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公开(公告)号：CN107930711B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201711315422.8
申请日：2017-12-07
申请人： 河北工业大学
IPC分类号： B01L3/00
摘要： 本发明公开了一种微液滴输运方法，该方法以烧有聚四氟乙烯疏水薄膜的Y切铌酸锂芯片为基底，在均匀紫外光辐照下，通过聚焦激光触发微液滴的定向输运。该方法所需的芯片结构简单可靠，在双电场的作用下，通过光电润湿方法完成对微液滴的定向输运，可作用于极性液体，对待输运微液滴的物性没有特殊要求，且待输运液滴对聚焦激光的光触发响应迅速，沿芯片C轴背向聚焦激光运动，聚焦激光对微液滴的作用时间短，可有效保证待输运液体的稳定性。该技术可用于生物、化学、医学分析过程中的微量药剂及流体样品的输运，对生物医疗、药物诊断、环境监测以及分子生物学等领域的发展具有非常重要的意义。
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公开(公告)号：CN110161596A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910427612.1
申请日：2019-05-20
申请人： 河北工业大学
摘要： 本发明公开了一种制作变焦液体微透镜的装置及方法，该装置包括激光器1、电子快门2、光阑3、激光反射镜4、背景光源11、三维移动平台9、铌酸锂芯片10、聚焦物镜5、观测物镜6、滤光片7、CCD相机8。本发明由激光光路、实时观测光路两部分组成，通过利用辐照铌酸锂产生的光生伏打电场实现不同焦距液体微透镜的制作，该方法具有液体微透镜焦距实时可控等特点，且整个过程可实时观测。微透镜是一种重要的光学器件，因此，该技术可应用聚焦、成像、光束整形等诸多领域，对光学行业的发展具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN109759157A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201910220567.2
申请日：2019-03-20
申请人： 河北工业大学
IPC分类号： B01L3/00
摘要： 本发明公开了一种用于微气泡分离的微流控芯片。所述芯片主要由聚二甲基硅氧烷(PDMS)和C切铌酸锂制作的两块芯片键合而成，上芯片包括：注液孔，注气孔，微通道，出液口。下芯片材料为C切铌酸锂晶片。该微流控芯片利用激光照射C切铌酸锂晶片产生的电场实现微通道中微气泡的分离。该芯片制作方法简单，微气泡分离部位、分离时间可控。可用于医学、环境分析过程中对气相载体的分离。在微流体操控领域中完善了微气泡分离技术，对微流控芯片功能的完善具有重要意义。
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公开(公告)号：CN109136411A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811047969.9
申请日：2018-09-10
申请人： 河北工业大学
摘要： 本发明实施例公开了一种控制细菌集群的方法及装置，该方法包括：将待操控的细菌菌液滴在晶片上，并经盖玻片压片，构成芯片试样，将所述芯片试样置于加热温腔的中心通孔上方，连同所述芯片试样一起，将加热温腔置于微动样品台中央；打开激光器，并调整激光器的位置，通过调节光阑和透镜使激光光斑聚焦在所述芯片试样，然后关闭激光器；设定激光器的功率值，再次开启激光器，实现对细菌集群的控制。在本发明的实施例中，通过设定激光器的功率值可以在短时间内快速实现对细菌集群的控制。
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公开(公告)号：CN109127180A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811047970.1
申请日：2018-09-10
申请人： 河北工业大学
CPC分类号： B05B5/08 , B05B5/025 , B05B13/0431
摘要： 本发明公开了一种基于C切铌酸锂晶片实时可控溶胶喷射的装置及方法，该装置包括激光器1、快门2、CCD相机3、带阻滤光片4、半透半反镜5、物镜6、铌酸锂晶片7、石英晶片8、背景光源9。铌酸锂晶片7和石英晶片8组成的平行对称结构作为核心装置，此核心装置通过与激光器1、快门2协同配合实现待喷射溶胶喷射微量溶胶液滴到铌酸锂晶片7的任意位置。本发明利用铌酸锂晶片实现了溶胶凝胶法制备的溶胶的喷射，同时喷射的溶胶液滴大小及位置可控。该技术在生物医疗、化学检测、薄膜制备等领域的发展都具有非常重要的意义。
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公开(公告)号：CN106449873B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201610864021.7
