公开(公告)号：CN114941134A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202210131974.8

申请日：2022-02-14

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 藤林裕明 ,  小出雄也 ,  森博隆

IPC: C23C16/52 ,  H01L21/02

Abstract: 一种用于制造半导体器件的设备。该设备包括成膜装置(53)、第一检测器(55)和第二检测器(56)。成膜装置形成用于埋封布置在半导体装置中的衬底(100)处的沟槽的埋封层。第一检测器检测衬底的设置有沟槽的第一区域(102)的状态。第二检测器检测衬底的第二区域(103)的状态，第二区域布置在第一区域的外部。成膜装置基于与第一区域的状态对应的第一检测结果和与第二区域的状态对应的第二检测结果之间的差小于或等于阈值的条件，结束埋封层的成膜。

公开(公告)号：CN110192266A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201780082719.6

申请日：2017-12-25

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 深田启介 ,  石桥直人 ,  坂东章 ,  伊藤雅彦 ,  镰田功穗 ,  土田秀一 ,  原一都 ,  内藤正美 ,  上东秀幸 ,  藤林裕明 ,  青木宏文 ,  杉浦利和 ,  铃木克己

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B25/16 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20

Abstract: 一种SiC外延晶片，具有主面相对于(0001)面具有0.4°～5°的偏离角的SiC单晶基板、和设置于所述SiC单晶基板上的外延层，所述外延层，从所述SiC单晶基板绵延到其外表面的基底面位错密度为0.1个/cm2以下，内在3C三角缺陷密度为0.1个/cm2以下。

公开(公告)号：CN103160922A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210544538.X

申请日：2012-12-14

Applicant: 纽富来科技股份有限公司 ,  财团法人电力中央研究所 ,  株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 铃木邦彦 ,  佐藤裕辅 ,  伊藤英树 ,  土田秀一 ,  镰田功穂 ,  伊藤雅彦 ,  内藤正美 ,  藤林裕明 ,  安达步 ,  西川恒一

IPC: C30B25/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B25/165 ,  C30B25/14

Abstract: 本发明涉及成膜装置以及成膜方法，用于抑制原料气体在喷淋板上的反应。成膜装置（100）使用喷淋板（124）朝向腔室（103）内的基板（101）供给多种气体。喷淋板（124）具有按照沿着基板（101）侧的第1面的方式在其内部延伸，与供给多种的各气体的气体管（131）连接的多个气体流路（121）；和被贯穿设置成将该多个各气体流路（121）与腔室（103）内在第1面侧连通的多个气体喷出孔（129）。在成膜装置（100）中，从气体管（131）供给到喷淋板（124）的多个气体流路（121）的多种的各气体在喷淋板（124）的内部以及附近不混合地分别从气体喷出孔（129）向基板（101）供给。