公开(公告)号：CN214705974U

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202121100659.6

申请日：2021-05-21

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 孙堂友 ,  高帅 ,  涂杰 ,  宁涛华 ,  石卉 ,  李海鸥 ,  傅涛 ,  刘兴鹏 ,  王阳培华 ,  肖功利 ,  张法碧

IPC: H01L45/00

Abstract: 本实用新型公开了一种阻变存储器结构，其结构由顶电极、阻变介质层和底电极组成，所述顶电极具有指向底电极的锥形结构，所述底电极具有指向顶电极的锥形结构，所述顶电极与底电极锥形结构之间保持一定距离，此结构下的忆阻器具有减小阻变存储器SET及RESET电压的效果，在加载电压后，尖端位置对应的电场强度最高，适合导电细丝的形成，抑制了导电细丝形成的随机性，解决了现有技术中的导电细丝型阻变存储器中阻变介质层导电细丝形成随机且不集中的技术问题。

公开(公告)号：CN214705975U

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202121115463.4

申请日：2021-05-24

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 孙堂友 ,  高帅 ,  涂杰 ,  宁涛华 ,  石卉 ,  李海鸥 ,  傅涛 ,  刘兴鹏 ,  王阳培华 ,  肖功利 ,  张法碧

IPC: H01L45/00

Abstract: 本实用新型公开了一种具有多值储存功能的阻变存储器结构，通过在所述顶电极和所述底电极间设置有若干个上圆锥金属图案和下圆锥金属图案，所述上圆锥金属图案和所述下圆锥金属图案均为圆锥体设置，所述上圆锥金属图案和所述下圆锥金属图案圆锥的尖端的朝向相互对峙，同时在所述阻变介质层的中部插入所述金属插层，所述金属插层将所述阻变介质层间隔出距离相等或不等的上下层，当在所述底电极和所述顶电极上加载电压时，通过调节对阻变存储器的电压数值，调整所述阻变介质层内导电细丝的生成情况进而形成三种不同阻态，从而实现多值储存的功能，提高阻变存储器存储密度。