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公开(公告)号：CN112653413A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011486926.8
申请日：2020-12-16
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明涉及超高频体声波谐振器有效机电耦合系数调节技术，具体涉及调节超高频体声波谐振器有效机电耦合系数的系统及方法。该系统包括正、负电极、压电层、空腔及衬底，正电极、负电极依次交替排列，且均置于压电层之上，压电层置于衬底之上；正、负电极之间设置至少一根悬浮电极。在正负电极中添加极性相反的电压，正负电极间会激发横向电场，在横向电场的作用下悬浮电极的表面会产生感应电荷，悬浮电极与正负电极间形成新的电场，削弱了原横向电场的强度，从而减小压电层中的压电效应，最终改变谐振器的有效机电耦合系数。通过调节悬浮电极的厚度、宽度、数量或者材料属性可以实现对谐振器的机电耦合系数的调节，使其应用于窄带滤波器成为可能。
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公开(公告)号：CN112564666A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011409732.8
申请日：2020-12-03
Applicant: 武汉大学
IPC: H03H9/02
Abstract: 本发明涉及谐振器技术领域，具体涉及一种中空型超高频谐振器，包括衬底、压电层和电极，压电层置于衬底之上；压电层的上表面部分或全部刻蚀形成环形压电层，第一、第二电极沉积在压电层上。该超高频谐振器的压电层上部或全部被刻蚀去一部分，成为环形压电层，使得在压电层中的应力得到释放，也使得电极的相对金属率得到提高，使压电层的压电性能得到更好的表现，使得压电层产生更强的耦合效应，从而使得谐振器的机电耦合系数增加，并能去除阻抗曲线中部分杂波。
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公开(公告)号：CN112350681A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011134557.6
申请日：2020-10-21
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明涉及谐振器技术，具体涉及一种频率可调的薄膜体声波谐振器，自下而上包括衬底、声反射结构、种子层、下电极层、压电薄膜层、上电极层，其中上电极层为条形环绕结构。上电极层的条形环绕结构其宽度、长度、环绕间距、环绕次数均可调整。该薄膜体声波谐振器通过将上电极层设置成条形环绕结构，改变条形环绕结构的长度、宽度、环绕间距、环绕次数，从而改变谐振器的工作频率，并且能够在不改变各层材料厚度的条件下调节薄膜体声波谐振器的谐振频率，实现在一片晶圆上制造不同工作频率的谐振器。
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公开(公告)号：CN112260659A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011152721.6
申请日：2020-10-26
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明涉及体声波谐振器技术，具体涉及一种高Q值薄膜体声波谐振器及其制备方法，该薄膜体声波谐振器包括衬底，还包括位于衬底上部的多个支撑柱，位于多个支撑柱上部的压电叠层区域，该压电叠层区域通过多个支撑柱支撑于空气中，压电叠层区域包括上电极、压电层和底电极。该谐振器通过支撑柱使谐振器的工作区域处于开放的空气域中，减少了谐振区域与衬底的接触面积，使谐振器的边界变形更加自由，通过支撑柱可以使顶电极和底电极边界处于开放的空气域中更好地反射声波，有效减少声波的泄露，提高谐振器的Q值。
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公开(公告)号：CN119354363A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411379997.6
申请日：2024-09-30
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种声表面波无线无源温度传感器和监测系统，所述温度传感器由下至上包括衬底、压电层、顶电极结构，由下至上包括衬底、压电层、顶电极结构，所述衬底带有凹槽，并与压电层形成空腔结构。本发明采用压电材料作为温度敏感材料，采用声表面波的原理进行检测可以应用于无源无线的特殊场景，同时在衬底和压电层之间形成空腔结构，提升了温度传感器的温度检测的范围和精确度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118424374A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410392338.X
