公开(公告)号：CN1197151C

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN02119922.1

申请日：1998-12-07

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 近藤保夫 ,  金田润也 ,  青野泰久 ,  阿部辉宜 ,  稻垣正寿 ,  斋藤隆一 ,  小池义彦 ,  荒川英夫

IPC: H01L23/36 ,  H05K7/20

CPC classification number: H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的目的是提供一种半导体器件，其包括具有散热片的绝缘衬底和安装在所述绝缘衬底上的半导体元件，其中，所述散热片用由铜和铜氧化物构成的复合材料制成，其特征在于所述铜的氧化物是氧化亚铜(Cu2O)，所述氧化亚铜的含量为20-80体积%。

公开(公告)号：CN1428915A

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN02152885.3

申请日：2002-11-26

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立金属株式会社

Inventor： 小室又洋 ,  北村正司 ,  金田润也 ,  伊藤元哉 ,  阿部辉宜 ,  栗山义彦

IPC: H02K1/27 ,  H02K15/03

CPC classification number: H02K1/278 ,  H02K15/03

Abstract: 一种转子，它具有顺着轴的圆周周边方向而分成扇形段的磁体，其中，该磁体的正在磁化方向或已磁化方向是持续变化的，且非磁性材料或铁磁体材料被插入该扇形段磁体之间的周边间隙中。还有，一种制造转子的方法，包括如下步骤：把线圈布置得使每个该线圈的纵向方向沿着轴的轴线，并磁化该扇形段磁体。另外还有，转动机械采用该转子。

公开(公告)号：CN1402342A

公开(公告)日：2003-03-12

申请号：CN02119923.X

申请日：1998-12-07

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 近藤保夫 ,  金田润也 ,  青野泰久 ,  阿部辉宜 ,  稻垣正寿 ,  斋藤隆一 ,  小池义彦 ,  荒川英夫

IPC: H01L23/373 ,  C22C9/00 ,  C22C29/12 ,  C22C32/00 ,  C22C1/05

CPC classification number: H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是提供一种具有低的热膨胀率，高的导热率和良好的塑性加工性的复合材料，所述复合材料可应用于半导体器件以及许多其它应用场合。所述复合材料由金属和热膨胀系数比所述金属小的无机粒子构成。其特征在于所述无机粒子分散的方式使95％或者更多的粒子(以横截面上的粒子面积表示)形成具有复杂构形的连接一起的聚集体。所述复合材料含有20－80体积％的铜的氧化物，余下部分是铜。其在室温至300℃的范围内，热膨胀系数为5×10－6—14×10－6/℃，导热率为30—325W/m·k。所述复合材料适于制作半导体器件的散热片和静电吸引器的介电片。

公开(公告)号：CN1377079A

公开(公告)日：2002-10-30

申请号：CN02119922.1

申请日：1998-12-07

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 近藤保夫 ,  金田润也 ,  青野泰久 ,  阿部辉宜 ,  稻垣正寿 ,  斋藤隆一 ,  小池义彦 ,  荒川英夫

IPC: H01L23/36 ,  H05K7/20

CPC classification number: H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的目的是提供一种具有低的热膨胀率,高的导热率和良好的塑性加工性的复合材料,所述复合材料可应用于半导体器件以及许多其它应用场合。所述复合材料由金属和热膨胀系数比所述金属小的无机粒子构成。其特征在于所述无机粒子分散的方式使95%或者更多的粒子(以横截面上的粒子面积表示)形成具有复杂构形的连接一起的聚集体。所述复合材料含有20－80体积%的铜的氧化物,余下部分是铜。其在室温至300℃的范围内,热膨胀系数为5×10－6－14×10－6/℃,导热率为30－325W/m·k。所述复合材料适于制作半导体器件的散热片和静电吸引器的介电片。