公开(公告)号：CN116387141B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202310664916.6

申请日：2023-06-07

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 王蓉 ,  刘晓双 ,  皮孝东 ,  钱怡潇 ,  陈方远 ,  王万堂 ,  杨德仁

IPC: H01L21/263 ,  H01L21/324 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种低裂纹碳化硅晶圆制备方法及碳化硅晶圆，包括：具有裂纹的待加工碳化硅晶圆进行粒子辐照形成空位，再进行退火，退火工艺中溢出的硅原子与氧气反应生成具有粘性流动的二氧化硅，并且所述空位层中的原子借助空位的长程传输，在所述二氧化硅和所述原子的长程传输的共同作用下，填充待加工碳化硅晶圆表面的裂纹，形成自愈合层，最后通过研磨和抛光，获得低裂纹碳化硅晶圆。本发明采用粒子辐照先在待加工碳化硅晶圆的表面至内部一定深度位置形成空位，在后续退火工艺，形成自愈合层，自愈合层阻止了裂纹在后续的研磨和抛光工艺中向待加工碳化硅晶圆内部延伸以及裂纹之间的耦合，最终得到低裂纹的碳化硅晶圆。

公开(公告)号：CN115799061A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202310029856.0

申请日：2023-01-09

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 皮孝东 ,  张玺 ,  王蓉 ,  朱如忠 ,  王万堂 ,  杨德仁

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供了一种SiC晶圆切割片加工方法及SiC晶圆切割片加工装置，所述SiC晶圆切割片加工方法对SiC切割片具有切割损伤层的表面先进行氯基气体等离子体刻蚀，再对氯基气体等离子体刻蚀完的SiC切割片表面进行氟基气体等离子体刻蚀，并对氟基气体等离子体刻蚀完的SiC切割片表面进行精抛并进行清洗，不需要对SiC切割片具有切割损伤层的表面进行研磨、粗抛处理，后续直接进行精抛，不仅省却了两步研磨抛光工艺，更省却了研磨抛光后的多步清洗步骤，能有效减少清洗流程化学试剂用量，实现了SiC切割片同步刻蚀均匀去除的效果，对工业化生产提高加工效率具有指导意义。

公开(公告)号：CN221977891U

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202420479913.5

申请日：2024-03-12

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 王万堂 ,  王蓉 ,  皮孝东 ,  李国峰 ,  杨德仁

IPC: H01L21/677

Abstract: 本实用新型涉及晶片生产技术领域，特别涉及一种晶圆自动下片及装盒装置。晶圆自动下片及装盒装置包括下片单元、中转单元、装盒单元；下片单元中的下片机械手通过机械作用将待卸晶圆从陶瓷盘卸下成为独立晶圆，并托举独立晶圆直至将独立晶圆转移至中转单元，中转单元中的晶圆定位工位调整晶圆的朝向，中转单元中的中转机械手将独立晶圆转移至装盒单元，从而实现在常温状态下对待卸晶圆进行脱蜡下片成为独立晶圆，并自动识别独立晶圆的尺寸、调整独立晶圆的朝向、将独立晶圆装入对应的花篮，从而实现晶圆的自动下片和装盒功能。避免人工操作中存在的晶圆损伤、沾污、生产效率低、安全风险高、数据缺乏实时监控，质量追溯困难的问题。