公开(公告)号：CN107407846B

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN201680015775.3

申请日：2016-05-09

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 李一翻 ,  黄智泳 ,  李承宪 ,  吴东炫 ,  金起焕 ,  徐汉珉 ,  朴赞亨

IPC: G02F1/136 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1368 ,  G02B1/11

Abstract: 公开了薄膜晶体管基底和包括其的显示装置。薄膜晶体管基底包括：栅电极；源电极；漏电极；和设置在面向栅极线和数据线基底的表面以及与其相反的表面上的光反射减少层，其中光反射减少层满足以下[式1]:(k×t)/λ的0.004至0.22的值(其中k意指光反射减少层的消光系数；t意指光反射减少层的厚度；并且λ意指光的波长)。

公开(公告)号：CN108292179B

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN201680069731.9

申请日：2016-12-07

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 李一翻 ,  闵进赫 ,  金起焕 ,  朴赞亨

IPC: G06F3/041 ,  B32B15/08 ,  G02F1/1343

Abstract: 本发明涉及一种导电结构、该导电结构的制造方法及包括该导电结构的电极。更具体地，根据本发明的实施例的导电结构包括：设置在基板上的金属层；以及设置在所述金属层的至少一侧的光反射减少层，其中，所述光反射减少层包括：包含铝、钼、钛、锆、钇、硅、银、镍、锰、铌、金、铬和钴中的一种以上的金属的氧化物、氮化物或氮氧化物；锌；以及铜。

公开(公告)号：CN107660279B

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201680029909.7

申请日：2016-06-01

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 李一翻 ,  金起焕 ,  章盛皓 ,  朴镇宇 ,  朴赞亨

IPC: G06F3/044 ,  G06F3/045 ,  G06F3/046

Abstract: 本说明书涉及一种导电结构体及其制造方法。具体而言，根据本发明的导电结构体包括：基板；以及设置在所述基板上的构成屏幕部、接线部和衬垫部的导线，其中，所述导线包括第一金属层、设置在该第一金属层上的减光反射层和设置在该减光反射层上的第二金属层，其中，所述减光反射层包含金属氮氧化物，其中，所述第二金属层的厚度为10nm以下。所述导电结构体能够保持优异的可视性，并且由于衬垫部的低连接电阻而具有优异的产品可靠性。

公开(公告)号：CN107428127B

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201680018878.5

申请日：2016-03-28

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 李一翻 ,  李承宪 ,  章盛晧 ,  吴东炫 ,  黄智泳 ,  金起焕 ,  徐汉珉 ,  朴赞亨 ,  朴宣赢

IPC: B32B9/04 ,  B32B15/04 ,  G02F1/13 ,  H01B1/02 ,  H01B1/08 ,  H01L51/00

Abstract: 本说明书涉及一种导电结构体、其制造方法以及包括所述导电结构体的电极和电子装置。

公开(公告)号：CN107251229A

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201680009066.4

申请日：2016-05-09

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 李一翻 ,  黄智泳 ,  李承宪 ,  吴东炫 ,  金起焕 ,  徐汉珉 ,  朴赞亨

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/52

Abstract: 本发明提供一种有机发光显示装置，包括：基板；设置在所述基板上并且互相交叉的多个栅极线和多个数据线；被所述栅极线和所述数据线分开的多个像素区域；设置在各个像素区域的一侧的薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管包括与栅极线连接的栅电极、设置在所述栅电极上并且与该栅电极绝缘的半导体层、与数据线电连接的源电极，以及与像素电极或公用电极电连接的漏电极；设置在各个像素区域上并且发射红光、绿光、蓝光或白光的有机发光元件；以及设置在所述栅电极、所述源电极、所述漏电极、所述栅极线和所述数据线中的至少一个的一个表面上的减光反射层，其中，所述减光反射层满足(k*t)/λ的值为0.004至0.22(k表示所述减光反射层的消光系数，t表示所述减光反射层的厚度，λ表示光的波长)。

公开(公告)号：CN106662950A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580047258.X

申请日：2015-09-23

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 朴赞亨 ,  金起焕 ,  林振炯 ,  李一何

IPC: G06F3/041 ,  H01L31/0224

CPC classification number: G06F3/044 ,  G06F3/0317 ,  G06F3/041 ,  G06F3/045 ,  G06F2203/04103 ,  H01B13/0026 ,  G06F3/0412 ,  H01L31/022425

Abstract: 本申请涉及一种导电结构及其制造方法。根据本申请的一个示例性实施方案的导电结构包括：基板；设置在所述基板上且包含铜的金属层；设置在所述金属层上的防变色层；以及设置在所述防变色层上且包含氧化铜、氮化铜、氮氧化铜、氧化铝、氮化铝和氮氧化铝中的一种或多种的暗化层。

公开(公告)号：CN108139638B

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201680053281.4

申请日：2016-10-24

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 李一翻 ,  章盛晧 ,  闵进赫 ,  金起焕 ,  朴赞亨

IPC: G02F1/1343 ,  G06F3/041 ,  H01L51/52 ,  H01L27/32

Abstract: 本发明涉及一种导电结构，所述导电结构包括：基板；第一金属层，其设置在所述基板上，并且由单一金属形成；第二金属层，其设置在所述第一金属层的至少一个表面上，由至少两种金属形成；以及光反射减少层，其设置在所述第二金属层上并且由半透明材料形成，其中，与没有设置所述第二金属层的情况相比，所述光反射减少层的表面对于380nm至780nm波长的光的平均光反射率降低7％至50％。

公开(公告)号：CN107850959B

公开(公告)日：2020-11-20

申请号：CN201680041046.5

申请日：2016-07-14

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 朴赞亨 ,  闵进赫 ,  章盛晧 ,  朴镇宇 ,  金起焕 ,  李一翻

IPC: G06F3/041

Abstract: 本发明提供了一种导电结构，该导电结构包括：金属层，设置在基板上并且包含铜；防变色层，设置在所述金属层上并且包含铜和镍；以及光反射减小层，设置在所述防变色层上并且包含氧化铜、氮化铜、氮氧化铜、氧化铝、氮化铝和氮氧化铝中的至少一种，其中，所述防变色层的镍含量为50at％至80at％。本发明能够保持优异的导电性并有效地防止金属层的眩光。

公开(公告)号：CN107408420B

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201680018324.5

申请日：2016-03-25

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 李一翻 ,  金起焕 ,  朴赞亨 ,  章盛晧 ,  朴镇宇

IPC: H01B5/00 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  G02B1/113 ,  G06F3/045

CPC classification number: G06F3/0412 ,  G02B1/113 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04102 ,  G06F2203/04103 ,  G06F2203/04112 ,  H01B5/14

Abstract: 本说明书涉及一种导电结构体及其制备方法。

公开(公告)号：CN107660279A

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201680029909.7

申请日：2016-06-01

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 李一翻 ,  金起焕 ,  章盛皓 ,  朴镇宇 ,  朴赞亨

IPC: G06F3/044 ,  G06F3/045 ,  G06F3/046

Abstract: 本说明书涉及一种导电结构体及其制造方法。