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公开(公告)号：CN109071783A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780021632.8
申请日：2017-03-24
Applicant: 国立大学法人东京大学 , 株式会社大赛璐
IPC: C08G61/12 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/46
Abstract: 提供一种对于形成有机半导体有用的新型有机高分子及其用途。将下述式(Ia)所示化合物供于偶联反应，得到有机高分子。(式中，环A及环B表示芳香族烃环或芳香族杂环，n表示0或1～6的整数、R1～R2+n表示取代基(烷基等)，a1～a(2+n)表示0～2的整数，环C表示根据n的数与相邻的苯环依次非直线状地邻位缩合而成的苯环，X表示氢原子、卤素原子、锂原子或-MgX1，X1表示卤素原子。)
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公开(公告)号：CN114401966B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202080064863.9
申请日：2020-09-04
Applicant: 富士胶片株式会社 , 国立大学法人东京大学
IPC: C07D471/22 , C07D471/06 , C07D471/16 , C07D221/18 , C07D237/26 , H10K85/60 , H10K71/00
Abstract: 本发明的第一课题在于，提供一种收率及纯度优异的环状酰亚胺化合物的制造方法。另外，本发明的第二课题在于，提供一种能够用于收率及纯度优异的环状酰亚胺化合物的制造方法的组合物。另外，本发明的第三课题在于，提供一种能够用于收率及纯度优异的环状酰亚胺化合物的制造方法的中间体化合物。本发明的环状酰亚胺化合物的制造方法是一种使下述式(1)表示的化合物和至少1种胺化合物反应，获得下述式(2)表示的化合物的制造方法。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN111542939A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201880085108.1
申请日：2018-12-27
Applicant: 富士胶片株式会社 , 国立大学法人东京大学
IPC: H01L51/30 , C08F20/36 , C08G61/12 , C08G73/10 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
Abstract: 本发明提供一种具备含有特定的聚合物的有机半导体层的有机薄膜晶体管元件、优选作为该有机半导体层的有机半导体膜及其制造方法以及优选作为该有机半导体膜的构成材料的聚合物及组合物，该特定的聚合物具有包含特定的式所表示的结构的重复单元。
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公开(公告)号：CN107210365B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201680008803.9
申请日：2016-02-03
Applicant: 富士胶片株式会社 , 国立大学法人东京大学
IPC: H01L51/30 , C07D495/14 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
Abstract: 本发明的目的在于提供高迁移率的有机半导体元件、能够形成高迁移率的有机半导体膜的有机半导体膜形成用组合物、以及由上述有机半导体膜形成用组合物形成的有机半导体元件的制造方法和有机半导体膜的制造方法。本发明的有机半导体元件的特征在于，其具有半导体活性层，该半导体活性层包含由式1表示且分子量为3,000以下的化合物。本发明的有机半导体膜形成用组合物的特征在于，其含有由式1表示且分子量为3,000以下的化合物、以及溶剂。
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公开(公告)号：CN106104833B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201580014491.8
申请日：2015-03-26
Applicant: 富士胶片株式会社 , 国立大学法人东京大学
IPC: H01L51/30 , C07D493/14 , C07D495/14 , C07D497/14 , C07D513/14 , C07D517/14 , C07D519/00 , H01L21/336 , H01L21/368 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
Abstract: 一种有机晶体管，其具有半导体有源层，该半导体有源层含有由下式表示且分子量为3000以下的化合物(X为氧、硫、硒、碲原子或NR5；Y和Z为CR6、氧、硫、硒、氮原子或NR7；含有Y和Z的环为芳香族杂环；R1和R2中的任意一个与含有Y和Z的芳香族杂环、或者、R3和R4中的任意一个与苯环可以经由特定的二价连接基团而键合；R1、R2、R5～R8为氢原子、烷基、烯基、炔基、芳基或杂芳基；R3和R4为烷基、烯基、炔基、芳基或杂芳基；m和n为0～2的整数)，该有机晶体管的载流子迁移率高。本发明提供化合物、非发光性有机半导体器件用有机半导体材料、有机晶体管用材料、非发光性有机半导体器件用涂布液、有机晶体管的制造方法、有机半导体膜的制造方法、非发光性有机半导体器件用有机半导体膜、有机半导体材料的合成方法。
