溶剂热法合成纳米花球状In2Se3(DETA)杂化材料的方法

    公开(公告)号:CN102849687B

    公开(公告)日:2014-03-12

    申请号:CN201210348342.3

    申请日:2012-09-19

    Applicant: 江苏大学

    Abstract: 本发明属于光电半导体纳米材料合成技术领域,涉及无机有机杂化材料的合成方法,特别涉及一种溶剂热法合成纳米花球状In2Se3(DETA)杂化材料的方法。本发明以铟盐和硒粉为反应物,以二乙烯三胺(DETA),乙二醇(EG)为溶剂,在内衬为聚四氟乙烯的反应釜中经溶剂热反应,洗涤分离后真空干燥而成。从生长机理上推断,该方法适合其他无机有机杂化材料的合成。所制备的纳米花球状In2Se3(DETA)杂化材料,由大面积三维花状结构组成,每个花的直径在2~3微米,是由长方形纳米片通过一个点向四周辐射而构成,纳米片的表面光滑,厚度在30nm左右;该花状结构没有团聚现象,分散性很好,结晶性高。本发明所公开的制备方法绿色环保、操作简单、可控性强、成本低廉、得到的产物结晶性好、产量高。

    一种立方晶相InSe纳米片的水热合成方法

    公开(公告)号:CN102786038B

    公开(公告)日:2014-03-12

    申请号:CN201210312146.0

    申请日:2012-08-29

    Applicant: 江苏大学

    Abstract: 本发明属于环境友好型纳米材料合成技术领域,涉及纳米材料的合成方法,尤其涉及一种立方晶相InSe纳米片的水热合成方法。一种立方晶相InSe纳米片的水热合成方法,是以二乙烯三胺、水合肼和水三元混合溶液为溶剂,将氯化铟的水溶液和亚硒酸钠的水溶液在180℃的反应釜中水热合成反应,然后用无水乙醇洗涤,离心分离干燥并煅烧后制得。从生长机理上推断,该方法能适用于其他硒、碲金属化合物纳米材料的制备。从其扫描电镜图(SEM)来看,经过煅烧之后,纳米片的结晶性增强,而且表面很光滑,片的大小比较均一,长度在0.6~1.3微米,宽度在0.5~1微米,厚度为60nm,大部分为四方片。本发明制备方法简单、成本低廉、可控性强、产物结晶性好、产量高,绿色环保。

    微波辅助水热法制备氧化铟立方块的方法

    公开(公告)号:CN103408064A

    公开(公告)日:2013-11-27

    申请号:CN201310329931.1

    申请日:2013-08-01

    Applicant: 江苏大学

    Abstract: 本发明属无机纳米材料制备技术领域,涉及纳米氧化铟立方块的制备方法,尤其涉及微波辅助水热法制备氧化铟立方块的方法。本发明先配制硝酸铟与尿素的混合溶液,然后在微波下反应再经离心洗涤生成氢氧化铟前驱物,最后经高温焙烧制得而成,所述的配制硝酸铟与尿素的混合溶液是称取硝酸铟与尿素的摩尔比为1:1~10,加入去离子水溶解,磁力搅拌30min后成均匀无色透明溶液。利用微波辅助反应制备出形貌相对均一的氧化铟,产物为立方块纳米结构,微波反应可将时间缩短到几十分钟,并能在较短时间内达到纯相,晶型较好。本发明工艺简单,重现性好,且所用原材料均为无机化合物,价廉易得,成本较低,符合环境友好要求,便于工业化生产。

    水热法制备二硒化钴-乙二胺微米花的方法

    公开(公告)号:CN102936004A

    公开(公告)日:2013-02-20

    申请号:CN201210410574.7

    申请日:2012-10-25

    Applicant: 江苏大学

    Abstract: 本发明属于无机-有机微纳米复合材料合成领域,涉及利用水热法制备出形貌相对均一的三维微米花的合成方法,特别涉及水热法制备二硒化钴-乙二胺微米花的方法。一种水热法制备二硒化钴-乙二胺微米花的方法,是将亚硒酸钠,氯化钴在含有乙二胺的碱性溶液中,利用水热法经水合肼的还原,制备成二硒化钴-乙二胺的微米花。本发明工艺简单,重现性好,且所用硒源、钴源均为无机化合物,价廉易得,成本低,亚硒酸钠的溶解度不错,符合环境要求,由于该工艺不需要高温、煅烧之类的前处理,在较低温度下即可制备,从而减少了能耗和反应成本,便于工业化批量生产。

