、含氮有机配体以及A化合物在有机溶剂中混合搅拌后进行后处理得到，所述A化合物为苯甲酰甲酸及其衍生物。本发明实施例提供的Zn基有机配位纳米颗粒光刻胶，可以在没有光引发剂的条件下，通过光刻胶结构中的苯甲酰甲酸吸收光子自引发，直接获得曝光图形，从而提高了曝光效率。
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公开(公告)号：CN117659421A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211050843.3
申请日：2022-08-29
Applicant: 清华大学 , 北京华睿新能动力科技发展有限公司
Abstract: 本发明涉及一种Zn基有机配位纳米颗粒及其制备方法、光刻胶组合物及其应用。采用醋酸锌、间甲基苯甲酸以及含氮有机配体在有机溶剂中混合搅拌后进行后处理得到化学通式为[ZnmXn(CH3COO)tYpHq]r的Zn基有机配位纳米颗粒，其中，X为间甲基苯甲酸根，CH3COO表示乙酸根，Y为含氮有机配体，r为聚合度，m、n、p、q、n、r各自独立的选自1～20的任意整数，t选自0～20的任意整数。本发明将Zn基有机配位纳米颗粒作为光刻胶成膜剂，相比于现有光刻胶，制成的光刻胶具有高分辨、高灵敏度、低线条粗糙度的光刻性能。
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