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公开(公告)号：CN106165105A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201580015681.1
申请日：2015-03-26
Applicant: 富士胶片株式会社 , 国立大学法人东京大学
IPC: H01L29/786 , C07D495/14 , H01L21/336 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0074 , C07D495/14 , C09B57/00 , C09D5/24 , H01L51/0007 , H01L51/0558 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 一种非发光性有机半导体器件用涂布液，其含有通式(2)表示的化合物和沸点为100℃以上的溶剂(通式(2)中，R11和R12各自独立地表示氢原子、烷基、烯基、炔基或烷氧基，也可以具有取代基，通式(2)中的芳香族部分可以取代有卤原子)，该涂布液的载流子迁移率高。本发明提供有机晶体管、化合物、非发光性有机半导体器件用有机半导体材料、有机晶体管用材料、有机晶体管的制造方法和有机半导体膜的制造方法。
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公开(公告)号：CN114401966A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202080064863.9
申请日：2020-09-04
Applicant: 富士胶片株式会社 , 国立大学法人东京大学
IPC: C07D471/22 , C07D471/06 , C07D471/16 , C07D221/18 , C07D237/26 , H01L51/00 , H01L51/05
Abstract: 本发明的第一课题在于，提供一种收率及纯度优异的环状酰亚胺化合物的制造方法。另外，本发明的第二课题在于，提供一种能够用于收率及纯度优异的环状酰亚胺化合物的制造方法的组合物。另外，本发明的第三课题在于，提供一种能够用于收率及纯度优异的环状酰亚胺化合物的制造方法的中间体化合物。本发明的环状酰亚胺化合物的制造方法是一种使下述式(1)表示的化合物和至少1种胺化合物反应，获得下述式(2)表示的化合物的制造方法。
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公开(公告)号：CN109478595A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780038047.9
申请日：2017-06-23
Applicant: 富士胶片株式会社 , 国立大学法人东京大学
IPC: H01L51/30 , C07D471/22 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
Abstract: 本发明提供一种具备含有由特定式表示的化合物的有机半导体膜的有机薄膜晶体管、能够优选使用于该有机薄膜晶体管的有机半导体膜、化合物及有机薄膜晶体管用组合物、以及包括将上述有机薄膜晶体管用组合物涂布于基板上而形成有机半导体膜的工序的有机薄膜晶体管的制造方法。
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公开(公告)号：CN107210365A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680008803.9
申请日：2016-02-03
Applicant: 富士胶片株式会社 , 国立大学法人东京大学
IPC: H01L51/30 , C07D495/14 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
Abstract: 本发明的目的在于提供高迁移率的有机半导体元件、能够形成高迁移率的有机半导体膜的有机半导体膜形成用组合物、以及由上述有机半导体膜形成用组合物形成的有机半导体元件的制造方法和有机半导体膜的制造方法。本发明的有机半导体元件的特征在于，其具有半导体活性层，该半导体活性层包含由式1表示且分子量为3,000以下的化合物。本发明的有机半导体膜形成用组合物的特征在于，其含有由式1表示且分子量为3,000以下的化合物、以及溶剂。
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公开(公告)号：CN109478595B
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN201780038047.9
申请日：2017-06-23
Applicant: 富士胶片株式会社 , 国立大学法人东京大学
IPC: H10K85/60 , H10K71/00 , H10K10/46 , C07D471/22 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种具备含有由特定式表示的化合物的有机半导体膜的有机薄膜晶体管、能够优选使用于该有机薄膜晶体管的有机半导体膜、化合物及有机薄膜晶体管用组合物、以及包括将上述有机薄膜晶体管用组合物涂布于基板上而形成有机半导体膜的工序的有机薄膜晶体管的制造方法。
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