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公开(公告)号：CN106843358B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710170849.7
申请日：2017-03-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开一种高电源抑制比全CMOS基准电压源，包括基准电压源，该基准电压源包括启动电路、电流源电路和温度补偿电路；启动电路的输出端连接电流源电路的输入端，电流源电路的输出端连接温度补偿电路的输入端，温度补偿电路的输出端形成整个基准电压源的输出端。本发明利用工作在亚阈值区MOS管的工作特性，产生纳安量级的基准电流，采用共源共栅电流镜，来抑制电源噪声。此外，本发明不仅具有芯片面积小、功耗低，仅为纳瓦量级；而且具有高电源抑制比，低温漂系数和低电源电压调整率的优点，且没有使用电阻、二极管以及三极管，与标准CMOS工艺兼容，有效的缩小了版图面积，并降低生产成本。
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公开(公告)号：CN106410338A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201611028586.8
申请日：2016-11-18
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P1/212
CPC classification number: H01P1/212
Abstract: 本发明公开一种高温超导滤波器，包括输入微带、输出微带和微带谐振器阵；所述微带谐振器阵包括2个以上相互平行排列的谐振器；每个谐振器均为插指结构和分形结构组合而成的谐振器，其中插指结构形成该谐振器的开口端，分形结构形成该谐振器的闭口端；每2个相邻的谐振器之间留有一定的间隙，且两者的闭口端和开口端的位置相互交错；输入微带与微带谐振器阵中的第一个谐振器发生激励关系，输出微带与微带谐振器阵中的最后一个谐振器发生激励关系。本发明具有小型化和更强二次谐波抑制的特点。
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公开(公告)号：CN206696736U
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201720414674.5
申请日：2017-04-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本实用新型公开一种全共栅共源基准电压源，包括并接于电源VDD与地之间的启动电路、基准电流源电路和温度补偿电路；启动电路、基准电流源电路和温度补偿电路依次连接；启动电路输出端与基准电流源电路连接，用于电源上电时提供启动电流，使基准电压源摆脱简并偏置点；基准电流源电路的输出端与温度补偿电路连接，利用共源共栅电流镜提高电源电压抑制比和电压调整率，用于产生基准电流；温度补偿电路，用于产生低温漂的基准电压，采用共源共栅电流镜，从基准电流源电路中复制电流，温度补偿电路输出电压即为该基准电压源输出电压Vref。本实用新型为超低功耗全cascode基准电压源，更好的抑制电源噪声。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN207742590U
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201820092451.6
申请日：2018-01-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 本实用新型公开一种三输出低温漂低功耗基准电压源，由并联于电源VDD与地GND之间的启动电路、电流产生电路和三输出基准电压产生电路组成。启动电路，用于在电源上电时提供启动电流，使基准电压源摆脱简并偏置点。电流产生电路，利用共源共栅电流镜提高电源电压抑制比和电压调整率，产生提供三输出基准电压产生电路的输入电流，为基准电压产生电路提供电流。三输出基准电压产生电路，用于产生低温漂的三个基准电压。本实用新型能够解决传统基准电压源电路的输出电压值单一，温漂系数较差，以及功耗较大的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206401481U
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201621249978.2
申请日：2016-11-18
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P1/212
Abstract: 本实用新型公开一种高温超导滤波器，包括输入微带、输出微带和微带谐振器阵；所述微带谐振器阵包括2个以上相互平行排列的谐振器；每个谐振器均为插指结构和分形结构组合而成的谐振器，其中插指结构形成该谐振器的开口端，分形结构形成该谐振器的闭口端；每2个相邻的谐振器之间留有一定的间隙，且两者的闭口端和开口端的位置相互交错；输入微带与微带谐振器阵中的第一个谐振器发生激励关系，输出微带与微带谐振器阵中的最后一个谐振器发生激励关系。本实用新型具有小型化和更强二次谐波抑制的特点。
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公开(公告)号：CN207742591U
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201820093056.X
申请日：2018-01-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 本实用新型公开一种双输出低温漂基准电压源，由并联于电源VDD与地GND之间的启动电路、电流产生电路和双输出基准电压产生电路组成。启动电路，用于在电源上电时提供启动电流，使基准电压源摆脱简并偏置点。电流产生电路，利用共源共栅电流镜提高电源电压抑制比和电压调整率，产生提供双输出基准电压产生电路的输入电流，为基准电压产生电路提供电流。双输出基准电压产生电路，产生低温漂的两个基准电压。本实用新型能解决传统基准电压源电路的输出电压值单一，温漂系数和电源电压抑制比较差的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207083069U
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201721091847.0
申请日：2017-08-29
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03K19/0175 , H03K5/01
Abstract: 本实用新型公开一种基于频率转换的电容传感器接口电路，由基于电容变化的频率调制电路和频率电压转换电路组成；基于电容变化的频率调制电路的输入端形成整个接口电路的输入端，与被测电容连接；基于电容变化的频率调制电路的输出端连接频率电压转换电路的输入端；频率电压转换电路的输出端形成整个接口电路的输出端；通过基于电容变化的频率调制电路先将被测电容值转换为频率值，再通过频率电压转换电路将频率值转换为电压值。本实用新型能够有效抑制低频处噪声的影响，仅需要一个输入信号周期，可将频率信号转化为相应的电压信号，减小了输出的延时，极大的提高电容传感器接口电路反应速度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206573970U
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201720277052.2
申请日：2017-03-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本实用新型公开一种高电源抑制比全CMOS基准电压源，包括基准电压源，该基准电压源包括启动电路、电流源电路和温度补偿电路；启动电路的输出端连接电流源电路的输入端，电流源电路的输出端连接温度补偿电路的输入端，温度补偿电路的输出端形成整个基准电压源的输出端。本实用新型利用工作在亚阈值区MOS管的工作特性，产生纳安量级的基准电流，采用共源共栅电流镜，来抑制电源噪声。此外，本实用新型不仅具有芯片面积小、功耗低，仅为纳瓦量级；而且具有高电源抑制比，低温漂系数和低电源电压调整率的优点，且没有使用电阻、二极管以及三极管，与标准CMOS工艺兼容，有效的缩小了版图面积，并降低生产成本。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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