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公开(公告)号：CN1253379A
公开(公告)日：2000-05-17
申请号：CN99118577.3
申请日：1999-09-09
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/092 , H01L27/04
CPC classification number: H03K19/0016
Abstract: 一种半导体集成电路中,通过把衬底偏置控制装置102设置为第1状态,在MOS晶体管中流过大电流,把衬底偏置控制装置设定为第2状态,把上述大电流控制为较小的值,进行控制使得第2状态时提供给第1被控制电路的衬底偏置的值是比第1状态时对于PMOS晶体管的衬底偏置高的电压值,是对于NMOS晶体管的衬底偏置低的电压值,第2状态时提供给第1被控制电路的电源电压比该第1状态时小。
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