申请日：2024-04-02
Applicant: 武汉大学
IPC: G01D21/02
Abstract: 本发明公开了一种集成无线无源薄膜智能传感系统及其制备方法和应用，传感系统包括压电基底、叉指电极、第一反射栅、第二反射栅和质量块；压电基底由下至上包括带有凹槽的衬底和压电层，压电层和衬底形成空腔；叉指电极位于压电基底顶端且环绕空腔设置，叉指电极包括第一插指电极和第二插指电极；第一反射栅和第一插指电极构成谐振型声波传感器；第二反射栅和第二插指电极构成延迟线性型声波传感器，第二反射栅平行于第一反射栅且靠近空腔设置；质量块设置于压电基底顶端且位于空腔上部区域内。本发明能在提高检测灵敏度的同时，通过二维解耦实现力和温度的同时测量。
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公开(公告)号：CN113726307A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110947614.0
申请日：2021-08-18
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种有效机电耦合系数可调的超高频谐振器，其结构包括：沟槽，电极，压电薄膜；电极位于压电薄膜上表面。沟槽横截面为矩形、梯形、弧形中任一种，长度方向与电极长度方向一致，沟槽数目、宽度和深度据实际情况确定。沟槽可位于压电薄膜上表面或下表面或位于上下表面，若其位于压电薄膜上表面，则位于电极左右两侧；若其位于压电薄膜下表面，则位于电极正下方；若其位于压电薄膜上下表面，则上表面的沟槽位于电极左右两侧，下表面的沟槽位于电极正下方。刻蚀沟槽能够有效减小超高频谐振器的带宽，且可以通过改变沟槽的宽度和深度调节有效机电耦合系数，实现带宽可调。
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公开(公告)号：CN113098426A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110275349.6
申请日：2021-03-15
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供了高频低损耗滤波器、谐振器及制备方法，能够有效降低插入损耗。本发明提供的高频低损耗滤波器包括：衬底；至少两个有效谐振部，形成在衬底的主体区域上；和非有效谐振部，包括：形成在衬底的周边区域上的多个电极板，连接电极板的多个连接线，以及连接在任意两个有效谐振部之间、有效谐振部与电极板之间、有效谐振部与连接线之间进行导电的锚结构，其中，非有效谐振部中导电结构的厚度要大于有效谐振部中导电结构的厚度。
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公开(公告)号：CN112865744A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110030254.8
申请日：2021-01-11
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提出了一种基于超高带宽声波谐振器的带宽调节方法。本发明超高带宽声波谐振器包括：衬底、欧拉角变换的压电层、电极层,所述电极层由多个电极构成。本发明调整所述欧拉角变换的压电层的欧拉角，进一步调整所述欧拉角变换的压电层的材料的晶格轴向；通过调整所述欧拉角变换的压电层的材料的晶格轴向，进而调整所述欧拉角变换的压电层的材料的压电应力常数矩阵；通过调整所述欧拉角变换的压电层的材料的压电应力常数矩阵中元素而调整机械耦合系数。本发明通过调整压电材料的欧拉角，改变压电材料的压电应力常数，继而控制又压电系数造成的声波模态耦合产生的机电耦合系数，实现谐振器的带宽控制。
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公开(公告)号：CN112787616A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202110006473.2
申请日：2021-01-05
Applicant: 武汉大学
IPC: H03H9/02
Abstract: 本发明提出了一种谐振器的调频方法。所述谐振器由下电极、压电层、上电极依次叠加构成。所述的压电层上部电极宽度小于或大于下部电极宽度；固定谐振器下电极的宽度，来调节电极的相对金属率，从而调节电极损耗与压电层的压电参数，通过调节上电极的宽度来调节谐振器的谐振频率；本发明方法固定谐振器上电极的宽度，来调节电极的相对金属率，从而调节电极损耗与压电层的压电参数，通过调节下电极的宽度来调节谐振器的谐振频率；本发明谐振器调频方法易于集成且适合量产的可调谐的谐振器，使其能够实现在一片晶圆上制造不同谐振频率的谐振器。
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