公开(公告)号：CN101944554A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN201010283048.X

申请日：2010-09-16

Applicant: 浙江大学

Inventor： 杨德仁 ,  顾鑫 ,  樊瑞新 ,  余学功

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种硅片的铝硼共吸杂的方法，包括如下步骤：制备掺硼铝源，硅片清洗，利用丝网印刷或旋涂技术在硅片表面形成硼铝层，一步或多步退火，硅片表层去除。本发明利用了硼相对铝在硅中有较大固溶度的特点，在铝中掺入硼，利用铝和硅的合金化过程将硼掺入到硅背面的重掺层中，得到掺杂浓度很高的铝硼共吸杂层。本发明的铝硼共吸杂的方法，可以在相同退火温度下，形成更深、均匀、掺杂浓度更高的吸杂层；而且可以在较低的温度下达到其他工艺的吸杂效果，减少了高温对硅片性能的影响。本发明的铝硼共吸杂的方法具有成本低、易操作、吸杂效果好的特点，具有较大的应用前景。

公开(公告)号：CN1110067C

公开(公告)日：2003-05-28

申请号：CN99127558.6

申请日：1999-12-29

Applicant: 浙江大学

Inventor： 季振国 ,  樊瑞新 ,  袁骏 ,  阙端麟

IPC: H01L21/208

Abstract: 利用液相外延技术制作微型硅构件的方法，先将衬底硅片氧化，然后在氧化膜上开出所需构件形状的窗口，露出硅底层，将硅片浸入经硅饱和的金属熔体中，利用硅液相外延法在窗口上外延生长硅构件。由于外延构件与硅衬底电阻率的不同，通过化学腐蚀将构件与衬底分离，由此即可制造所需形状的微型硅的构件，而且所用的衬底可以重复使用，使硅材料的利用率大大提高。

公开(公告)号：CN1259761A

公开(公告)日：2000-07-12

申请号：CN99127558.6

申请日：1999-12-29

Applicant: 浙江大学

Inventor： 季振国 ,  樊瑞新 ,  袁骏 ,  阙端麟

IPC: H01L21/208

Abstract: 利用液相外延技术制作微型硅构件的方法,先将衬底硅片氧化,然后在氧化膜上开出所需构件形状的窗口,露出硅底层,将硅片浸入经硅饱和的金属熔体中,利用硅液相外延法在窗口上外延生长硅构件。由于外延构件与硅衬底电阻率的不同,通过化学腐蚀将构件与衬底分离,由此即可制造所需形状的微型硅的构件,而且所用的衬底可以重复使用,使硅材料的利用率大大提高。