公开(公告)号：CN100419923C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200410008201.2

申请日：2004-03-01

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中村友幸 ,  加藤成 ,  武藤和夫 ,  佐野晴信

IPC: H01G4/12 ,  H01B3/12 ,  C04B35/00 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/30 ,  H01G4/1227 ,  Y10T29/43

Abstract: 本发明提供了一种在还原性气氛中经过焙烧而形成的介电陶瓷。通过使用上述的介电陶瓷而形成的多层陶瓷电容器，甚至当从那里形成的介电陶瓷层的厚度减小时，也具有优良的可靠性。该介电陶瓷具有晶粒；和位于晶粒之间的晶粒间界和三相点。晶粒包括：由ABO3(其中A是Ba和Ca，或Ba、Ca和Sr；B是Ti，或者Ti和其被Zr和Hf中的至少一种所代替的一部分)表示的钙钛矿化合物组成的钙钛矿晶粒，和由包括至少Ba，Ti和Si的晶体氧化物所组成的晶体氧化物晶粒，约有80%或更多数量的三相点的截面面积各自为约8nm2或更小。

公开(公告)号：CN101006027A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200580028204.5

申请日：2005-06-20

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 武藤和夫 ,  中村友幸 ,  加藤成 ,  佐野晴信 ,  笹林武久 ,  平松隆

IPC: C04B35/468 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12

CPC classification number: C04B35/49 ,  B32B2311/12 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/62665 ,  C04B35/6303 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3289 ,  C04B2235/3291 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/96 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/348 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/407 ,  H01B3/12 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30

Abstract: 构成陶瓷烧坯的介电陶瓷具有通式100(Ba1－x－ySrxCay)m(Ti1－zZrz)O3＋aBaO＋bR2O3+cMgO＋dMnO＋eCuO+fV2O5＋gXuOv(式中，R是特定的稀土元素比如La、Ce或Pr；而XuOv是至少含有Si的氧化物组)所示的组成；并且0≤x≤0.05，0≤y≤0.08(优选0.02≤y≤0.08)，0≤z≤0.05，0.990≤m，100.2≤(100m+a)≤102，0.05≤b≤0.5，0.05≤c≤2，0.05≤d≤1.3，0.1≤e≤1.0，0.02≤f≤0.15和0.2≤g≤2。使用这种组成，可以制备这样的一种单片陶瓷电容器：即使在因其介电层被进一步变薄而导致被施加高电场强度的电压时，也保持良好的介电特性和温度特性，并且在实现良好的绝缘性质、介电强度和高温负载寿命上具有优异的可靠性。

公开(公告)号：CN1527331A

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN200410008201.2

申请日：2004-03-01

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中村友幸 ,  加藤成 ,  武藤和夫 ,  佐野晴信

IPC: H01G4/12 ,  H01B3/12 ,  C04B35/00 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/30 ,  H01G4/1227 ,  Y10T29/43

Abstract: 本发明提供了一种在还原性气氛中经过焙烧而形成的介电陶瓷。通过使用上述的介电陶瓷而形成的多层陶瓷电容器，甚至当从那里形成的介电陶瓷层的厚度减小时，也具有优良的可靠性。该介电陶瓷具有晶粒；和位于晶粒之间的晶粒间界和三相点。晶粒包括：由ABO3(其中A是Ba和Ca，或Ba、Ca和Sr；B是Ti，或者Ti和其被Zr和Hf中的至少一种所代替的一部分)表示的钙钛矿化合物组成的钙钛矿晶粒，和由包括至少Ba，Ti和Si的晶体氧化物所组成的晶体氧化物晶粒，约有80％或更多数量的三相点的截面面积各自为约8nm2或更小。