层叠型电子部件
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112349518A

    公开(公告)日:2021-02-09

    申请号:CN202010775391.X

    申请日:2020-08-04

    Abstract: 本发明提供一种能够确保高可靠性的层叠型电子部件。电介质层作为元素包含Ba、Ti、Si、作为稀土类元素的Re、以及M(M是从Mn、Ni、Co、Fe、Cr、Cu、Mg、Li、Al、Mo、W以及V之中选择的至少一种元素)。层叠体具有多个内部电极层分别隔着电介质层相对的电极相对部和包围电极相对部的外周部。在用摩尔份表示了电极相对部中的电介质层包含的元素的量的情况下,在将Ti的量设为100时,Si的量a为0.01≤a≤0.1,Re的量b为0.1≤b≤3.0,M的量c为0.2≤c≤5.0。Ba的量相对于Ti的量之比m为0.965≤m≤0.990。

    层叠陶瓷电容器
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116941003A

    公开(公告)日:2023-10-24

    申请号:CN202280018999.5

    申请日:2022-03-29

    Abstract: 本发明提供一种电介质层更进一步薄层化,即使被施加高电场强度的电压也示出优异的可靠性的层叠陶瓷电容器。在具备关于层叠体(2)的层叠方向交替地配置的多个第1内部电极(4)和多个第2内部电极(5)的层叠陶瓷电容器(1)中,基于施加在第1外部电极(6)与第2外部电极(7)之间的电压的施加方向的极性被确定,使得将第1内部电极(4)作为正极且将第2内部电极(5)作为负极。第1内部电极(4)具有以Ni或Cu为主成分的第1金属组成,第2内部电极(5)具有以从标准电极电位比Cu高的Au、Pt、Ir、Pd、Os、Ag、Rh以及Ru选择的至少1种金属元素为主成分的第2金属组成。

    层叠陶瓷电容器
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116918014A

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN202280019037.1

    申请日:2022-03-29

    Abstract: 本发明提供一种电介质层更进一步薄层化,即使被施加高电场强度的电压也示出优异的可靠性的层叠陶瓷电容器。在具备关于层叠体(2)的层叠方向交替地配置的多个第1内部电极(4)和多个第2内部电极(5)的层叠陶瓷电容器(1)中,基于施加在第1外部电极(6)与第2外部电极(7)之间的电压的施加方向的极性被确定,使得将第1内部电极(4)作为正极且将第2内部电极(5)作为负极。第1内部电极(4)具有以Cu为主成分的第1金属组成,第2内部电极(5)具有以Cu为主成分且以从标准电极电位比Cu高的Au、Pt、Ir、Pd、Os、Ag、Rh以及Ru选择的至少1种金属元素为添加成分的第2金属组成。

    层叠陶瓷电容器
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116918013A

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN202280019007.0

    申请日:2022-03-29

    Abstract: 本发明提供一种电介质层更进一步薄层化,即使被施加高电场强度的电压也示出优异的可靠性的层叠陶瓷电容器。在具备关于层叠体(2)的层叠方向交替地配置的多个第1内部电极(4)和多个第2内部电极(5)的层叠陶瓷电容器(1)中,基于施加在第1外部电极(6)与第2外部电极(7)之间的电压的施加方向的极性被确定,使得将第1内部电极(4)作为正极且将第2内部电极(5)作为负极。第1内部电极(4)具有包含Ni以及Sn的第1金属组成,第2内部电极(5)具有包含Ni的第2金属组成。第2金属组成有时仅包含Ni,也有时以Ni为主成分且以从标准电极电位比Ni高的Au、Pt、Ir、Pd、Os、Ag、Rh、Ru以及Cu选择的至少1种金属元素为添加成分。

    层叠型电子部件
    15.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112349518B

    公开(公告)日:2022-05-31

    申请号:CN202010775391.X

    申请日:2020-08-04

    Abstract: 本发明提供一种能够确保高可靠性的层叠型电子部件。电介质层作为元素包含Ba、Ti、Si、作为稀土类元素的Re、以及M(M是从Mn、Ni、Co、Fe、Cr、Cu、Mg、Li、Al、Mo、W以及V之中选择的至少一种元素)。层叠体具有多个内部电极层分别隔着电介质层相对的电极相对部和包围电极相对部的外周部。在用摩尔份表示了电极相对部中的电介质层包含的元素的量的情况下,在将Ti的量设为100时,Si的量a为0.01≤a≤0.1,Re的量b为0.1≤b≤3.0,M的量c为0.2≤c≤5.0。Ba的量相对于Ti的量之比m为0.965≤m≤0.990。

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