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公开(公告)号：CN110326073A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201880013711.9
申请日：2018-03-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01G4/30 , H01G4/33 , H01G4/38 , H01L21/822 , H01L27/04
Abstract: 电容器(100)具备第一电容器层(101)以及第二电容器层(103)，该第一电容器层(101)具有：设置具有沟槽部的第一沟槽结构(125)的第一基板(110)、第一电极(115)、以及设置在包括第一沟槽结构(125)的沟槽部(126)的区域的第二电极(119)，该第二电容器层(103)具有：第二基板(130)、第三电极(139)、以及第四电极(135)，第一电容器层(101)与第二电容器层(103)被配置为第二电极(119)与第三电极(139)相互相对且电连接。
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公开(公告)号：CN106575555B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201580043777.9
申请日：2015-08-07
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 芦峰智行
IPC: H01C7/00 , C23C14/20 , H01G7/06 , H01L21/768 , H01L21/822 , H01L23/522 , H01L27/04
CPC classification number: H01G7/06 , C23C14/16 , C23C14/20 , C23C14/24 , C23C14/5806 , H01C7/00 , H01C7/06 , H01C17/06526 , H01C17/0656 , H01L21/768 , H01L21/822 , H01L23/49822 , H01L23/522 , H01L23/5228 , H01L27/016 , H01L27/04 , H01L28/24 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供具备具有所希望的电阻值的薄膜电阻元件的电子部件。电阻薄膜(10)的与连接电极(11、12)连接的连接界面侧的Ni的浓度比该界面的相反侧的该浓度高，因此，能够使电阻薄膜(10)的与连接电极(11、12)连接的连接界面侧以及连接电极(11、12)各自的逸出功接近。因此，能够防止在电阻薄膜(10)以及连接电极(11、12)的连接界面因逸出功的差异而产生的接触电阻增大。因而，能够提供具备具有电阻薄膜(10)的设计上的所希望的电阻值的薄膜电阻元件(R1)的电子部件(100)。
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公开(公告)号：CN114503260A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202080066128.1
申请日：2020-04-17
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明的目的在于提供一种可靠性更高的半导体装置。本发明的半导体装置具备：半导体基板，具有相互对置的第1主面和第2主面；电介质层，层叠于半导体基板的第1主面上；第1电极层，层叠于电介质层上；保护层，至少包覆电介质层和第1电极层的外周端部，并且被设置为使所述半导体基板的所述第1主面的外周端部露出，半导体基板具有至少位于所述保护层的外周端部的正下方的高电阻区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111902899A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201980021921.7
申请日：2019-05-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01G4/33 , H01G4/30 , H01L21/822 , H01L27/04
Abstract: 本发明的电容器(100)具备基板(110)、电介质部(120)以及导电体层(130)。电介质部(120)包括厚膜部(120A)和薄膜部(120B)。厚膜部(120A)在与第一主面(111)垂直的方向上，比电介质部(120)的平均厚度厚。在与第一主面(111)垂直的方向上，薄膜部(120B)比电介质部(120)的平均厚度薄。厚膜部(120A)的相对介电常数比薄膜部(120B)的相对介电常数大。
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公开(公告)号：CN111263978A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201880069469.7
申请日：2018-12-26
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/822 , H01L27/04
Abstract: 半导体装置(100)具备：半导体基板(110)，具有第一主面(110A)以及第二主面(110B)；第一电极(131)，设置在半导体基板(110)的第一主面(110A)侧；电介质层(120)，设置在半导体基板(110)与第一电极(131)之间；第一电阻控制层((140)，设置在第一电极(131)之上；布线部(150)，设置在第一电阻控制层(140)之上；以及第二电极(132)，设置在半导体基板(110)的第二主面(110B)侧。第一电阻控制层(140)具备：将第一电极(131)与布线部(150)电连接的第一区域(141)；与第一区域(141)并排且电阻率比第一区域(141)高的第二区域(142)。
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公开(公告)号：CN110945643A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201880048977.7
申请日：2018-07-11
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/822 , H01G4/00 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L27/04
Abstract: 电容器(100)具备：基体材料(110)，具有相互对置的第一主面(110A)和第二主面(110B)，并在第一主面(110A)侧形成有沟槽部(111)；介电膜(130)，在基体材料(110的第一主面(110A)侧设置于包含沟槽部(111)的内侧的区域；导电体膜(140)，具有第一导电体层(141)和第二导电体层(142)，其中，上述第一导电体层(141)设置于包含沟槽部(111)的内侧的区域且是介电膜(130)上，上述第二导电体层(142)设置在第一导电体层(141)上；以及应力缓和部(160)，与第一导电体层(141)的端部的至少一部分接触来设置，在基体材料(110)的第一主面(110A)中的沟槽部(111)的外侧，应力缓和部(160)的厚度(T6)比导电体膜(140)的厚度(T4)小。
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公开(公告)号：CN110914973A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201880047281.2
申请日：2018-08-30
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/822 , H01G4/33 , H01L27/04
Abstract: 具备：基材(110)，其具有相互对置的第一主面(110A)以及第二主面(110B)，并在第一主面(110A)侧形成有多个沟道部(111)；介电膜(130)，其在基材(110)的第一主面(110A)侧设置在包含多个沟道部(111)的内侧的区域；导电体膜(140)，其设置在包含多个沟道部(111)的内侧的区域且设置在介电膜(130)之上；以及焊盘(161)，其与导电体膜(140)电连接，多个沟道部(111)在从基材(110)的第一主面(110A)的法线方向俯视时，避开焊盘(161)的周围的区域中沿与焊盘(161)电连接的焊线(162)延伸的第一方向X的第一区域(101)而设置在沿与第一方向X交叉的第二方向Y的第二区域(102)。
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公开(公告)号：CN114008767B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202080045558.5
申请日：2020-08-17
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，能够抑制在覆盖介电膜的端部周边的保护层产生裂缝，并抑制由产生裂缝引起的介电膜的绝缘破坏强度的降低。半导体装置具备：半导体基板，具有相互对置的第一主面和第二主面；介电膜，配置于第一主面的一部分；第一电极层，配置于介电膜的一部分；以及保护层，从第一电极层的端部遍及上述介电膜的外周端连续地覆盖。介电膜具有：电极层配置部，配置有第一电极层；以及保护层覆盖部，被保护层覆盖。介电膜的保护层覆盖部的外周端处的厚度小于介电膜的电极层配置部的厚度。
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