-
公开(公告)号：CN107093657A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710315823.7
申请日：2017-05-08
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: H01L33/12 , B82Y40/00 , H01L33/0075
Abstract: 本发明涉及一种薄膜腔体型图形衬底及其制备方法，其特征在于该图形衬底包括平面衬底，在平面衬底的表面分布由薄膜材料层组成的微纳米阵列的薄膜腔体结构，所述薄膜腔体结构的壁厚为1‑500nm，薄膜腔体结构具有空腔，且薄膜腔体结构上端开口；所述空腔的宽度为100～10000纳米，高度为50～10000纳米；相邻薄膜腔体结构的间距为5～10000纳米。该图形衬底具有高密度的空气腔，空气腔由薄膜材料层围成，薄膜材料层和空气腔构成薄膜腔体结构，该薄膜腔体结构易变形能够有利于释放生长过程中的热应力，有利于提高外延氮化物的晶体质量和的光提取效率。
-
公开(公告)号：CN109608941B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201910041925.3
申请日：2019-01-16
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种基于卤化物的全色荧光加密墨水及其应用方法。该墨水的红、绿和蓝三种基色墨水的配制，包括如下步骤：红色基色墨水：将含溴化合物、含碘化合物和聚乙烯吡咯烷酮加入到第一混合溶剂中；绿色基色墨水：将含溴化合物、含碘化合物和聚乙烯吡咯烷酮加入到第二混合溶剂中；蓝色基色墨水：将含溴化合物、含氯化合物和聚乙烯吡咯烷酮加入到第三混合溶剂中；将所述的红、绿和蓝三种基色墨水装入三色墨盒中，作为热喷墨型打印机的打印墨盒。本发明采用反向阴离子的策略，能同时实现全彩荧光的信息显示，相比于单色的荧光模式，增大信息的储存容量，并且可以显示很多复杂图案信息。
-
公开(公告)号：CN109608941A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201910041925.3
申请日：2019-01-16
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种基于卤化物的全色荧光加密墨水及其应用方法。该墨水的红、绿和蓝三种基色墨水的配制，包括如下步骤：红色基色墨水：将含溴化合物、含碘化合物和聚乙烯吡咯烷酮加入到第一混合溶剂中；绿色基色墨水：将含溴化合物、含碘化合物和聚乙烯吡咯烷酮加入到第二混合溶剂中；蓝色基色墨水：将含溴化合物、含氯化合物和聚乙烯吡咯烷酮加入到第三混合溶剂中；将所述的红、绿和蓝三种基色墨水装入三色墨盒中，作为热喷墨型打印机的打印墨盒。本发明采用反向阴离子的策略，能同时实现全彩荧光的信息显示，相比于单色的荧光模式，增大信息的储存容量，并且可以显示很多复杂图案信息。
-
公开(公告)号：CN107093657B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201710315823.7
申请日：2017-05-08
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种薄膜腔体型图形衬底及其制备方法，其特征在于该图形衬底包括平面衬底，在平面衬底的表面分布由薄膜材料层组成的微纳米阵列的薄膜腔体结构，所述薄膜腔体结构的壁厚为1‑500nm，薄膜腔体结构具有空腔，且薄膜腔体结构上端开口；所述空腔的宽度为100～10000纳米，高度为50～10000纳米；相邻薄膜腔体结构的间距为5～10000纳米。该图形衬底具有高密度的空气腔，空气腔由薄膜材料层围成，薄膜材料层和空气腔构成薄膜腔体结构，该薄膜腔体结构易变形能够有利于释放生长过程中的热应力，有利于提高外延氮化物的晶体质量和的光提取效率。
-
公开(公告)号：CN105742425B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201610261242.5
申请日：2016-04-22
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明具有空穴能量调节层的发光二极管外延结构，涉及至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件，该结构在LED外延结构的P‑型半导体材料传输层中插入一层低势垒的P‑型半导体材料空穴能量调节层，其材质为Alx1Iny1Ga1‑x1‑y1N，式中，0≤x1≤1,0≤y1≤1,0≤1‑x1‑y1，厚度为1nm～300nm，其晶格常数大于P‑型半导体材料传输层Ⅰ和P‑型半导体材料传输层Ⅱ，其禁带宽度小于P‑型半导体材料传输层Ⅰ和P‑型半导体材料传输层Ⅱ。本发明利用极化电场增加空穴能量提高空穴注入效率，并且没有增加空穴势垒，克服了现有技术存在的空穴注入效率低，内量子效率不高的缺陷。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105895765A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610257519.7
申请日：2016-04-22
