公开(公告)号：CN107923939A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680046775.X

申请日：2016-07-22

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 影山晃 ,  奈良安彦

IPC: G01R31/28 ,  H01J37/28

CPC classification number: G01R31/305 ,  G01R27/02 ,  G01R31/28 ,  G01R31/2836 ,  H01J37/28

Abstract: 本发明的目的涉及检测现有的EBAC中难以确定的不良部位所引起的信号。在本发明的一个实施方式中，使至少1根探针接触形成了电路的样品，一边经由探针对通过探针的接触确定的电路提供电力，一边用带电粒子束扫描样品，并经由探针测定被局部地加热的不良的电阻值变化。根据本发明，即使是高电阻不良、埋没于样品内部的不良所引起的信号，也能容易地检测。

公开(公告)号：CN301364817S

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN201030158496.8

申请日：2010-04-26

Applicant: 株式会社日立高新技术

Designer： 大沼满 ,  小町章 ,  西山和彦 ,  铃木浩之 ,  奈良安彦

Abstract: 1.本外观设计产品名称为：半导体检测机。2.本外观设计产品用途为：本外观设计产品是通过拍摄半导体装置的配线或接触部的电子扩大图像进行观察后，直接测定半导体装置的配线或与接触部接触的缺陷部分的电特性，从而对半导体的缺陷部分进行分析的装置。3.本外观设计要点在于：如立体图所示，本外观设计产品的形状。4.指定图片：立体图。5.参考图中，G-表示部，H-真空泵开关，I-表示部，J-试件投入部，K-透明盖板，L-紧急停止按钮。6.参考图中，斜线表示的表示部使用透光性材料，透明盖板为透明。