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公开(公告)号：CN114503268B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202080069889.2
申请日：2020-11-06
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明的目的在于应对具有基于PIN型光导电膜的光传感器的半导体装置中的电极连接不良。本发明的构成如下所述。半导体装置，其具有光传感器，其特征在于，上述光传感器在基板之上形成有薄膜晶体管，在相较于上述薄膜晶体管而言的上层形成有光电二极管，上述光电二极管由阳极131、光导电膜130、阴极126构成，上述阴极126由钛膜构成，在上述钛膜与上述光导电膜之间，形成有第一透明导电膜201。
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公开(公告)号：CN119325278A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202410810371.X
申请日：2024-06-21
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明涉及半导体器件和显示装置。课题在于改善包括氧化物半导体的半导体器件的可靠性。半导体器件包括：第一绝缘层；所述第一绝缘层之上的具有多晶结构的氧化物半导体层；所述氧化物半导体层之上的栅极绝缘层；所述栅极绝缘层之上的栅极布线；和所述栅极布线之上的第二绝缘层，所述氧化物半导体层具有朝向第一方向排列的第一区域、第二区域及第三区域，所述第一区域与所述栅极绝缘层及所述栅极布线重叠，所述第三区域与所述第二绝缘层相接，从所述第二区域的上表面到所述第二绝缘层的上表面为止的距离比从所述第三区域的上表面到所述第二绝缘层的上表面为止的距离长。
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公开(公告)号：CN118943145A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410503778.8
申请日：2024-04-25
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L27/12 , H10K59/121 , H10K59/123 , H10K59/131
Abstract: 本发明涉及半导体装置。课题在于实现具有高迁移率的半导体装置。半导体装置包括：栅电极；前述栅电极之上的栅极绝缘层；前述栅极绝缘层之上的以铝为主成分的金属氧化物层；前述金属氧化物层之上的具有多晶结构的氧化物半导体层；从前述氧化物半导体层之上与前述氧化物半导体层相接的源电极及漏电极；和前述源电极及前述漏电极之上的绝缘层。在将供给至前述栅电极的电压设为Vg、将前述半导体装置的阈值电压设为Vth、将由前述栅电极和前述氧化物半导体层夹持的前述栅极绝缘层的静电电容设为Cox的情况下，前述半导体装置的线性迁移率在(Vg‑Vth)×Cox＝5×10‑7C/cm2时大于20cm2/Vs。
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公开(公告)号：CN118553770A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410201026.6
申请日：2024-02-23
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/423 , H01L29/786 , H01L27/12
Abstract: 本发明涉及半导体装置。课题在于抑制应力试验前后的半导体装置的电气特性变化。半导体装置包含第1栅电极、所述第1栅电极之上的第1绝缘层、所述第1绝缘层之上的氧化物半导体层、所述氧化物半导体层之上的第2绝缘层和所述第2绝缘层之上的第2栅电极。所述第1绝缘层包含含有硅及氮的第1层、含有硅及氧的第2层以及含有铝及氧的第3层。所述第1层的厚度为10nm以上190nm以下。所述第2层的厚度为10nm以上100nm以下。所述第1层及所述第2层的合计厚度为200nm以下。所述第3层的厚度为1nm以上10nm以下。
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公开(公告)号：CN118398661A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410049356.8
申请日：2024-01-12
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/78 , H01L27/12 , G02F1/1362
Abstract: 本发明涉及半导体器件。本发明能够不降低半导体器件的电气特性而增大工艺余量。半导体器件包含：氧化物半导体层，其包含多晶构造；栅电极，其与所述氧化物半导体层相对；所述氧化物半导体层与所述栅电极之间的栅极绝缘层；第1透明导电层，其与所述氧化物半导体层连接；和第2透明导电层，其设置在与所述第1透明导电层的同一层、并与所述第1透明导电层分离，所述第1透明导电层的结晶性与所述第2透明导电层的结晶性不同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114503268A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202080069889.2
申请日：2020-11-06
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明的目的在于应对具有基于PIN型光导电膜的光传感器的半导体装置中的电极连接不良。本发明的构成如下所述。半导体装置，其具有光传感器，其特征在于，上述光传感器在基板之上形成有薄膜晶体管，在相较于上述薄膜晶体管而言的上层形成有光电二极管，上述光电二极管由阳极131、光导电膜130、阴极126构成，上述阴极126由钛膜构成，在上述钛膜与上述光导电膜之间，形成有第一透明导电膜201。
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公开(公告)号：CN119767810A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411135598.5
申请日：2024-08-19
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明实现可靠性高的放射线检测装置。放射线检测装置具有：氧化物半导体层被用于沟道的晶体管；与所述晶体管连接的光电转换层；与所述光电转换层对置且基于吸收的放射线来放出可见光的波长转换层；和在所述晶体管与所述光电转换层之间与所述氧化物半导体层接触且具有50nm以下的膜厚的氧化物层。所述晶体管也可以包括与所述氧化物半导体层对置的栅电极层及位于所述氧化物半导体层与所述栅电极层之间的栅极绝缘层，所述氧化物半导体层也可以比所述栅电极层更接近所述光电转换层。
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公开(公告)号：CN119562596A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411158980.8
申请日：2024-08-22
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明涉及显示装置。提高使用了包含氧化物半导体的晶体管的显示装置的可靠性。显示装置包含沿着第1方向及与第1方向交叉的第2方向呈矩阵状配置的多个像素，多个像素的各自分别具有：晶体管，其具备氧化物半导体层、与氧化物半导体层对置并在第1方向上延伸存在的栅极布线、及氧化物半导体层与栅极布线之间的栅极绝缘层；第1导电层，其设置在晶体管之上的至少1层第1绝缘层之上，并与氧化物半导体层相接；第2绝缘层，其设置在第1导电层之上；第1无机层，其设置在第2绝缘层之上并具有开口部；和第2无机层，其设置在第1无机层之上，并在开口部中与第2绝缘层相接，第1无机层将第1绝缘层被覆的被覆率相对于像素的面积而言为85％以上。
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公开(公告)号：CN118738138A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410326788.9
申请日：2024-03-21
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , H01L21/34 , H01L21/465 , H01L21/477
Abstract: 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。课题在于提供形状的偏差少且电气特性稳定的半导体装置。半导体装置包括：栅电极；栅电极之上的栅极绝缘层；栅极绝缘层之上的金属氧化物层；金属氧化物层之上的具有多晶结构的氧化物半导体层；氧化物半导体层之上的源电极及漏电极；和覆盖源电极及漏电极且与氧化物半导体层相接的层间绝缘层，氧化物半导体层包括与源电极或漏电极重叠的第一区域和与层间绝缘层相接的第二区域，第一区域的膜厚与第二区域的膜厚之差为5nm以下。
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公开(公告)号：CN118738135A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410260296.4
申请日：2024-03-07
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , G09F9/35
Abstract: 本发明涉及半导体装置和显示装置。改善包含氧化物半导体的半导体装置的电特性。半导体装置包含：第1绝缘层；上述第1绝缘层之上的以铝为主成分的金属氧化物层；上述金属氧化物层之上的具有多晶结构的氧化物半导体层；上述氧化物半导体层之上的栅极绝缘层；上述栅极绝缘层之上的栅电极；和上述栅电极之上的第2绝缘层，上述金属氧化物层和上述氧化物半导体层一起被图案化，上述氧化物半导体层具有与上述栅极绝缘层接触的第1区域和在第1方向上与上述第1区域连续并且与上述栅极绝缘层及上述第2绝缘层接触的第2区域。
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