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公开(公告)号：CN117794329B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202311420596.6
申请日：2023-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿/富勒烯面异质结的优化方法，涉及光伏电池材料技术领域，步骤：S1：在有机无机杂化钙钛矿/富勒烯面异质结上采用2,4‑二氨基‑6,7‑二异丙基蝶啶磷酸材料进行展开处理；S2：对被2,4‑二氨基‑6,7‑二异丙基蝶啶磷酸展开处理后的有机无机杂化钙钛矿/富勒烯面向异质结进行热处理；本发明还公开了一种采用上述方法制成的高渗透钙钛矿/富勒烯面异质结材料；本发明还公开了一种上述高渗透钙钛矿/富勒烯面异质结材料在倒置钙钛矿太阳能电池的应用，能够实现钙钛矿薄膜、有机无机杂化钙钛矿/富勒烯面异质结接触、阴极界面接触质量的全面提升，实现缺陷的全方位钝化及多界面的修饰，改善因缺陷、晶界、界面因素导致的复合损失及稳定性问题。
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公开(公告)号：CN114447234A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210017858.3
申请日：2022-01-07
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供有机无机杂化钙钛矿表界面处理方法、材料及应用，包括：步骤1)制备有机无机杂化钙钛矿薄膜；步骤2)在步骤1)制备有机杂化钙钛矿薄膜表面采用N‑苄氧羰基‑D缬氨酸材料处理；步骤3)将步骤2)得到N‑苄氧羰基‑D‑缬氨酸材料处理的有机无机杂化钙钛矿薄膜进行适当的热处理。本发明通过该简易方便的表面处理方法可以达到调整整个钙钛矿薄膜质量的功效，该方法工艺简单、成本低廉、绿色无污染，适应于大规模生产应用。
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公开(公告)号：CN109021970B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201810884104.1
申请日：2018-08-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种AgInS2或CuInS2超小量子点及其制备方法和应用，其制备方法步骤为：1)制备小分子巯基配位的Ag+和In3+或者Cu+和In3+阳离子前驱体溶液，以及硫离子的阴离子前驱体溶液；2)制备巯基小分子包裹的AgInS2或CuInS2量子点溶液。该AgInS2和CuInS2为小分子巯基包裹剂包裹，具有明显激子吸收的激子吸收和超小的尺寸和水溶热分散特征。本发明采用阴离子反相热注入法以较简单的工艺和较低的温度在水溶液中制备出目标产物，所得量子点是立方相的超小的纳米晶由小分子巯基包裹，具有明显的激子吸收，可用于太阳能电池、光催化等领域。
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公开(公告)号：CN106206953B
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201610605190.9
申请日：2016-07-28
Applicant: 桂林电子科技大学 , 济南昌耀工程技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种醇溶性氧化钼界面层材料合成方法及应用，本发明以金属钼粉为原料，以双氧水为氧化剂，采用有机酸为稳定剂及助溶剂，以醇类为质子给体，合成的氧化钼粉体是一种非晶结构。本方法还公布了以此醇溶性氧化钼作为界面层的有机太阳能电池器件。本发明合成的氧化钼具有很好的醇溶性质，成膜性能好，能均匀的在透明电极和有机活性层上成膜，并可以实现低温处理而可兼容柔性衬底。该氧化钼修饰阳极界面层，能有效的实现空穴的提取，大大提升器件的光电效率。同时该类稳定材料在一定程度上克服了电极界面和有机层界面的不稳定性，从而改善了有机太阳能电池的稳定性能。
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公开(公告)号：CN106206953A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610605190.9
申请日：2016-07-28
Applicant: 桂林电子科技大学 , 济南昌耀工程技术有限公司
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/42 , H01L51/441
Abstract: 本发明公开了一种醇溶性氧化钼界面层材料合成方法及应用，本发明以金属钼粉为原料，以双氧水为氧化剂，采用有机酸为稳定剂及助溶剂，以醇类为质子给体，合成的氧化钼粉体是一种非晶结构。本方法还公布了以此醇溶性氧化钼作为界面层的有机太阳能电池器件。本发明合成的氧化钼具有很好的醇溶性质，成膜性能好，能均匀的在透明电极和有机活性层上成膜，并可以实现低温处理而可兼容柔性衬底。该氧化钼修饰阳极界面层，能有效的实现空穴的提取，大大提升器件的光电效率。同时该类稳定材料在一定程度上克服了电极界面和有机层界面的不稳定性，从而改善了有机太阳能电池的稳定性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117794329A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311420596.6
