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公开(公告)号:CN111293187A
公开(公告)日:2020-06-16
申请号:CN202010112026.0
申请日:2020-02-24
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L31/054 , H01L31/0445 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种双光栅高效太阳能电池,所述双光栅高效太阳能电池包括晶硅表面纳米结构光栅、背金属纳米结构光栅、吸收层和背金属层,所述晶硅表面纳米结构光栅位于所述吸收层的上表面,所述背金属纳米结构光栅位于所述背金属层的上表面,所述吸收层位于所述晶硅表面纳米结构光栅和所述背金属纳米结构光栅之间,所述晶硅表面纳米结构光栅和所述背金属纳米结构光栅具有不同侧壁轮廓,所述晶硅表面纳米结构光栅和所述背金属纳米结构光栅中的纳米结构按照自组装AAO模板的排列方式,降低成本,提高效率。
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公开(公告)号:CN214672637U
公开(公告)日:2021-11-09
申请号:CN202120994785.4
申请日:2021-05-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0445 , G02B5/00 , B82Y30/00
Abstract: 本实用新型公开了一种硅基薄膜太阳能电池,通过TCO膜层与玻璃衬底固定连接,Si层与TCO膜层固定连接,金属纳米颗粒与Si层固定连接,ITO膜层与Si层固定连接,其中Si层表面的三角纹理形态可以有效提高长波段的光吸收,而Si层中的金属纳米颗粒可以有效提高短波段的光吸收,此结构可有效提高硅基薄膜太阳能电池整个波段的光吸收,解决了硅基薄膜太阳能电池光子吸收率低的问题。
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公开(公告)号:CN214625089U
公开(公告)日:2021-11-05
申请号:CN202121000154.2
申请日:2021-05-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本实用新型公开了一种基于过渡金属硫族化合物堆垛式忆阻器,包括衬底层、底电极层、第一阻变层、氧化层、第二阻变层和顶电极层。通过基于过渡金属硫族化合物的3层堆垛结构,一方面可以发挥该族二维材料的优势,优良的机械性和高透性使器件具有柔性光控忆阻器的潜能,通过氧化手段,引入氧化层,增加氧空位含量,可降低器件的转变电压,实现器件低功耗的提高忆阻器的性能,通过第一阻变层和第二阻变层的加入,可以防止底电极层和顶电极层过度氧化影响阻变性能,使忆阻器的性能得到提升。解决目前忆阻器稳定性、耐受性降低的问题。
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公开(公告)号:CN215578613U
公开(公告)日:2022-01-18
申请号:CN202121590974.1
申请日:2021-07-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种平面型十字交叉阵列结构的阻变存储器,所述底电极于所述凹槽的内底壁,所述第一电阻转变层位于所述底电极的顶端,所述第二电阻转变层位于所述第一电阻转变层的顶部,所述顶电极位于所述第二电阻转变层的顶部。将所述底电极、所述第一电阻转变层和第二电阻转变层置于所述绝缘基底的所述凹槽中,解决了采用普通的十字交叉阵列的阻变器存在的边缘效应问题。通过对所述底电极图案化修饰,并凭借所述第一电阻转变层和所述第二电阻转变层,相比于单层阻变层,能有效改善器件的电学性能,开/关阈值电压明显减小、电压的数值分布显著集中,并且数据保持能力以及电阻切换速度相对提升,提高了可靠性。
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