    哑铃状Sb2Te3-Te异质结构的水热合成方法

    公开(公告)号:CN102899713A

    公开(公告)日:2013-01-30

    申请号:CN201210318921.3

    申请日:2012-09-03

    Applicant: 江苏大学

    Abstract: 本发明属于纳米材料制备技术领域,涉及到水热反应合成纳米材料,尤其涉及哑铃状Sb2Te3-Te异质结构的水热合成方法。具有优良热电性能的Sb2Te3和具有0.3eV禁带宽度的Te的异质结构材料,却没有被合成过。本发明公开的哑铃状Sb2Te3-Te异质结构的水热合成方法,是以酒石酸为络合剂与三氯化锑形成络合物,氨水碱化,和亚碲酸钾在水合肼的还原作用下,经水热反应后离心洗涤干燥而成。水热反应得到的得到黑色粉末哑铃状结构,由Sb2Te3六边形纳米片和Te纳米棒组成,纳米片直径在400-500nm,纳米棒长度在1微米。

    一种二硒化亚铁微米棒簇和微球的制备方法

    公开(公告)号:CN102826519A

    公开(公告)日:2012-12-19

    申请号:CN201210303733.3

    申请日:2012-08-24

    Applicant: 江苏大学

    Abstract: 本发明属于纳米合成材料与磁学技术领域,涉及利用水热合成制备出形貌均一的微米棒簇和微球的合成方法,特别涉及一种二硒化亚铁微米棒簇和微球的制备方法。本发明是将硫酸亚铁铵和亚硒酸钠在水合肼的还原作用下,利用水热法制备出二硒化亚铁的微米棒簇和微球,形貌为微米棒簇和微球,颜色为灰黑色,该材料具有化学稳定性较好等优点,可望成为新的信息存储材料。本发明制备工艺简单,重现性好,且所用铁源为铁的无机化合物,价廉易得,成本低,亚硒酸钠的溶解度不错,符合环境要求,由于该工艺不需要陈化、煅烧之类的前处理,合成温度较低,从而减少了能耗和反应成本,便于批量生产。

    一种Cu-MOF/BiVO4复合光电极的制备方法和应用

    公开(公告)号:CN110408951B

    公开(公告)日:2021-05-25

    申请号:CN201910633196.0

    申请日:2019-07-15

    Applicant: 江苏大学

    Abstract: 本发明属于纳米复合材料合成技术领域,涉及复合电极的制备,尤其涉及一种Cu‑MOF/BiVO4复合光电极的制备方法和应用。本发明首先采用电化学沉积和煅烧法在FTO基底上制备出蠕虫状结构的BiVO₄,然后再通过电化学沉积法在BiVO₄表面上可控负载一层Cu₂O,最后借助水热合成法将Cu₂O与有机配体反应,原位在BiVO₄表面引入超薄Cu‑MOF薄膜。还可将其作为工作电极应用于光电化学分解水反应。本发明通过简单可行的方法在蠕虫状结构的BiVO4表面负载超薄Cu‑MOF,可有效提高光电极的电子和空穴的分离效率,并增强其对可见光的捕获能力,最终实现一类可将太阳能‑化学能高效转换的新型复合光电极的构建,具有优秀的光电化学性能和良好的化学稳定性;本发明工艺简单,重复性好,符合环境友好要求。

    BiVO4-Ni/Co3O4异质结的合成方法及其应用于光电解水

    公开(公告)号:CN111569896A

    公开(公告)日:2020-08-25

    申请号:CN202010423004.6

    申请日:2020-05-19

    Applicant: 江苏大学

    Abstract: 本发明属于纳米复合材料技术领域,涉及一种BiVO4-Ni/Co3O4异质结合成方法,首先采用电沉积法在FTO基片上生长一层BiOI纳米颗粒,再将乙酰丙酮氧钒水溶液滴加在FTO表面,高温煅烧后生成钒酸铋(BiVO4),通过连续离子吸附反应,将FTO倾斜放置在含有Co(NO3)2·6H2O、Ni(NO3)2·6H2O、C6H12N4、CH4N2O和NH4F的去离子水溶液中,120~200℃水热反应2~5h,取出用去离子水洗净,300~500℃退火时间1.5~3h,自然冷却至室温,即得。本发明还将所制得的异质结,作为光电极应用于光电化学水解反应。本发明利用简单的电沉积法和水热法,操作简单,重复性好,且所用材料成本低,储量大,无毒性,符合环境友好要求;所制得材料能显著降低界面反应势垒,有效抑制固液界面电荷复合,加快水氧化反应动力学,提高光电流密度从而更好的利用太阳能。

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