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公开(公告)号:CN117961056A
公开(公告)日:2024-05-03
申请号:CN202311816770.9
申请日:2023-12-27
Abstract: 本申请公开了一种高导热金刚石复合材料及其制备方法,方法为:铬粉与预处理后的金刚石混合,并在750‑1050℃条件下真空高温共混反应0.5‑4h得到表面镀铬的改性金刚石颗粒;将改性金刚石颗粒与增稠剂按照2‑4:1的质量比混合形成假塑性墨水;利用直写式3D打印按照预设的多孔金刚石预制坯体几何结构3D打印成型,并烘干固化、脱脂处理得到金刚石预制坯体;将金刚石预制坯体置于模具中,并将金属基体材料放置在金刚石预制坯体上进行真空熔渗后冷却得到金刚石复合材料。本申请利用直写3D打印技术,构建具有三维互通互连的金刚石网络结构的金刚石复合材料,实现提高金刚石复合材料热导率性能的目标。
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公开(公告)号:CN117887453A
公开(公告)日:2024-04-16
申请号:CN202410087266.8
申请日:2024-01-22
Applicant: 郑州大学
Abstract: 本发明涉及一种AB位共掺杂锰离子卤化物纳米材料的合成方法,合成方法包括以下步骤:1)将溴化铯等原料和A位掺杂物原料、B位掺杂物原料进行混合,混合后进行表面活化处理,再进行高能球磨,得到混合物;2)混合物加入到反应溶剂和配体的混合溶液中,在紫外光辅助下进行反应,实现配体钝化,得到反应物;3)反应物进行氧化硅包裹,得到超顺磁颗粒;4)超顺磁颗粒进行干燥、球磨和消除静电处理,得到AB位共掺杂锰离子卤化物纳米材料。本发明通采用固相法合成纯度较高的AB位共掺杂的锰离子金属卤化物,与普通锰离子金属卤化物纳米材料相比,发光强度提高。
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公开(公告)号:CN116586098A
公开(公告)日:2023-08-15
申请号:CN202310602671.4
申请日:2023-05-26
Applicant: 郑州大学
IPC: B01J27/24 , C02F1/30 , B01J37/08 , B01J37/34 , C02F101/34 , C02F101/38
Abstract: 本发明涉及一种蛭石/石墨相氮化碳/溴氧化铋复合材料的制备方法:1)利用微波加热的方法将过氧化氢预处理后的蛭石颗粒进行膨胀处理,得到膨胀蛭石颗粒;2)将膨胀蛭石颗粒与三聚氰胺加入到水中并搅拌加热蒸干其中液体后,将固体混合物煅烧,制得蛭石/g‑C3N4复合材料;3)将蛭石/g‑C3N4复合材料与溴化钠加入到水中搅拌后,再加入用冰乙酸溶解的五水合硝酸铋,搅拌反应后,室温下静置陈化,过滤、洗涤、干燥后,即得。本发明蛭石/g‑C3N4/BiOBr复合材料通过使用具有较大比表面积及层间限域空间的膨胀蛭石来作为载体负载g‑C3N4与BiOBr,使其具有良好的分散效果,同时构筑了g‑C3N4/BiOBr异质结,从而使复合材料表现出更高的光催化活性,实现了对水中的四环素污染物更经济、高效的降解。
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公开(公告)号:CN113115581B
公开(公告)日:2022-12-02
申请号:CN202110395318.4
申请日:2021-04-13
Applicant: 郑州大学
Abstract: 本发明涉及一种Ti3C2Tx复合材料及其制备方法,属于电磁屏蔽材料制备技术领域。本发明的Ti3C2Tx复合材料的制备方法,包括以下步骤:在聚合物微球上包覆Ti3C2Tx单层纳米片层,然后进行碳化处理,即得。本发明的Ti3C2Tx复合材料的制备方法通过使用聚合物微球作为模板包覆Ti3C2Tx单层纳米片,碳化处理后获得,在保留了Ti3C2Tx材料高导电性的同时,由于聚合物微球模板热裂解使Ti3C2Tx单层纳米片层产生孔洞,进而使得制得材料具有多孔结构,材料密度更小,同时增强材料对电磁波的多次反射损耗,电磁波吸收屏蔽性能更好。
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公开(公告)号:CN114874006A
公开(公告)日:2022-08-09
申请号:CN202210543775.8
申请日:2022-05-19
Applicant: 郑州大学
IPC: C04B35/488 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明涉及一种高熵复合陶瓷及其制备方法,高熵复合陶瓷具有两相结构,其两相分别为(Ca,Sr,Ba)ZrO3相和hBN相。本发明首先将CaZrO3、SrZrO3和BaZrO3粉体进行湿磨混合,然后将混合均匀的浆料充分干燥,对干燥后的粉体进行无压烧结实现高熵陶瓷粉体的制备,再将高熵陶瓷粉体和hBN粉体按照一定比例混合,对混合粉体进行放电等离子烧结或热压烧结实现高熵复合陶瓷的制备。本发明首次成功合成出了(Ca,Sr,Ba)ZrO3‑hBN高熵复合陶瓷,通过多项技术表征,合成的(Ca,Sr,Ba)ZrO3‑hBN高熵复合陶瓷具有较高的致密度、优异的抗弯强度、较高的热导率、较低的热膨胀系数以及优异的抗热震性能。
