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公开(公告)号：CN108139638B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201680053281.4
申请日：2016-10-24
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: G02F1/1343 , G06F3/041 , H01L51/52 , H01L27/32
Abstract: 本发明涉及一种导电结构，所述导电结构包括：基板；第一金属层，其设置在所述基板上，并且由单一金属形成；第二金属层，其设置在所述第一金属层的至少一个表面上，由至少两种金属形成；以及光反射减少层，其设置在所述第二金属层上并且由半透明材料形成，其中，与没有设置所述第二金属层的情况相比，所述光反射减少层的表面对于380nm至780nm波长的光的平均光反射率降低7％至50％。
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公开(公告)号：CN107408420B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201680018324.5
申请日：2016-03-25
Applicant: 株式会社LG化学
CPC classification number: G06F3/0412 , G02B1/113 , G06F3/044 , G06F2203/04102 , G06F2203/04103 , G06F2203/04112 , H01B5/14
Abstract: 本说明书涉及一种导电结构体及其制备方法。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN107407846B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201680015775.3
申请日：2016-05-09
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: G02F1/136 , H01L27/12 , G02F1/1368 , G02B1/11
Abstract: 公开了薄膜晶体管基底和包括其的显示装置。薄膜晶体管基底包括：栅电极；源电极；漏电极；和设置在面向栅极线和数据线基底的表面以及与其相反的表面上的光反射减少层，其中光反射减少层满足以下[式1]:(k×t)/λ的0.004至0.22的值(其中k意指光反射减少层的消光系数；t意指光反射减少层的厚度；并且λ意指光的波长)。
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公开(公告)号：CN108292179B
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201680069731.9
申请日：2016-12-07
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: G06F3/041 , B32B15/08 , G02F1/1343
Abstract: 本发明涉及一种导电结构、该导电结构的制造方法及包括该导电结构的电极。更具体地，根据本发明的实施例的导电结构包括：设置在基板上的金属层；以及设置在所述金属层的至少一侧的光反射减少层，其中，所述光反射减少层包括：包含铝、钼、钛、锆、钇、硅、银、镍、锰、铌、金、铬和钴中的一种以上的金属的氧化物、氮化物或氮氧化物；锌；以及铜。
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公开(公告)号：CN107660279B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201680029909.7
申请日：2016-06-01
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 本说明书涉及一种导电结构体及其制造方法。具体而言，根据本发明的导电结构体包括：基板；以及设置在所述基板上的构成屏幕部、接线部和衬垫部的导线，其中，所述导线包括第一金属层、设置在该第一金属层上的减光反射层和设置在该减光反射层上的第二金属层，其中，所述减光反射层包含金属氮氧化物，其中，所述第二金属层的厚度为10nm以下。所述导电结构体能够保持优异的可视性，并且由于衬垫部的低连接电阻而具有优异的产品可靠性。
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