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公开(公告)号：CN104733539B
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201410798404.X
申请日：2014-12-18
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种能够抑制初期Vth损失及Vth偏移的底栅·沟道蚀刻型薄膜晶体管。该薄膜晶体管具有：配置在衬底(101)上的栅极电极布线(102)、栅极绝缘膜(103)、成为沟道层的氧化物半导体层(104)、源极电极布线(105a)与第一硬掩模层(106a)的层叠膜、漏极电极布线(105b)与第二硬掩模层的层叠膜、和保护绝缘膜(107)。
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公开(公告)号：CN105261653A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510411819.1
申请日：2015-07-14
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , H01L29/08 , H01L27/12
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/133345 , G02F1/136227 , H01L27/1288 , H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L29/0847
Abstract: 根据实施方式，显示装置具备在绝缘基板(15)之上设置的薄膜晶体管(TR)。薄膜晶体管具有栅电极(GE)、在栅电极上设置的绝缘层(12)、在绝缘层上设置的至少一部分与栅电极重叠的半导体层(SC)、以及与半导体层的至少一部分接触而设置的源电极(SE)及漏电极(DE)。源电极、漏电极分别具有位于半导体层侧的下层、以Al为主成分的中间层、以及上层的层叠构造。源电极、漏电极的侧壁具有上层侧的第1锥部(22a)、下层侧的第2锥部(22b)、以及与第2锥部接触的侧壁保护膜(24)，第1锥部的锥角小于第2锥部的锥角。
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公开(公告)号：CN112424918A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201980047944.5
申请日：2019-07-09
Applicant: 株式会社日本显示器
Inventor： 山口阳平
IPC: H01L21/336 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/02
Abstract: 用于控制图像显示的薄膜晶体管(TR)为底栅型，且具有栅电极(18)、覆盖栅电极(18)的绝缘膜(40)、位于绝缘膜(40)之上的氧化物半导体层(30)、与氧化物半导体层(30)的第1上表面区域(R1)接触的氧化剂层(42)、与氧化物半导体层(30)的第2上表面区域(R2)接触的还原剂层(44)、和位于绝缘膜(40)的上方的源电极及漏电极(20、24)。第2上表面区域(R2)在源电极与漏电极(20、24)之间的方向上与第1上表面区域(R1)的两侧中的各自分别邻接。氧化物半导体层(30)包含氧化剂层(42)紧下的半导体部(62)和还原剂层(44)紧下的导电部(64)。
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公开(公告)号：CN111430409A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201911403498.5
申请日：2019-12-31
Applicant: 株式会社日本显示器
Inventor： 山口阳平
IPC: H01L27/32 , G02F1/1362
Abstract: 本发明实现具有用于确保所层叠的不同的导电层间的导通的接触构造的配线构造体、使用了该配线构造体的半导体器件和使用了该半导体器件的显示装置。配线构造体包括：具有图案的构造物；第1导电层，其在上述构造物的上方以横穿上述构造物的图案的边缘的方式设置，具有反映出上述构造物的图案的边缘的台阶的形状；第1绝缘层，其设置在上述第1导电层的上方，具有俯视时与上述构造物的图案的边缘重叠的第1开口；和第2导电层，其设置在上述第1开口的内部，与上述第1导电层相连接。
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公开(公告)号：CN111430367A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010008900.6
申请日：2020-01-06
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种半导体器件和显示装置。所述半导体器件包括：第一氧化物半导体层；与所述第一氧化物半导体层相对的第一栅极电极；所述第一氧化物半导体层与所述第一栅极电极之间的第一栅极绝缘层；覆盖所述第一氧化物半导体层，并且设置有第一开口的第一绝缘层；设置在所述第一绝缘层的上方和所述第一开口的内部，与所述第一氧化物半导体层电连接的第一导电层；和设置在所述第一绝缘层的上表面与所述第一导电层之间的氧化物层，在俯视时不与所述第一导电层重叠的区域中，所述第一绝缘层从所述氧化物层露出。由此，实现一种能够对作为半导体器件的沟道使用的氧化物半导体充分地供给氧，并且抑制氧从该氧化物半导体脱离的构造的半导体器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110045535A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910037539.7