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公开(公告)号:CN110734289B
公开(公告)日:2022-04-08
申请号:CN201910726169.8
申请日:2019-08-07
Applicant: 郑州大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明提供了一种一硼化物高熵陶瓷,高熵陶瓷为单相四方结构,原子百分比表达式为(Cr0.2Ni0.2W0.2Mo0.2Ta0.2)B。本发明首先通过行星球磨将单质金属Cr,Ni,W,Mo,Ta和B粉体进行湿磨混合,然后将混合均匀的原料在旋转蒸发器中充分干燥,最后对混合均匀的原料进行热压烧结实现高熵陶瓷块体的制备,通过调整工艺参数,获得单相结构的高熵陶瓷。该方法首次成功合成出了一硼化物的高熵陶瓷,通过多项技术表征,合成的(Cr0.2Ni0.2W0.2Mo0.2Ta0.2)B高熵陶瓷具有较高的致密度和硬度,以及远低于混合原料的热导率。
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公开(公告)号:CN113773089A
公开(公告)日:2021-12-10
申请号:CN202110998037.8
申请日:2021-08-27
Applicant: 郑州大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明涉及一种高熵二硅化物及其制备方法,属于高熵陶瓷材料技术领域。所述高熵二硅化物是由Mo、W、Ta、V、Nb以及Si六种元素按照1:1:1:1:1:10的摩尔比合金化形成的具有C40晶体结构的单相化合物,致密度大于99.2%,维氏硬度为14GPa~18GPa,热导率为7W·m‑1·k‑1~11W·m‑1·k‑1,而且该高熵二硅化物具有优异的抗氧化性能。采用热压烧结工艺制备所述高熵二硅化物,克服了烧结过程中金属粉末和硅粉易碳化以及金属元素易氧化的情况,而且有利于实现元素间的均匀扩散,得到纯度较高、热稳定性较高的产物;该工艺简单,易于操作,有利于实现高熵二硅化物的大量生产。
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公开(公告)号:CN113548898A
公开(公告)日:2021-10-26
申请号:CN202110953152.3
申请日:2021-08-19
Applicant: 郑州大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/626
Abstract: 本发明提供了一种(Mo0.2W0.2V0.2Cr0.2Ni0.2)B高熵陶瓷粉体及其制备方法,(Mo0.2W0.2V0.2Cr0.2Ni0.2)B高熵陶瓷粉末为单相正交结构,本发明首先通过球磨将单质金属Mo,W,V,Cr,Ni和B粉,NaCl粉体以及乙醇进行湿磨混合,然后将混合均匀的原料在旋转蒸发器中干燥,最后进行热处理实现高熵粉体的制备,通过严格控制工艺参数,获得单相结构的高熵粉体,首次利用熔盐法成功合成出了一硼化物的高熵粉体,通过多项技术表征,合成的(Mo0.2W0.2V0.2Cr0.2Ni0.2)B高熵陶瓷粉末具有较好的形貌和分散性,丰富了陶瓷材料体系。
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公开(公告)号:CN101747082B
公开(公告)日:2013-07-31
申请号:CN200810231247.9
申请日:2008-12-08
Applicant: 郑州大学 , 河南省伯马股份有限公司
IPC: C09D5/08
Abstract: 本发明公开了一种滑板抗氧化涂料及其制备方法,包括以下重量百分含量的原料制备而成:抗氧化功能添加剂10—70%,结合剂15—80%,稀释剂5—20%。其制备方法为:将抗氧化功能添加剂及结合剂混合后球磨,球磨时球料比为(4~1):1,转速为200~800转/分,球磨时间为5~40小时;向经球磨过的涂料中加入重量百分含量为5~20%的稀释剂,混合均匀后即制得成品。本发明的涂料呈灰黑色、粘稠状,可用普通工艺进行刷涂,涂层厚度在大范围内可调。本发明提供的抗氧化涂料的制备方法原料易得、工艺与设备简单、成本低、易于规模化生产。所得的涂料在高温下具有优异的抗氧化和自润滑性能。
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公开(公告)号:CN101817682B
公开(公告)日:2012-05-30
申请号:CN201010160756.4
申请日:2010-04-30
Applicant: 郑州大学
IPC: C04B35/563 , C04B35/565 , C04B35/624
Abstract: 本发明属于无机复合材料的制备技术领域,特别涉及一种SiC-B4C复合型热电材料的制备方法。采用溶胶-凝胶法制备SiO2前驱体,在前驱体制备过程中加入B4C和蔗糖,前驱体经陈化、干燥、研磨后倒入石墨模具中,利用热压反应烧结制备出SiC-B4C复合材料。本发明能够在较低温度下制备出SiC-B4C复合型热电材料,节约能源,降低制造成本,同时积极推进高温型热电材料的发展,具有很大的社会效益和经济效益。
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