半导体激光元件及半导体激光元件阵列

    公开(公告)号:CN101019284A

    公开(公告)日:2007-08-15

    申请号:CN200580030931.5

    申请日:2005-09-13

    CPC classification number: H01S5/10 H01S5/0655 H01S5/101 H01S5/1085 H01S5/4031

    Abstract: 半导体激光元件(3)具有n型包层(13)、活性层(15)及p型包层(17)。p型包层(17)具有在活性层(15)中形成波导管(4)的脊形部(9)。波导管(4)沿着以大致一定的曲率(曲率半径R)弯曲的中心轴线(B)延伸。在这样的波导管(4)中,在波导管(4)内共振的光中的空间横向模式的次数越高的光损失就越大。因此,可以维持横向低次模式的激光振荡而抑制横向高次模式的激光振荡。由此实现了可以使较大强度的激光出射而抑制横向高次模式的半导体激光元件及半导体激光元件阵列。

    聚光装置
    13.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1310058C

    公开(公告)日:2007-04-11

    申请号:CN03818635.7

    申请日:2003-08-28

    Abstract: 聚光装置具有多个光源(10、20)和合光元件(30)。这些光源(10、20)分别具有半导体激光器阵列叠层体(12、22)、准直透镜(16、26)和光束变换器(18、28)。因为合光元件(30)合成来自叠层体(12)的光束和来自叠层体(22)的光束,所以能够生成高光密度的激光束。合光元件(30)的透过单元(32)和反射单元(34),优选为沿叠层体(12、22)的叠层方向为细长的带状,这时,即便多个活性层(14、24)具有位置偏离,也可以由合光元件(30)适当地接受、合成从活性层(14、24)射出的光束。

    半导体激光装置
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1906821A

    公开(公告)日:2007-01-31

    申请号:CN200580001983.X

    申请日:2005-03-08

    Abstract: 本发明涉及一种半导体激光装置,其具备用于防止散热器的制冷剂流路的腐蚀,并且长期稳定地对半导体激光器阵列进行冷却的构造。该半导体激光装置具备半导体激光器堆、制冷剂供给器、绝缘性配管和制冷剂。制冷剂供给器向半导体激光器堆供给制冷剂。制冷剂包含碳氟化合物。绝缘性配管是具有柔软性的绝缘性管子。在绝缘性配管内配置有接地的导电体。该导电体起着除去当制冷剂在绝缘性配管内流通时生成的静电的作用。

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