申请日：2019-01-15
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1333 , G02F1/133
Abstract: 本发明涉及液晶显示装置及其制造方法。本发明的课题为实现柔性的液晶显示装置。本发明的解决手段为液晶显示装置，其为将液晶(300)夹持于显示区域与由树脂形成的对置基板(200)之间而成的液晶显示装置，所述显示区域在包含无机绝缘膜的TFT布线层(60)上形成有多个具有TFT的像素，所述液晶显示装置的特征在于，在所述TFT布线层(60)上粘接有下偏振片(401)，夹持所述液晶(300)而在所述对置基板(200)上粘接有上偏振片(402)。
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公开(公告)号：CN107403806A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710266582.1
申请日：2017-04-21
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/77
Abstract: 本发明涉及显示装置。能够在同一基板内形成LTPS TFT和氧化物半导体TFT。显示装置，包含具有形成有像素的显示区域的基板，其特征在于，所述像素包含使用了氧化物半导体(109)的第一TFT，在所述氧化物半导体(109)之上形成作为绝缘物的氧化膜(110)，所述氧化膜(110)之上形成栅电极(111)，在所述第一TFT的漏极上经由在所述氧化膜(110)中形成的第一通孔而连接第一电极(115)，在所述第一TFT的源极上经由在所述氧化膜(110)中形成的第二通孔而连接第二电极(116)。
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公开(公告)号：CN104733539A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410798404.X
申请日：2014-12-18
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L21/02071 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/32138 , H01L21/32139 , H01L21/473 , H01L27/1248 , H01L27/127 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78693
Abstract: 本发明提供一种能够抑制初期Vth损失及Vth偏移的底栅·沟道蚀刻型薄膜晶体管。该薄膜晶体管具有：配置在衬底(101)上的栅极电极布线(102)、栅极绝缘膜(103)、成为沟道层的氧化物半导体层(104)、源极电极布线(105a)与第一硬掩模层(106a)的层叠膜、漏极电极布线(105b)与第二硬掩模层的层叠膜、和保护绝缘膜(107)。
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公开(公告)号：CN117219635A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311310877.6
申请日：2020-01-06
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种半导体器件和显示装置。所述半导体器件包括：第一氧化物半导体层；与所述第一氧化物半导体层相对的第一栅极电极；所述第一氧化物半导体层与所述第一栅极电极之间的第一栅极绝缘层；覆盖所述第一氧化物半导体层，并且设置有第一开口的第一绝缘层；设置在所述第一绝缘层的上方和所述第一开口的内部，与所述第一氧化物半导体层电连接的第一导电层；和设置在所述第一绝缘层的上表面与所述第一导电层之间的氧化物层，在俯视时不与所述第一导电层重叠的区域中，所述第一绝缘层从所述氧化物层露出。由此，实现一种能够对作为半导体器件的沟道使用的氧化物半导体充分地供给氧，并且抑制氧从该氧化物半导体脱离的构造的半导体器件。
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公开(公告)号：CN111430367B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202010008900.6
申请日：2020-01-06
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种半导体器件和显示装置。所述半导体器件包括：第一氧化物半导体层；与所述第一氧化物半导体层相对的第一栅极电极；所述第一氧化物半导体层与所述第一栅极电极之间的第一栅极绝缘层；覆盖所述第一氧化物半导体层，并且设置有第一开口的第一绝缘层；设置在所述第一绝缘层的上方和所述第一开口的内部，与所述第一氧化物半导体层电连接的第一导电层；和设置在所述第一绝缘层的上表面与所述第一导电层之间的氧化物层，在俯视时不与所述第一导电层重叠的区域中，所述第一绝缘层从所述氧化物层露出。由此，实现一种能够对作为半导体器件的沟道使用的氧化物半导体充分地供给氧，并且抑制氧从该氧化物半导体脱离的构造的半导体器件。
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