公开(公告)号：CN111094914A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201880060502.X

申请日：2018-09-19

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 宅见宗则 ,  丰田晴义 ,  松井克宜 ,  铃木一隆 ,  中村和浩 ,  内田圭祐

IPC: G01J1/02 ,  G01B11/24 ,  H01L31/12

Abstract: 本发明提供一种形状测量传感器，其包括在测量线反射后的光入射的受光部和基于光的入射位置计算测量线上的各位置的位置信息的计算部。受光部包括多个像素对，该多个像素对分别包括生成与光的入射光量相应的第1电信号的第1像素和沿与照射方向交叉的第1方向与第1像素并列配置、且生成与光的入射光量相应的第2电信号的第2像素，该多个像素对沿第1方向排列。在第1像素，入射位置越接近受光部的与第1方向交叉的第2方向上的一端，第1电信号的强度就越减弱，在第2像素，入射位置越接近第2方向上的一端，第2电信号的强度就越增强。计算部按每像素对取得第1电信号和第2电信号，基于所取得的第1电信号的强度和第2电信号的强度，按每像素对计算第2方向上的入射位置。

公开(公告)号：CN111094913A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201880060440.2

申请日：2018-08-21

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 宅见宗则 ,  丰田晴义 ,  松井克宜 ,  铃木一隆 ,  中村和浩 ,  内田圭祐

IPC: G01J1/02 ,  G01J1/44 ,  G01B11/24 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/10

Abstract: 在位置检测传感器中，在第1像素部入射位置越接近第1像素对组的第2方向上的第1端，第1电信号的强度就越减弱，在第2像素部入射位置越接近第2方向上的第1端，第2电信号的强度就越增强，在第3像素部入射位置越接近第2像素对组的第1方向上的第2端，第3电信号的强度就越减弱，在第4像素部入射位置越接近第1方向上的第2端，第4电信号的强度就越增强。算出部基于第1电信号的强度的累计值和第2电信号的强度的累计值算出第2位置，基于第3电信号的强度的累计值和第4电信号的强度的累计值，算出第1位置。