申请日：2023-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿/富勒烯面异质结的优化方法，涉及光伏电池材料技术领域，步骤：S1：在有机无机杂化钙钛矿/富勒烯面异质结上采用2,4‑二氨基‑6,7‑二异丙基蝶啶磷酸材料进行展开处理；S2：对被2,4‑二氨基‑6,7‑二异丙基蝶啶磷酸展开处理后的有机无机杂化钙钛矿/富勒烯面向异质结进行热处理；本发明还公开了一种采用上述方法制成的高渗透钙钛矿/富勒烯面异质结材料；本发明还公开了一种上述高渗透钙钛矿/富勒烯面异质结材料在倒置钙钛矿太阳能电池的应用，能够实现钙钛矿薄膜、有机无机杂化钙钛矿/富勒烯面异质结接触、阴极界面接触质量的全面提升，实现缺陷的全方位钝化及多界面的修饰，改善因缺陷、晶界、界面因素导致的复合损失及稳定性问题。
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公开(公告)号：CN115036428B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210435522.9
申请日：2022-04-24
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明属于光电薄膜技术领域，具体公开一种通过界面修饰处理来改善钙钛矿薄膜在疏水性空穴传输层上浸润性差导致的薄膜覆盖率低，薄膜质量差，易出现界面间隙孔洞和钙钛矿薄膜孔洞从而导致无界面修饰处理的钙钛矿薄膜制备的钙钛矿太阳电池器件能量转换效率低；改善钙钛矿层的薄膜覆盖率、结晶形貌，界面接触，消除了钙钛矿薄膜孔洞，经过聚氧化乙烯界面修饰处理制备的钙钛矿太阳电池的能量转换效率高达20.11％，且室温N2氛围下86天还能保持初始效率的99％。
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公开(公告)号：CN111081883B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN201911414112.0
申请日：2019-12-31
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高效稳定的平面异质结钙钛矿太阳能电池及制备方法，采用了倒置钙钛矿太阳能电池结构，分别用透明导电材料和银作为阳极和对电极，PCBM做电子传输层，用聚氧化乙烯修饰钙钛矿/电子传输层界面；本发明中所采用的聚氧化乙烯能有效增加钙钛矿与电子传输层界面之间的电子传输减小串联电阻增大钙钛矿太阳能电池的填充因子和电流流密度从而提高了其光电转换效率；整体器件效率较无修饰的钙钛矿电池有较明显的提升；该方法工艺简单、成本低廉、效果明显能广泛适用于不同类型的平面异质结钙钛矿太阳能电池中，能够大规模生应用。
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公开(公告)号：CN111081883A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911414112.0
申请日：2019-12-31
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高效稳定的平面异质结钙钛矿太阳能电池及制备方法，采用了倒置钙钛矿太阳能电池结构，分别用透明导电材料和银作为阳极和对电极，PCBM做电子传输层，用聚氧化乙烯修饰钙钛矿/电子传输层界面；本发明中所采用的聚氧化乙烯能有效增加钙钛矿与电子传输层界面之间的电子传输减小串联电阻增大钙钛矿太阳能电池的填充因子和电流流密度从而提高了其光电转换效率；整体器件效率较无修饰的钙钛矿电池有较明显的提升；该方法工艺简单、成本低廉、效果明显能广泛适用于不同类型的平面异质结钙钛矿太阳能电池中，能够大规模生应用。
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公开(公告)号：CN109802041A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201910082634.9
申请日：2019-01-28
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种非富勒烯钙钛矿平面异质结太阳能电池及制备方法，属于新型薄膜太阳能电池领域。该发明电池采用透明导电材料为阳极，银作为阴极，采用光电性能优异的IT基非富勒烯材料为电子传输层材料，以低温金属乙酰丙酮金属螯合物为阴极界面修饰层，采用的器件结构为典型的钙钛矿太阳能电池倒置结构；本发明中电子传输层相比传统的富勒烯电子传输层具有独到的优势，能显著增加光的吸收率，提升电子的提取效率以及更小的回滞因子；整体器件制备温度可以控制在100度以内，其效率可以媲美传统的富勒烯钙钛矿太阳能电池，并且制作方法简单、成本低廉、效果明显，能广泛适用于很多不同类型的平面异质结钙钛矿太阳能电池之中，可以大规模生产应用。
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