公开(公告)号：CN100456007C

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200610094123.1

申请日：2006-06-26

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 田中宏明

IPC: G01L9/04

CPC classification number: G01L19/147 ,  G01L19/0627

Abstract: 一种压力传感器，用于检测压力并基于传感器芯片的压电电阻效应输出信号，该压力传感器包括：衬底，其在一侧上具有传感器芯片和在另一侧上具有凹入部分；传感器芯片中的压电电阻；基座，其附装到衬底并具有通孔以在薄部分上将压力引入到传感器芯片；和填充在凹入部分和通孔中用于保护传感器芯片的凝胶材料。通孔的直径对基座的厚度的比值基本上在1至3的范围内。

公开(公告)号：CN1892198A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610094123.1

申请日：2006-06-26

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 田中宏明

IPC: G01L9/04

CPC classification number: G01L19/147 ,  G01L19/0627

Abstract: 一种压力传感器，用于检测压力并基于传感器芯片的压电电阻效应输出信号，该压力传感器包括：衬底，其在一侧上具有传感器芯片和在另一侧上具有凹入部分；传感器芯片中的压电电阻；基座，其附装到衬底并具有通孔以在薄部分上将压力引入到传感器芯片；和填充在凹入部分和通孔中用于保护传感器芯片的凝胶材料。通孔的直径对基座的厚度的比值基本上在1至3的范围内。

公开(公告)号：CN1808086A

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN200610005464.7

申请日：2006-01-17

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 富坂学 ,  渡边善文 ,  田中宏明

IPC: G01L9/04

Abstract: 一种制造压力传感器的方法，包括如下步骤：制备半导体基底(21)；在基底(21)上形成绝缘膜(22)；在绝缘膜(22)上形成第一金属膜(23)；在第一金属膜(23)和绝缘膜(22)上形成第一保护膜(25)；在第一金属膜(23)和第一保护膜(25)上形成第二保护膜(26)；在第二保护膜(26)上进行附着力减小处理，附着力是在第二保护膜(26)和第二金属膜(24，27－29)之间；在第一金属膜(23)以及第一保护膜(25)上形成第二金属膜(24，27－29)；以及去除一部分第二金属膜(24，27－29)。

公开(公告)号：CN1651883A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200510006285.0

申请日：2005-02-02

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 田中宏明 ,  丰田稻男 ,  铃木康利

IPC: G01L1/16 ,  G01L9/00

CPC classification number: G01L1/18 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0058 ,  G01L23/18 ,  G01L23/22

Abstract: 本发明涉及一种压力传感器，包括：壳体(11)；具有测量仪电阻器(5)的传感器芯片(1)；设置在所述测量仪电阻器(5)上的凸起部(2)；能够随压力变形的金属隔膜(17)；以及设置在所述金属隔膜(17)与所述凸起部(2)之间的载荷传输部件(18)。壳体(11)容纳传感器芯片(1)、凸起部(2)和载荷传输部件(18)。壳体(11)由金属隔膜(17)覆盖。以这样一种方式检测施加于隔膜(17)的压力，即，与压力相对应的载荷通过金属隔膜(17)、载荷传输部件(18)和凸起部(2)被施加到测量仪电阻器(5)，从而根据测量仪电阻器(5)的电阻变化测量压力。测量仪电阻器(5)大于凸起部(2)。