申请日：2016-09-29
申请人： 河北工业大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/322
摘要： 本发明公开了一种铸锭多晶硅片铝吸杂的方法，其主要步骤如下：(1)清洗；(2)真空蒸镀铝层；(3)进炉；(4)第一步退火；(5)匀速降至低温；(6)第二步退火；(7)降温；(8)除去杂质层。经过大量的实验验证，本发明工艺能除去铸锭多晶硅片中大部分的金属杂质(如铁、镍、铜、钴等)，从而增加少子寿命提高太阳能电池的光电转换效率。通过仪器测定，经过本发明铝吸杂的多晶硅片的平均少子寿命在15.80μs左右，并且本发明的铝吸杂工艺较为稳定，有较高的工业化生产价值。
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公开(公告)号：CN107024452A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710298853.1
申请日：2017-04-27
申请人： 河北工业大学
IPC分类号： G01N21/41
摘要： 本发明公开了一种光折变材料微区折射率的实时调控装置及方法，涉及微结构制作技术领域。一种光折变材料微区折射率的实时调控装置包括：激光器(1)、起偏器、电光调制器、NPBS、光学整形器(1)、样品、三维平移台、光学整形器(2)、电子快门、激光器(2)、检偏器、光电探头、锁相放大器、计算机。本发明的装置及方法可对光折变微区折射率进行实时调控，可精确制作光折变微结构。光折变微结构可在光开关、光互连以及光路由等光子器件制备方面有广阔应用前景。
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公开(公告)号：CN106978624A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201710223931.1
申请日：2017-04-07
申请人： 河北工业大学
CPC分类号： C30B28/10 , C23C14/3414 , C23C14/35 , C30B29/06
摘要： 本发明涉及一种生长多晶硅靶材的方法，包括装炉、化料、引晶、放肩、转肩、等径和收尾过程，所述引晶过程是：多晶硅原料化料完成后，将加热功率降至引晶所需大小，降温至使熔体硅的液面具有过冷度，降低提拉装置上的籽晶杆，使籽晶底面接触熔体硅，待观测到籽晶与熔体硅接触位置的光圈稳定时，以3~7mm/min的拉晶速率向上拉籽晶，晶体在籽晶和熔体硅的接触面随籽晶的提高而生长即凝固，当得到的晶体尺寸维持在直径为3~5mm、长度为160~190mm时，得到细晶，进而降低拉晶速率进入放肩阶段；所述放肩过程是：拉晶速率降低至0.4～0.8mm/min，同时以15～25℃/hr的降温速率进行线性降温，使晶体放肩，直至晶体直径为小于产品所需直径5～7mm的大小时，停止线性降温。
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公开(公告)号：CN106449873A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610864021.7
申请日：2016-09-29
申请人： 河北工业大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/322
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L21/3221
摘要： 本发明公开了一种铸锭多晶硅片铝吸杂的方法，其主要步骤如下：(1)清洗；(2)真空蒸镀铝层；(3)进炉；(4)第一步退火；(5)匀速降至低温；大量的实验验证，本发明工艺能除去铸锭多晶硅片中大部分的金属杂质(如铁、镍、铜、钴等)，从而增加少子寿命提高太阳能电池的光电转换效率。通过仪器测定，经过本发明铝吸杂的多晶硅片的平均少子寿命在15.80μs左右，并且本发明的铝吸杂工艺较为稳定，有较高的工业化生产价值。(6)第二步退火；(7)降温；(8)除去杂质层。经过
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公开(公告)号：CN106383000A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201610805081.1
申请日：2016-09-01
申请人： 河北工业大学
IPC分类号： G01L1/25
摘要： 本发明公开了一种基于单晶体双电光调制实时测量光学材料微观应力的装置及方法，涉及微观应力测量领域。基于单晶体双电光调制实时测量光学材料微观应力的装置包括：第一激光器、起偏器、样品、微调二维平移台、第二激光器、第三激光器、第一四象限探测器、第二四象限探测器、双电光调制器、检偏器、光电探头、锁相放大器和计算机。本发明通过四象限探测器对试样表面反射光进行实时跟踪定位测量，计算出试样厚度，消除了厚度波动对相位延迟量的干扰，并采用单晶体双电光调制，进一步提高了测量精度。
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