钌化合物、薄膜形成用原料以及薄膜的制造方法

    公开(公告)号:CN111344294A

    公开(公告)日:2020-06-26

    申请号:CN201880072963.9

    申请日:2018-07-27

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种蒸气压高、熔点比以往已知的化合物低的钌化合物、含有该化合物的薄膜形成用原料以及使用该原料形成含有钌的薄膜的薄膜的制造方法。为了实现上述目的,提供一种下述通式所示的钌化合物、含有该钌化合物的薄膜形成用原料以及使用了该薄膜形成用原料的薄膜的制造方法。(式中,R1~R3分别独立地表示碳原子数1~5的烷基。其中,在R1为甲基的情况下,R2与R3为不同的基团。)

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