公开(公告)号：CN110220875B

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN201910497500.3

申请日：2019-06-10

Applicant: 浙江大学

Inventor： 匡翠方 ,  张乘风 ,  陈宇宸 ,  徐良 ,  刘旭 ,  李海峰 ,  毛磊 ,  张克奇

IPC: G01N21/64

Abstract: 本发明公开一种基于荧光差分法的晶格光切片荧光显微成像装备及方法，包括照明系统，承载样品的样品台，检测样品发出的荧光的检测系统以及处理器；照明系统包括沿光路依次布置的激光器，用于改变光束横截面的柱面镜组，用于光束相位调制的空间光调制器，用于透过环形光束的光阑，用于扫描的第一振镜，用于改变光片干涉的轴向位置的第二振镜；检测系统包括探测物镜和相机，收集荧光得到晶格光片照明的图像；处理器用于控制空间光调制器、第二振镜和探测物镜，并重构出三维的荧光样品的成像结果。本发明提高了晶格光片照明显微镜的轴向分辨率，并且可以在原有晶格光片显微镜的结构基础上直接进行数据采集，提高获得三维图像数据集的轴向分辨率。

公开(公告)号：CN111879737A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201910855176.8

申请日：2019-09-10

Applicant: 之江实验室 ,  浙江大学

Inventor： 匡翠方 ,  陈宇宸 ,  刘旭 ,  徐良 ,  郝翔 ,  李海峰

IPC: G01N21/64 ,  G01N21/21 ,  G02B27/58

Abstract: 本发明提供一种产生高通量超衍射极限焦斑的方法，包括步骤：1)生成激发光；2)将生成的损耗光调制为空心损耗光；3)将激发光和空心损耗光合束后转换为光束阵列；4)将光束阵列聚焦在样品上进行受激发射损耗生成高通量超衍射极限焦斑扫描样品。本发明还提供一种产生高通量超衍射极限焦斑的装置。本发明相较于现有技术：具有极高的受激发射损耗显微成像速度和激光直写光刻速度；具有低至几十纳米的超高分辨率。