公开(公告)号：CN115050637A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202210839290.3

申请日：2022-07-18

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 宋立辉 ,  皮孝东 ,  杨德仁 ,  刘帅 ,  熊慧凡 ,  茆威威

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明涉及碳化硅技术领域，具体为一种提高碳化硅晶圆表面寿命的方法，基于PECVD沉积薄膜法在所述碳化硅晶圆的至少一侧表面形成对应的非晶硅薄膜，利用PECVD的退火过程中，非晶硅薄膜中的氢原子逸出到碳化硅晶圆对应的表面上，对所述碳化硅晶圆对应表面的碳空位缺陷进行钝化；并利用非晶硅薄膜的晶格常数与碳化硅晶圆的晶格常数比较接近，可以很好地与碳化硅晶圆表面的悬挂键成键，减少所述碳化硅晶圆表面的悬挂键数量，消除碳空位缺陷即钝化碳化硅晶圆表面的碳空位缺陷，从而提高所述碳化硅晶圆至少一侧表面的寿命。

公开(公告)号：CN114999900A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210839289.0

申请日：2022-07-18

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 宋立辉 ,  皮孝东 ,  杨德仁 ,  刘帅 ,  茆威威 ,  熊慧凡

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/268

Abstract: 本发明涉及碳化硅技术领域，公开了一种提高碳化硅晶圆中少数载流子寿命的方法，通过从非晶硅薄膜中逸出的氢原子对所述碳化硅晶圆表面的碳空位缺陷进行钝化，从而提高所述碳化硅晶圆的表面寿命；再通过对所述非晶硅薄膜进行激光照射，增加从所述非晶硅薄膜中逸出到所述碳化硅晶圆中的氢原子数量，所述氢原子对所述碳化硅晶圆内部的碳空位缺陷进行钝化，从而提高所述碳化硅晶圆的体寿命，从而最终通过提高所述碳化硅晶圆表面寿命和体寿命来提高所述碳化硅晶圆中少数载流子的寿命。

公开(公告)号：CN113781487A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202111345465.7

申请日：2021-11-15

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 宋立辉 ,  皮孝东 ,  杨德仁 ,  茆威威

IPC: G06T7/00 ,  G06F17/11 ,  G06F17/16

Abstract: 本发明提供了一种碳化硅晶圆表面复合速率图像生成方法、系统及存储介质，涉及碳化硅的技术领域，利用光致发光成像仪器获得碳化硅晶圆的PL图像，再利用少数载流子连续性方程、碳化硅晶圆前表面复合速率方程、碳化硅晶圆后表面复合速率方程、以及PL信号强度方程，通过计算机数值计算解偏微分方程得到碳化硅晶圆表面复合速率与PL信号强度的函数关系，再根据所述函数关系与所述PL图像得到碳化硅晶圆的表面复合速率图像。本发明通过光致发光成像仪器，相比微波成像的方法速度更快，同时可直接获得碳化硅晶圆的表面复合速率图像，而不是等效少数载流子寿命图像，表征结果更精确。