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公开(公告)号:CN1284879C
公开(公告)日:2006-11-15
申请号:CN02151451.8
申请日:2002-09-20
CPC classification number: C23C14/0694 , C23C14/32 , C23C14/54 , G02B1/113
Abstract: 本发明提供一种即使卤素元素从膜形成材料中分离也能一边抑制由卤素元素的缺乏所引起的弊端一边进行成膜的卤素化合物的成膜方法及成膜装置。具体地说,使卤素化合物构成的膜的材料从蒸发源(3)蒸发,同时通过从高频电源单元(11)输出并经过衬底支架(2)而供给的高频功率使之离子化,使离子化的膜的材料被析出到衬底(5)上进行成膜。而且,通过从偏置电源单元(12)输出并施加到衬底支架(2)上的偏置电压,将从卤素化合物的离子中分离的卤素元素的离子吸入衬底(5)。
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公开(公告)号:CN1424598A
公开(公告)日:2003-06-18
申请号:CN02156957.6
申请日:2002-09-20
CPC classification number: G02B1/113 , C23C14/0694 , C23C14/32
Abstract: 本发明提供光学特性和耐磨耗性优良、并且能够在低温下形成的光学系统。在用于把可见光透射率调整为任意值的光学系统(101)中,使光学系统(101)的至少一部分由具有3nm以上并且10nm以下的结晶粒径的氟化物(103)构成。该氟化物(103)还具有1~5m2/g的比表面积。
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