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    锌化合物、薄膜形成用原料、薄膜及其制造方法
    12.
    发明公开
    锌化合物、薄膜形成用原料、薄膜及其制造方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN115362157A

    公开(公告)日：2022-11-18

    申请号：CN202180025692.3

    申请日：2021-03-18

    Applicant: 株式会社ADEKA

    Inventor： 福岛亮太 ,  武田圭介 ,  远津正挥

    IPC: C07F3/06 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

    Abstract: 本发明提供下述通式(1)或(2)表示的锌化合物。(式(1)中，R1表示未取代的碳原子数1～5的烷基等，R2和R5各自独立地表示氢原子、氟原子、未取代的碳原子数1～5的烷基等，R3和R4各自独立地表示氢原子、氟原子、未取代的碳原子数1～5的烷基等。)(式(2)中，R10、R11、R14及R15各自独立地表示氢原子、氟原子、未取代的碳原子数为1～5的烷基等，R9、R12、R13及R16各自独立地表示氢原子、氟原子、未取代的碳原子数为1～5的烷基等)。

    采用原子层沉积法的金属钌薄膜的制造方法
    13.
    发明授权
    采用原子层沉积法的金属钌薄膜的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN112969812B

    公开(公告)日：2022-11-15

    申请号：CN201980073135.1

    申请日：2019-10-28

    Applicant: 株式会社ADEKA

    Inventor： 西田章浩 ,  远津正挥

    IPC: C23C16/18 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285

    Abstract: 本发明的在基体上通过原子层沉积法制造金属钌薄膜的方法的特征在于，包括以下工序：(A)将包含特定钌化合物的原料气体导入处理气氛中，使该钌化合物沉积在所述基体上的工序；(B)将包含特定化合物的反应性气体导入处理气氛中，使其与沉积在所述基体上的特定钌化合物反应的工序。

    钌化合物、薄膜形成用原料以及薄膜的制造方法
    16.
    发明公开
    钌化合物、薄膜形成用原料以及薄膜的制造方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN111344294A

    公开(公告)日：2020-06-26

    申请号：CN201880072963.9

    申请日：2018-07-27

    Applicant: 株式会社ADEKA

    Inventor： 吉野智晴 ,  远津正挥 ,  冈田奈奈 ,  畑濑雅子

    IPC: C07F15/00 ,  C23C16/18 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种蒸气压高、熔点比以往已知的化合物低的钌化合物、含有该化合物的薄膜形成用原料以及使用该原料形成含有钌的薄膜的薄膜的制造方法。为了实现上述目的，提供一种下述通式所示的钌化合物、含有该钌化合物的薄膜形成用原料以及使用了该薄膜形成用原料的薄膜的制造方法。(式中，R1～R3分别独立地表示碳原子数1～5的烷基。其中，在R1为甲基的情况下，R2与R3为不同的基团。)

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