公开(公告)号：CN115073160A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210912506.4

申请日：2022-07-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨心怡 ,  杨华斌 ,  陈巧红 ,  王雪婷 ,  关士博

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645

Abstract: 一种具有微纳米电畴结构、高使用温区的高性能铁酸铋‑钛酸钡陶瓷及其热压烧结制备方法，其组成通式为：(1‑u)BiFe1‑xGaxO3‑uBaTiO3+0.35mol%MnCO3+nCuO+pBi(Ti1/2Zn1/2)O3+mLi2CO3+yBi(Zn2/3Nb1/3)O3，其中u、x、n、p、m和y表示摩尔分数，Li2CO3和CuO为低温烧结助剂，且0.20≤u≤0.45，0≤x≤0.05，0≤n≤0.01，0＜p≤0.20，0＜m≤0.01，0≤y≤0.02。本发明利用烧结助剂和热压反复“捶打”工艺，降低了烧结温度，减少了Bi元素的挥发和降低了晶格缺陷浓度，提高了陶瓷的致密度，大幅降低了该体系的介电损耗。利用驰豫铁电材料Bi(Zn2/3Nb1/3)O3减小了陶瓷的电畴尺寸，提高了陶瓷的压电性能；利用Bi(Ti0.5Zn0.5)O3提高了陶瓷的居里温度，提高了陶瓷在高温下的温度稳定性，最高使用温度可达到350℃以上。

公开(公告)号：CN110128128B

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN201910582276.8

申请日：2019-07-01

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 孙媛媛 ,  杨华斌 ,  刘笑 ,  江民红 ,  陈巧红 ,  张秀云 ,  黄蔚然

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种具有零温度系数及高温稳定性的铁酸铋‑铝酸铋‑锌钛酸铋高温压电陶瓷及其制备方法，其组成通式为：xBi1.05FeO3‑yBiAlO3+zBi(Ti0.5Zn0.5)O3+tP+mMnCO3，其中P为Ba(W0.5Cu0.5)O3、CuO、Li2CO3中的一种或多种烧结助剂的组合；x、y、z、t、m表示摩尔分数，且0.50≤x≤0.80,0

公开(公告)号：CN110128127A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201910582275.3

申请日：2019-07-01

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 孙媛媛 ,  杨华斌 ,  黄蔚然 ,  陈巧红 ,  江民红 ,  刘笑 ,  张秀云

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种具有高压电性能及高温稳定性的铁酸铋-钛酸钡基无铅压电陶瓷及其制备方法，其组成通式为：xBiFeO3-yBaTiO3+uBi(Ti0.5Zn0.5)O3+mP+tMnCO2，其中P为Ba(W0.5Cu0.5)O3、Ba(Cu1/3Nb2/3)O3、B2O3、Li2CO3、V2O5中的一种或多种烧结助剂的组合；x、y、u、m、t表示摩尔分数，且0.65≤x≤0.85,0.15≤y≤0.35,0.05

公开(公告)号：CN115073159B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202210912495.X

申请日：2022-07-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈巧红 ,  杨心怡 ,  杨华斌 ,  关士博 ,  王雪婷

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明公开了一种具有高居里温度及高压电性能的铁酸铋‑钛酸钡陶瓷及其低温含氧热压烧结制备方法，所述陶瓷的组成通式为：(1‑u)BiFeO3‑uBaTiO3+1.0mol%MnCO3+xmol%(Bi0.5Na0.25Li0.25)TiO3+ymol%Ba(W1/2Cu1/2)O3+zmol%B2O3，其中u、x、y和z表示摩尔分数，(Bi0.5Na0.25Li0.25)TiO3、Ba(W0.5Cu0.5)O3及B2O3为低温烧结助剂，且0.20≤u≤0.45，0＜x≤2.0，0≤y≤5.0，0≤z≤5.0。本方法通过添加烧结助剂，可在820℃‑920℃及25Mpa压力、在含氧气氛下条件下热压烧结成瓷。本发明降低了铁酸铋‑钛酸钡陶瓷的烧结温度、减少了Bi元素的挥发、提高了陶瓷的致密度和降低了陶瓷的介电损耗，获得了高压电性能、高居里温度及低介电损耗的无铅压电陶瓷。

公开(公告)号：CN110128127B

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN201910582275.3

申请日：2019-07-01

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 孙媛媛 ,  杨华斌 ,  黄蔚然 ,  陈巧红 ,  江民红 ,  刘笑 ,  张秀云

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种具有高压电性能及高温稳定性的铁酸铋‑钛酸钡基无铅压电陶瓷及其制备方法，其组成通式为：xBiFeO3‑yBaTiO3+uBi(Ti0.5Zn0.5)O3+mP+tMnCO2，其中P为Ba(W0.5Cu0.5)O3、Ba(Cu1/3Nb2/3)O3、B2O3、Li2CO3、V2O5中的一种或多种烧结助剂的组合；x、y、u、m、t表示摩尔分数，且0.65≤x≤0.85,0.15≤y≤0.35,0.05

公开(公告)号：CN118479874A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410742789.1

申请日：2024-06-11

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨华斌 ,  罗秋玲 ,  陈巧红 ,  王雪婷 ,  朱佳铭 ,  盘小慧 ,  邱少鸿

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明涉及一种具有高温热稳定性的BF‑BT‑BKT‑BNT无铅压电陶瓷及其制备方法，旨在提供一种在高温环境下具有高温热稳定性和高压电性能的无铅压电陶瓷。本发明利用BNT的驰豫特性，以及BNT、BKT的A位复合价态阳离子，打断BF‑BT的长程有序性，获得具有靠近MPB成分附近、具有四方相、以及复合畴结构的BF‑BT‑BNT‑BKT陶瓷。在Tdr=382℃时，原位d33=687pC/N，同时Tc>450℃，具有较高的居里温度。