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L33/14
CPC classification number: H01L33/14
Abstract: 本发明具有电子能量调节层的发光二极管外延结构，涉及至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件，从上至下顺序包括衬底、缓冲层、第一N型半导体材料、电子能量调节层、第二N型半导体材料层、多量子阱层、P型电子阻挡层和P?型半导体材料传输层，其中电子能量调节层的相对介电常数为8.5～15.3，小于第一N型半导体材料层和第二N型半导体材料层的介电常数，其厚度为1～5000nm，材料为n?型掺杂，并且其掺杂元素浓度需大于第一N型半导体材料层和第二N型半导体材料层，n?型掺杂是通过掺杂Si、Ge、O或H元素实现，克服了现有技术存在减小漏电子电流的同时却影响空穴的注入效率的缺陷。
-
公开(公告)号：CN105742432A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610257520.X
申请日：2016-04-22
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明一种减小量子阱中俄歇复合率的LED外延结构，涉及至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件，该结构包括衬底、半导体材料缓冲层、N?型半导体材料、多量子阱层、P?型电子阻挡层和P?型半导体材料传输层；所述多量子阱层的材质为Alx1Iny1Ga1?x1?y1N/Alx2Iny2Ga1?x2?y2N，通过量子阱Alx1Iny1Ga1?x1?y1N中组份渐变的结构来实现量子阱的平带结构，以达降低量子阱区的载流子局域密度，减小俄歇复合率，提高器件的内量子效率和改善效率衰减效应，克服了现有技术存在的量子阱中极化电荷引起量子阱能带倾斜和俄偈复合严重的缺陷。
-
公开(公告)号：CN105742425A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610261242.5
申请日：2016-04-22
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明具有空穴能量调节层的发光二极管外延结构，涉及至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件，该结构在LED外延结构的P?型半导体材料传输层中插入一层低势垒的P?型半导体材料空穴能量调节层，其材质为Alx1Iny1Ga1?x1?y1N，式中，0≤x1≤1,0≤y1≤1,0≤1?x1?y1，厚度为1nm～300nm，其晶格常数大于P?型半导体材料传输层Ⅰ和P?型半导体材料传输层Ⅱ，其禁带宽度小于P?型半导体材料传输层Ⅰ和P?型半导体材料传输层Ⅱ。本发明利用极化电场增加空穴能量提高空穴注入效率，并且没有增加空穴势垒，克服了现有技术存在的空穴注入效率低，内量子效率不高的缺陷。
-
公开(公告)号：CN105702829A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610257517.8
申请日：2016-04-22
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明具有P-型欧姆接触层的发光二极管外延结构，涉及以电极为特征的至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件，该结构从下至上顺序包括衬底、缓冲层、N-型半导体材料层、多量子阱层、P-型电子阻挡层、P-型半导体材料传输层和P-型欧姆接触层，其中，P-型欧姆接触层的组成为AlxInyGa1-x-yN,其中0≤x＜1，0≤y＜1，0≤１-ｘ-y，并且组分量是渐变的，沿着生长方向其晶格常数逐渐增加，并且禁带宽度逐渐减小。本发明克服了现有技术存在的宽禁氮化物半导体难于形成P型欧姆接触和空穴供应困难的缺陷，提高了LED的发光效率。
-
公开(公告)号：CN105702816A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610257518.2
申请日：2016-04-22
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/02 , H01L33/14
Abstract: 本发明一种氮化物发光二极管芯片的制备方法，涉及至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件，是增强半导体掺杂效率和载流子浓度的深紫外发光二极管的制备方法，在发光二极管结构中引入绝缘层/半导体结构，通过外部电场实现半导体增强型效应，利用外加电压，实现能带弯曲，引起局部载流子浓度的增加，从而间接地提高掺杂效率，最终提高发光二极管的发光效率，本发明克服了现有技术为增加发光二极管掺杂效率和载流子浓度是采用在外延生长时进行控制，其要求控制精度高、工艺复杂和重复性差的缺陷。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
42
records
(took 0.022 seconds)
