公开(公告)号：CN112099311A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202011001312.6

申请日：2020-09-22

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 孙堂友 ,  刘云 ,  涂杰 ,  石卉 ,  李海鸥 ,  傅涛 ,  刘兴鹏 ,  陈永和 ,  肖功利 ,  李琦 ,  张法碧

IPC: G03F1/68 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种可以在目标基片制备出与AAO模板一致的分布均匀、形状统一的纳米结构的基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法。该基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法首先以进行PMMA旋涂的AAO多孔纳米结构为基底，在AAO表面生长一层金属层，再依次去除PMMA层和AAO层，利用玻璃衬底将纳米结构金属层从酸性溶液取出，将金属‑玻璃衬底上生长一层透明的覆盖层，最后得到由纳米结构金属‑玻璃衬底组成的亚微米级光刻掩膜版。采用该基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法将AAO纳米结构图形尺寸完全复制到金属层上，再将金属层固定到玻璃衬底上制备得到亚微米级光刻掩膜版，具有操作简单、成本低、精度高、保存方便等优点。

公开(公告)号：CN214705975U

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202121115463.4

申请日：2021-05-24

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 孙堂友 ,  高帅 ,  涂杰 ,  宁涛华 ,  石卉 ,  李海鸥 ,  傅涛 ,  刘兴鹏 ,  王阳培华 ,  肖功利 ,  张法碧

IPC: H01L45/00

Abstract: 本实用新型公开了一种具有多值储存功能的阻变存储器结构，通过在所述顶电极和所述底电极间设置有若干个上圆锥金属图案和下圆锥金属图案，所述上圆锥金属图案和所述下圆锥金属图案均为圆锥体设置，所述上圆锥金属图案和所述下圆锥金属图案圆锥的尖端的朝向相互对峙，同时在所述阻变介质层的中部插入所述金属插层，所述金属插层将所述阻变介质层间隔出距离相等或不等的上下层，当在所述底电极和所述顶电极上加载电压时，通过调节对阻变存储器的电压数值，调整所述阻变介质层内导电细丝的生成情况进而形成三种不同阻态，从而实现多值储存的功能，提高阻变存储器存储密度。

公开(公告)号：CN214625089U

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN202121000154.2

申请日：2021-05-11

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 孙堂友 ,  石卉 ,  涂杰 ,  刘云 ,  李海鸥 ,  傅涛 ,  刘兴鹏 ,  陈永和 ,  肖功利 ,  李琦 ,  张法碧

IPC: H01L45/00

Abstract: 本实用新型公开了一种基于过渡金属硫族化合物堆垛式忆阻器，包括衬底层、底电极层、第一阻变层、氧化层、第二阻变层和顶电极层。通过基于过渡金属硫族化合物的3层堆垛结构，一方面可以发挥该族二维材料的优势，优良的机械性和高透性使器件具有柔性光控忆阻器的潜能，通过氧化手段，引入氧化层，增加氧空位含量，可降低器件的转变电压，实现器件低功耗的提高忆阻器的性能，通过第一阻变层和第二阻变层的加入，可以防止底电极层和顶电极层过度氧化影响阻变性能，使忆阻器的性能得到提升。解决目前忆阻器稳定性、耐受性降低的问题。

公开(公告)号：CN215578613U

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202121590974.1

申请日：2021-07-13

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 孙堂友 ,  宁涛华 ,  刘云 ,  石卉 ,  李海鸥 ,  傅涛 ,  刘兴鹏 ,  王阳培华 ,  肖功利 ,  张法碧

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  B82Y40/00 ,  B82Y10/00

Abstract: 本实用新型公开了一种平面型十字交叉阵列结构的阻变存储器，所述底电极于所述凹槽的内底壁，所述第一电阻转变层位于所述底电极的顶端，所述第二电阻转变层位于所述第一电阻转变层的顶部，所述顶电极位于所述第二电阻转变层的顶部。将所述底电极、所述第一电阻转变层和第二电阻转变层置于所述绝缘基底的所述凹槽中，解决了采用普通的十字交叉阵列的阻变器存在的边缘效应问题。通过对所述底电极图案化修饰，并凭借所述第一电阻转变层和所述第二电阻转变层，相比于单层阻变层，能有效改善器件的电学性能，开/关阈值电压明显减小、电压的数值分布显著集中，并且数据保持能力以及电阻切换速度相对提升，提高了可靠性。

公开(公告)号：CN214705974U

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202121100659.6

申请日：2021-05-21

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 孙堂友 ,  高帅 ,  涂杰 ,  宁涛华 ,  石卉 ,  李海鸥 ,  傅涛 ,  刘兴鹏 ,  王阳培华 ,  肖功利 ,  张法碧

IPC: H01L45/00

Abstract: 本实用新型公开了一种阻变存储器结构，其结构由顶电极、阻变介质层和底电极组成，所述顶电极具有指向底电极的锥形结构，所述底电极具有指向顶电极的锥形结构，所述顶电极与底电极锥形结构之间保持一定距离，此结构下的忆阻器具有减小阻变存储器SET及RESET电压的效果，在加载电压后，尖端位置对应的电场强度最高，适合导电细丝的形成，抑制了导电细丝形成的随机性，解决了现有技术中的导电细丝型阻变存储器中阻变介质层导电细丝形成随机且不集中的技术问题。

公开(公告)号：CN214672637U

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202120994785.4

申请日：2021-05-11

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 孙堂友 ,  水芙蓉 ,  刘云 ,  石卉 ,  李海鸥 ,  傅涛 ,  刘兴鹏 ,  王阳培华 ,  肖功利 ,  张法碧

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/0445 ,  G02B5/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本实用新型公开了一种硅基薄膜太阳能电池，通过TCO膜层与玻璃衬底固定连接，Si层与TCO膜层固定连接，金属纳米颗粒与Si层固定连接，ITO膜层与Si层固定连接，其中Si层表面的三角纹理形态可以有效提高长波段的光吸收，而Si层中的金属纳米颗粒可以有效提高短波段的光吸收，此结构可有效提高硅基薄膜太阳能电池整个波段的光吸收，解决了硅基薄膜太阳能电池光子吸收率低的问题。