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公开(公告)号:CN103348036B
公开(公告)日:2015-09-23
申请号:CN201180066834.7
申请日:2011-12-20
IPC: C23C14/34 , C22C9/00 , C22C21/00 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC classification number: C23C14/3407 , C22C1/02 , C22C9/00 , C22C21/00 , C23C14/3414
Abstract: 在将距Al基合金或Cu基合金溅射靶的最表面1mm以内的深度的溅射面法线方向的结晶方位 ±15°、 ±15°、 ±15°、 ±15°及 ±15°的合计面积率设为P值时,满足下述(1)及/或(2)的要件,由此可提高预溅射时以及接着进行的向基板等的溅射时的成膜速度,且能够抑制飞溅等溅射不良。其中,(1)相对于所述P值的 ±15°的面积率PA:40%以下,(2)相对于所述P值的 ±15°和 ±15°的合计面积率PB:20%以上。
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公开(公告)号:CN102102183B
公开(公告)日:2013-10-09
申请号:CN201010597854.4
申请日:2010-12-16
Abstract: 提供一种Al基合金溅射靶,其能够消除在溅射的初期阶段发生的问题(例如飞溅的个数的增加和所形成的薄膜的电阻的上升),可以缩短预溅射时间。本发明涉及一种Al基合金溅射靶,其中,以JIS B0601(2001)所规定的方法测量溅射面的表面粗糙度时,算术平均粗糙度Ra为1.50μm以下,以及最大高度Rz为10μm以下,并且,将从粗糙度曲线的中心线至波峰或波谷的高度超过0.25×Rz的峰值高度分别设为P或Q,跨越基准长度100mm,依次计数P和Q时,P到紧邻其后出现的Q再到紧邻该Q后出现的P之间的间隔L的平均值为0.4mm以上。
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公开(公告)号:CN102051504A
公开(公告)日:2011-05-11
申请号:CN201010529527.5
申请日:2010-10-28
Abstract: 本发明提供一种Al基合金溅射靶,其对于形成低布线电阻和抗小丘性优异的金属薄膜有用,优选还能够抑制溅射时的飞溅发生。本发明涉及Al基合金溅射靶,其含有Fe为0.0010~0.4质量%和Si为0.0010~0.50质量%。
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